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臺積電.晶圓代工
臺積電.晶圓代工 文章 進(jìn)入臺積電.晶圓代工技術(shù)社區
中國20+nm成熟工藝芯片占全球28％！西方企業(yè)哀嘆沒(méi)法活了
- 2月27日消息，雖然我國在先進(jìn)半導體工藝方面仍有一定差距，但是說(shuō)起20nm及以上的成熟工藝，我國就誰(shuí)也不怕了，憑借龐大的產(chǎn)能和超低的價(jià)格大殺四方，直接讓西方企業(yè)惶恐不已。成熟工藝雖然不適合AI、HPC等前沿計算領(lǐng)域，但非常適合廣闊的消費電子、汽車(chē)、工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域，而且成本非常低，即便殺價(jià)也能帶來(lái)豐厚的利潤，轉而支撐尖端工藝研發(fā)。就算是天字一號代工廠(chǎng)的臺積電，成熟工藝產(chǎn)能也占據相當大的份額。不過(guò)進(jìn)入2024年之后，尤其是到了2025年，西方晶圓廠(chǎng)驚恐地發(fā)現，中國廠(chǎng)商的價(jià)格戰一輪接著(zhù)一輪，尤其是美國對中國先進(jìn)
- 關(guān)鍵字： 28nm 晶圓代工 工藝制程
臺積電2nm工藝已啟動(dòng)小規模評估
- 臺積電2nm制程開(kāi)發(fā)進(jìn)度一直備受矚目，最新內部消息透露，其新竹寶山工廠(chǎng)與高雄工廠(chǎng)均已啟動(dòng)小規模評估 —— 其中寶山廠(chǎng)現階段推測已有5000-10000片的月產(chǎn)能，高雄廠(chǎng)也已進(jìn)機小量試產(chǎn)。盡管近期有關(guān)2nm工藝的數據泄露，臺積電官方聲明仍強調研發(fā)進(jìn)度符合預期，未對具體數據進(jìn)行評論。業(yè)內專(zhuān)家預測，隨著(zhù)兩家工廠(chǎng)的2nm產(chǎn)線(xiàn)逐步上線(xiàn)，總產(chǎn)能有望達到每月50000片晶圓，預計將在2025年末實(shí)現每月80000片晶圓的產(chǎn)能。臺積電2nm工藝優(yōu)勢臺積電2nm首次引入全環(huán)繞柵極（GAA）納米片晶體管，有助于調整通道寬度，
- 關(guān)鍵字： 臺積電 2nm 先進(jìn)制程
蘋(píng)果A系列芯片將集成自研5G基帶：替代高通
- 2月25日消息，蘋(píng)果記者M(jìn)ark Gurman透露，蘋(píng)果計劃在未來(lái)將5G調制解調器集成到設備的主芯片組中，這意味著(zhù)未來(lái)不會(huì )再有A18芯片組與獨立的C1調制解調器，而是兩者合二為一，不過(guò)這一成果需要幾年時(shí)間才能實(shí)現。據悉，蘋(píng)果自研5G基帶芯片由iPhone 16e首發(fā)搭載，該機同時(shí)還搭載了A18芯片，支持Apple智能。報道顯示，蘋(píng)果自研的5G基帶芯片C1由臺積電（TSMC）代工，其基帶調制解調器采用4nm工藝，而接收器則采用了7nm工藝，這種組合是兼顧性能與功耗的解決方案。按照計劃，蘋(píng)果明年將會(huì )擴大自研基
- 關(guān)鍵字： 蘋(píng)果 A系列芯片 自研 5G基帶 高通 臺積電 TSMC
被迫與英特爾合作？不情愿的臺積電如何自保
- 近日市場(chǎng)傳出，在特朗普政府的施壓下，臺積電可能考慮與英特爾合作晶圓代工事業(yè)，包含合資或收購等方式。 盡管如此，昔日面對與英特爾合作議題時(shí)，臺積電創(chuàng )辦人張忠謀或董事長(cháng)魏哲家的意愿都極低。 外媒引述專(zhuān)家看法，認為臺積電應優(yōu)先考量擴大在亞利桑那州的產(chǎn)能，同時(shí)加強先進(jìn)芯片封裝的合作，方為上策。美國財經(jīng)網(wǎng)站Quartz報導，長(cháng)期關(guān)注臺灣半導體產(chǎn)業(yè)的新聞平臺Culpium創(chuàng )辦人高燦鳴（Tim Culpa）表示，臺積電并未有意愿入股英特爾，無(wú)論是獨立經(jīng)營(yíng)或合資英特爾晶圓廠(chǎng)，都毫無(wú)吸引力。 （編按：臺積電至今未對合資或入
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歐盟日本巨額補貼半導體企業(yè)：英飛凌、臺積電成焦點(diǎn)
