三星已組建專(zhuān)注于1nm芯片開(kāi)發(fā)的團隊 量產(chǎn)目標定于2029年

2nm GAA 工藝進(jìn)展被傳順利，但三星的目標是通過(guò)推出自己的 1nm 工藝來(lái)突破芯片開(kāi)發(fā)的技術(shù)限制。一份新報告指出，該公司已經(jīng)成立了一個(gè)團隊來(lái)啟動(dòng)這一工藝。然而，由于量產(chǎn)目標定于 2029 年，我們可能還需要一段時(shí)間才能看到這種光刻技術(shù)的應用。

1nm 晶圓的開(kāi)發(fā)需要“高 NA EUV 曝光設備”，但目前尚不清楚三星是否已訂購這些機器。

另一方面，臺積電也正在推出 2 納米以下芯片，據報道，這家臺灣半導體巨頭已于 4 月初開(kāi)始接受 2 納米晶圓訂單。至于三星，在其 2 納米 GAA 技術(shù)的試產(chǎn)過(guò)程中，據報道其良率達到了 30%，這比 3 納米 GAA 工藝有所提升，但仍有很大提升空間。據稱(chēng)，臺積電也已開(kāi)始開(kāi)發(fā) 1.4 納米節點(diǎn)，因此三星在 1 納米工藝上的突破將使其取得一些領(lǐng)先優(yōu)勢。

根據爆料人@Jukanlosreve披露的細節，該公司的 1nm 工藝被稱(chēng)為“夢(mèng)想中的半導體工藝”，而要實(shí)現這一目標，需要使用高數值孔徑 EUV 曝光設備，而三星尚未購置此類(lèi)設備。報道還提到，一些參與開(kāi)發(fā)這一尖端工藝的研究人員已被調入團隊。

這篇報道的有趣之處在于，此前有消息稱(chēng)三星已取消其1.4納米制程，這可能是因為三星正將資源和人力集中用于2納米技術(shù)，盡管三星并未透露采取這一舉措的具體原因。假設三星成功生產(chǎn)出首顆1納米晶圓，該公司也需要一段時(shí)間才能實(shí)現量產(chǎn)，因為其目標是在2029年，也就是四年后，在此期間，這家韓國巨頭會(huì )有很大可能遇到一些生產(chǎn)障礙。