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臺積電.晶圓代工
臺積電.晶圓代工 文章 進(jìn)入臺積電.晶圓代工技術(shù)社區
臺積電2nm良率提高6%：可為客戶(hù)節省數十億美元
- 臺積電將于明年下半年開(kāi)始量產(chǎn)其2nm（N2）制程工藝，目前臺積電正在盡最大努力完善該技術(shù)，以降低可變性和缺陷密度，從而提高良率。一位臺積電員工最近對外透露，該團隊已成功將N2測試芯片的良率提高了6%，為公司客戶(hù)“節省了數十億美元”。這位自稱(chēng) Kim 博士的臺積電員工沒(méi)有透露該代工廠(chǎng)是否提高了 SRAM 測試芯片或邏輯測試芯片的良率。需要指出的是，臺積電在今年1月份才開(kāi)始提供 2nm 技術(shù)的穿梭測試晶圓服務(wù)，因此其不太可能提高之前最終將以 2nm 制造的實(shí)際芯片原型的良率，所以應該是指目前最新的2nm技術(shù)的
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臺積電據稱(chēng)正與英偉達洽談 擬在亞利桑那州工廠(chǎng)生產(chǎn)Blackwell芯片
- 財聯(lián)社12月6日訊（編輯 夏軍雄）據媒體援引消息人士報道，臺積電正與英偉達洽談，計劃在其位于美國亞利桑那州的新工廠(chǎng)生產(chǎn)Blackwell人工智能（AI）芯片。作為全球最大的芯片制造商，臺積電計劃在美國亞利桑那州建立三座芯片工廠(chǎng)，該公司將獲得美國政府通過(guò)《芯片法案》提供的支持。美國政府上月宣布，將為臺積電提供最多66億美元補貼，外加最高可達50億美元的低息政府貸款，以及附帶條件的稅收優(yōu)惠政策。第一座工廠(chǎng)將于2025年上半年開(kāi)始投產(chǎn)，該工廠(chǎng)采用4納米制程技術(shù)。第二座工廠(chǎng)采用最先進(jìn)的2納米制程技術(shù)，其投產(chǎn)時(shí)間預
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TrendForce：2024Q3 全球前十大晶圓代工企業(yè)產(chǎn)值總和以 349 億美元創(chuàng )下新高
- 12 月 5 日消息，據 TrendForce 集邦咨詢(xún)今日報告，2024Q3 全球前十大晶圓代工企業(yè)產(chǎn)值總和達 348.69 億美元（IT之家備注：當前約 2536.62 億元人民幣），環(huán)比實(shí)現 9.1% 增長(cháng)的同時(shí)也創(chuàng )下了歷史新高。三季度全球前十晶圓代工企業(yè)排名順序并未發(fā)生變化，仍是臺積電、三星電子、中芯國際、聯(lián)華電子、格芯、華虹、高塔半導體、世界先進(jìn)、力積電與合肥晶合；此外在市場(chǎng)占比方面也僅有三強發(fā)生了超 0.1% 的變化?！?圖源 TrendForce 集邦咨詢(xún)其中臺積電受益于高定價(jià)的 3nm 制
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蘋(píng)果向臺積電訂購M5芯片 生產(chǎn)可能在2025年下半年開(kāi)始
- The Elec一份新的韓語(yǔ)報道稱(chēng)，隨著(zhù)臺積電開(kāi)始為未來(lái)的設備生產(chǎn)開(kāi)發(fā)下一代處理器，蘋(píng)果已向臺積電訂購了M5芯片。M5系列預計將采用增強的ARM架構，據報道將使用臺積電先進(jìn)的3納米工藝技術(shù)制造。蘋(píng)果決定放棄臺積電更先進(jìn)的2納米，據信主要是出于成本考慮。盡管如此，M5將比M4有顯著(zhù)的進(jìn)步，特別是通過(guò)采用臺積電的集成芯片系統(SOIC)技術(shù)。與傳統的2D設計相比，這種3D芯片堆疊方法增強了散熱管理并減少了漏電。據稱(chēng)，蘋(píng)果擴大了與臺積電在下一代混合SOIC封裝方面的合作，該封裝也結合了熱塑性碳纖維復合材料成型技