- 近日，半導體產(chǎn)業(yè)迎來(lái)兩大重磅消息，歐盟與日本分別對半導體相關(guān)企業(yè)提供大額補貼，旨在推動(dòng)本土半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展。英飛凌獲歐盟9.2億歐元補貼，德累斯頓新廠(chǎng)加速落地2月20日，歐盟委員會(huì )宣布批準德國政府對英飛凌位于德累斯頓的新晶圓廠(chǎng)授予9.2億歐元（約69.85億元人民幣）的《歐洲芯片法案》補貼，用于其在德國德累斯頓建設新的半導體制造工廠(chǎng)。公開(kāi)資料顯示，英飛凌的德累斯頓新晶圓廠(chǎng)項目整體投資規模達50億歐元，于2023年3月啟動(dòng)建設，目標是在2026年投入使用，2031年達到滿(mǎn)負荷生產(chǎn)。建成后，該工廠(chǎng)將制造分立功率
- 關(guān)鍵字： 補貼 半導體 英飛凌 臺積電
英特爾18A節點(diǎn)SRAM密度與臺積電持平 背面功率傳輸是一大優(yōu)勢
- 英特爾在國際固態(tài)電路會(huì )議 (ISSCC) 上公布了半導體制造領(lǐng)域的一些有趣進(jìn)展，展示了備受期待的英特爾 18A 工藝技術(shù)的功能。演示重點(diǎn)介紹了 SRAM 位單元密度的顯著(zhù)改進(jìn)。PowerVia 系統與 RibbonFET (GAA) 晶體管相結合，是英特爾節點(diǎn)的核心。該公司展示了其高性能 SRAM 單元的堅實(shí)進(jìn)展，實(shí)現了從英特爾 3 的 0.03 μm2 減小到英特爾 18A 的 0.023 μm2。高密度單元也顯示出類(lèi)似的改進(jìn)，縮小到 0.021 μm2。這些進(jìn)步分別代表了 0.77 和
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iPhone 16e首發(fā) 蘋(píng)果首款自研5G基帶芯片C1采用臺積電工藝
- 2月21日消息，日前，蘋(píng)果iPhone 16e發(fā)布，該機首發(fā)搭載蘋(píng)果首款自研5G基帶芯片C1。該芯片標志著(zhù)蘋(píng)果在擺脫對高通依賴(lài)的道路上邁出了關(guān)鍵一步。據媒體報道，蘋(píng)果硬件技術(shù)高級副總裁Johny Srouji在采訪(fǎng)中透露，C1芯片核心部分采用臺積電4nm工藝制造，而射頻收發(fā)器則基于7nm工藝，這種組合在性能與功耗之間尋求平衡。蘋(píng)果稱(chēng)C1是迄今為止iPhone上最節能的基帶芯片，配合A18 芯片和iOS 18的電源管理，iPhone 16e視頻播放續航可達26小時(shí)，成為6.1英寸iPhone中續航最長(cháng)的機型
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SK海力士推出首款自研CXL控制器：臺積電負責制造
- 2月19日消息，據報道，SK海力士已經(jīng)準備好首款自研CXL（Compute Express Link）控制器，支持CXL 3.0/3.1標準，由臺積電（TSMC）負責制造，選擇更為先進(jìn)的工藝。同時(shí)，SK海力士還在積極推進(jìn)2.5D和扇出晶圓級封裝（FOWLP）技術(shù)的開(kāi)發(fā)，并計劃將相關(guān)芯片技術(shù)商業(yè)化。據消息透露，SK海力士計劃從2025年第一季度末開(kāi)始批量生產(chǎn)基于CXL標準的DDR5內存模塊，進(jìn)一步鞏固其在高端內存市場(chǎng)的領(lǐng)先地位。CXL作為一種開(kāi)放性的互聯(lián)協(xié)議，能夠實(shí)現CPU與GPU、FPGA或其他加速器之間
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救英特爾對臺積電是好事？ 韓媒怕三星更慘
- 美國總統特朗普上任后劍指臺積電，除了威脅課關(guān)稅，還傳出要求臺積電技術(shù)入股或接手英特爾工廠(chǎng)，韓國學(xué)者撰文示警，如果臺美半導體聯(lián)盟未來(lái)變得更強大，三星代工業(yè)務(wù)市占率恐受沖擊。根據韓媒《中央日報》報導，傳出特朗普有意利用臺積電，重振陷入困境的英特爾，并確保3納米以下的先進(jìn)制程技術(shù)發(fā)展。 南韓半導體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì )常務(wù)理事安基鉉（音譯）認為，特朗普此前試圖提高關(guān)稅和重新談判補貼，可能是該提案的前奏，雖然與英特爾合作，對臺積電來(lái)說(shuō)是商業(yè)可行性較低的提議，但其要克服美國壓力將十分困難。也有觀(guān)點(diǎn)認為，如果臺積電接手英特爾工廠(chǎng)，
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西門(mén)子為臺積電3DFabric技術(shù)提供經(jīng)認證的自動(dòng)化設計流程
