Intel、臺積電、三星激戰2nm!三巨頭先進(jìn)工藝制程進(jìn)度一覽
4月3日消息,日前舉辦的Vision 2025大會(huì )上,Intel正式宣布18A工藝制程技術(shù)已進(jìn)入風(fēng)險生產(chǎn)階段。預計今年下半年首發(fā)該工藝的Panther Lake處理器將進(jìn)行大批量生產(chǎn)。
本文引用地址:http://dyxdggzs.com/article/202504/468994.htm此舉為“四年五個(gè)節點(diǎn)(5N4Y)”計劃立下關(guān)鍵里程碑。按照Intel的愿景,18A將是其反超臺積電、重奪半導體工藝世界第一的關(guān)鍵節點(diǎn)。
值得關(guān)注的是,此為新任華人CEO陳立武接棒后首度公開(kāi)亮相,業(yè)界解讀Intel此舉在向臺積電、三星等競爭對手展示技術(shù)肌肉。
Intel 18A工藝將全球首次同時(shí)采用PowerVia背面供電和RibbonFET柵極環(huán)繞(GAA)晶體管技術(shù),臺積電則會(huì )在今年下半年2nm使用Nanosheet晶體管技術(shù)、2026年下半年導入超級電軌(Super Power Rail),2027年進(jìn)行1.4nm風(fēng)險性試產(chǎn)。
半導體從業(yè)者透露,若Intel 18A推進(jìn)順利,將會(huì )比臺積電2nm更早導入晶背供電技術(shù)。
至于三星,雖然最早導入GAAFET晶體管技術(shù),但良率始終未達量產(chǎn)水準。目前則主要關(guān)注三星自家Exynos 2600芯片,是否會(huì )在5月投入生產(chǎn)。
不過(guò),三星預計2027年才會(huì )在SF2Z加上背面供電技術(shù),推進(jìn)上較競爭對手相對緩慢。
在三巨頭往2nm前進(jìn)之際,日本Rapidus也不容小覷。據悉,其北海道千歲市的2nm晶圓廠(chǎng)試產(chǎn)產(chǎn)線(xiàn)計劃將在本月啟用,瞄準2027年開(kāi)始量產(chǎn)。
綜合來(lái)看,臺積電在先進(jìn)工藝制程上有比較明顯的速度優(yōu)勢,Intel正在新CEO的帶領(lǐng)下奮起直追,成敗關(guān)鍵就看18A是否能如期量產(chǎn)達成目標。
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