臺積電打算將FOPLP封裝技術(shù)帶入美國，以滿(mǎn)足當地客戶(hù)的需求

上個(gè)月臺積電（TSMC）宣布，有意增加1000億美元投資于美國先進(jìn)半導體制造，擴大投資計劃包括了三座新建晶圓廠(chǎng)、兩座先進(jìn)封裝設施、以及一間主要的研發(fā)團隊中心。臺積電在美國亞利桑那州鳳凰城的晶圓廠(chǎng)名為Fab 21，前后花了大概五年時(shí)間才完成第一間晶圓廠(chǎng)。不過(guò)隨著(zhù)項目的推進(jìn)，臺積電在當地的設施建造速度變得更快。

據TrendForce報道，臺積電打算將FOPLP封裝技術(shù)帶入美國，以滿(mǎn)足當地客戶(hù)日益增長(cháng)的需求。臺積電正在確定FOPLP封裝的最終規格，以加快大規模生產(chǎn)的時(shí)間表。初代產(chǎn)品預計采用300mm x 300mm的面板尺寸，比之前測試使用的515mm x 510mm規格要小一些。

目前臺積電在中國臺灣桃園建造一條試點(diǎn)生產(chǎn)線(xiàn)，預計最早2027年開(kāi)始試產(chǎn)。臺積電還曾嘗試與群創(chuàng )等面板廠(chǎng)商合作，不過(guò)最后選擇自行開(kāi)發(fā)，原因是目前面板行業(yè)的精度和技術(shù)實(shí)力不足以滿(mǎn)足臺積電的標準。

臺積電的3D Fabric系統集成平臺對先進(jìn)封裝進(jìn)行了分類(lèi)，包括了三個(gè)部分，分別是用于3D芯片堆疊技術(shù)的前端封裝SoIC、以及用于后端先進(jìn)封裝的CoWoS和InFO系列，其中基于FOWLP（扇出晶圓級封裝）的InFO封裝在2016年首次應用于iPhone 7的A10處理器。

近年來(lái)又發(fā)展出了FOPLP技術(shù)，提供了單位成本更低的封裝，客戶(hù)也被更具成本效益的解決方案所吸引，從而導致需求不斷上升，不少芯片設計公司計劃用在新一代AI芯片上。