- 西門(mén)子數字化工業(yè)軟件宣布與臺積電進(jìn)一步開(kāi)展合作，基于西門(mén)子先進(jìn)的封裝集成解決方案，提供經(jīng)過(guò)認證的臺積電?InFO?封裝技術(shù)自動(dòng)化工作流程。西門(mén)子數字化工業(yè)軟件電路板系統高級副總裁?AJ Incorvaia?表示：“西門(mén)子與臺積電的合作由來(lái)已久，我們很高興合作開(kāi)發(fā)出一套由?Innovator3D IC?驅動(dòng)的、經(jīng)過(guò)認證的?Xpedition Package Designer?自動(dòng)化流程，即使面對持續上升的時(shí)間壓力和設計復雜度，也
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攜手聯(lián)發(fā)科挑戰高通！NVIDIA被曝正開(kāi)發(fā)AI手機芯片
- 快科技2月14日消息，據媒體報道，NVIDIA與聯(lián)發(fā)科的合作正在進(jìn)一步深化，雙方不僅計劃于2025年下半年推出一款AI PC芯片，還正在研發(fā)一款AI智能手機芯片，意圖在移動(dòng)市場(chǎng)分得一杯羹。在PC領(lǐng)域，NVIDIA與聯(lián)發(fā)科的合作AI PC芯片預計將采用臺積電3nm制程和Arm架構，結合聯(lián)發(fā)科在定制芯片領(lǐng)域的專(zhuān)長(cháng)與NVIDIA強大的圖形計算能力，有望在2025年臺北國際電腦展期間發(fā)布。目前，包括聯(lián)想、戴爾、惠普、華碩等在內的多家知名廠(chǎng)商已計劃采用該芯片。而在智能手機市場(chǎng)，NVIDIA與聯(lián)發(fā)科還可能發(fā)布一款AI
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晶圓代工2納米之戰，臺積電領(lǐng)先，三星、英特爾能否彎道超車(chē)？
- 21世紀以來(lái)，全球晶圓代工市場(chǎng)經(jīng)歷了快速發(fā)展和深刻變革。在這個(gè)高度專(zhuān)業(yè)化和技術(shù)密集的領(lǐng)域，臺積電（TSMC）、三星（Samsung）和英特爾（Intel）等廠(chǎng)商，它們之間的競爭，不僅推動(dòng)了技術(shù)的進(jìn)步，也塑造了整個(gè)產(chǎn)業(yè)的格局。在晶圓代工市場(chǎng)中，目前持續推進(jìn)7納米以下先進(jìn)制程的大廠(chǎng)，全球僅剩下臺積電、三星與英特爾三家廠(chǎng)商。根據全球市場(chǎng)研究機構TrendForce集邦咨詢(xún)數據顯示，2024年第三季全球晶圓代工市場(chǎng)，臺積電以64.9%的市占率排名第一，而且較第二季的62.3%成長(cháng)2.6個(gè)百分點(diǎn)，顯示其在市場(chǎng)上的領(lǐng)
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傳英特爾拆分晶圓制造后與臺積電合作營(yíng)運
- 《華爾街日報》報道，英特爾正與臺積電討論成立合資企業(yè)，臺積電可能派遣工程師到英特爾晶圓廠(chǎng)幫助運作。英特爾可能拆分晶圓制造業(yè)務(wù)，與臺積電成立合資公司，共同經(jīng)營(yíng)，并希望取得美國政府補助。 先進(jìn)制程競爭，英特爾近年舉步維艱，一直落后臺積電和三星。 2024年12月英特爾前執行長(cháng)Pat Gelsinger退休，任職期間推動(dòng)大幅擴展英特爾美國芯片制造業(yè)務(wù)，并取得政府補助扭轉落后局面的計劃無(wú)以為繼。市場(chǎng)人士表示，因英特爾晶圓制造業(yè)務(wù)若有臺積電投資幫助，技術(shù)轉移、管理知識都可快速上軌道，美國也能保持自主性，英
- 關(guān)鍵字： 英特爾 晶圓制造 臺積電
受中國訂單激增推動(dòng)，消息稱(chēng)三星平澤晶圓代工全速復產(chǎn)
- 2 月 13 日消息，據韓國《亞洲日報》今日報道，三星電子晶圓代工（半導體委托生產(chǎn)）業(yè)務(wù)部近日解除對生產(chǎn)設備的“停機”狀態(tài)，并計劃最快于今年 6 月起，將位于平澤園區（P）的晶圓代工生產(chǎn)線(xiàn)運行率提升至最高水平。業(yè)內人士透露，此次恢復運行得益于三星電子系統 LSI 業(yè)務(wù)部智能手機應用處理器（AP）Exynos 相關(guān)訂單的增加以及中國加密貨幣“礦機”訂單的擴展，從而帶動(dòng)整體產(chǎn)能恢復。受去年訂單低迷影響，三星電子晶圓代工業(yè)務(wù)部曾為節約成本而實(shí)施“停機”措施，導致平澤園區 P2、P3 工廠(chǎng)約 50% 的 4 納米
- 關(guān)鍵字： 中國訂單 三星 平澤 晶圓代工
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