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臺積電2027年推出超大版CoWoS封裝，可放置12個(gè)HBM4堆棧
- 據媒體報道，日前，臺積電11月歐洲開(kāi)放創(chuàng )新平臺（OIP）論壇上宣布，其有望在2027年認證超大版本的CoWoS（晶圓上芯片）封裝技術(shù)，該技術(shù)將提供高達9個(gè)掩模尺寸的中介層尺寸和12個(gè)HBM4內存堆棧，推測它將在2027年至2028年被超高端AI處理器采用。據悉，這一全新封裝方法將解決性能要求最高的應用，并讓AI（人工智能）和HPC（高性能計算）芯片設計人員能夠構建手掌大小的處理器。報道稱(chēng)，完全希望采用臺積電先進(jìn)封裝方法的公司也能使用其系統級集成芯片（SoIC）先進(jìn)封裝技術(shù)垂直堆疊其邏輯，以進(jìn)一步提高晶體管
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臺積電將推出新CoWoS封裝技術(shù)：打造手掌大小高端芯片
- 11月28日消息，據報道，臺積電（TSMC）在其歐洲開(kāi)放創(chuàng )新平臺（OIP）論壇上宣布，正在按計劃對其超大版本的CoWoS封裝技術(shù)進(jìn)行認證。此項革新性技術(shù)核心亮點(diǎn)在于，它能夠支持多達9個(gè)光罩尺寸（Reticle Size）的中介層集成，并配備12個(gè)高性能的HBM4內存堆棧，專(zhuān)為滿(mǎn)足最嚴苛的性能需求而生。然而，超大版CoWoS封裝技術(shù)的實(shí)現之路并非坦途。具體而言，即便是5.5個(gè)光罩尺寸的配置，也需仰賴(lài)超過(guò)100 x 100毫米的基板面積，這一尺寸已逼近OAM 2.0標準尺寸的上限（102 x 165m
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臺積電前董事長(cháng)稱(chēng)“技術(shù)移美，將損失幾百億”，臺媒：?jiǎn)?wèn)題是能躲得掉嗎？
- 【環(huán)球時(shí)報特約記者 陳立非】美國當選總統特朗普即將上任，外界關(guān)注美國可能要求臺積電加速將2納米以下先進(jìn)制程在美落地生產(chǎn)。臺積電前董事長(cháng)劉德音首次稱(chēng)，如果臺積電最先進(jìn)的技術(shù)到美國生產(chǎn)，可能會(huì )賠上幾百億美元，引發(fā)島內高度關(guān)注。首次提出相關(guān)說(shuō)法據臺灣《經(jīng)濟日報》報道，“特朗普2.0時(shí)代”即將來(lái)臨，臺灣工商協(xié)進(jìn)會(huì )理事長(cháng)吳東亮26日在一場(chǎng)活動(dòng)上稱(chēng)，“臺積電去投資更是重要，這也凸顯一件事情，就是臺積電跟美國的科技產(chǎn)業(yè)絕對是合作，不是惡性競爭”。他認為，臺積電沒(méi)有搶美國生意，因為半導體設計還是以美國為主，臺積電只做制造
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臺積電 1.6nm，2026 年量產(chǎn)
- 臺積電表示，先進(jìn)工藝的開(kāi)發(fā)正按路線(xiàn)圖推進(jìn)，未來(lái)幾年基本保持不變。
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斷供7nm芯片后！臺積電：想要在中美半導體之間保持中立不現實(shí)
- 11月27日消息，據國外媒體報道稱(chēng)，在美國的要求下，臺積電從本月11日開(kāi)始停止向中國大陸客戶(hù)供應7納米及更先進(jìn)工藝的AI芯片。這一出口限制措施主要針對用于人工智能加速器以及圖形處理單元（GPU）的芯片。報道稱(chēng)，美商務(wù)部的這封信函允許美國繞過(guò)相關(guān)規則制定過(guò)程，迅速對特定公司實(shí)施新的許可要求。幾周前，臺積電通知美國商務(wù)部，其產(chǎn)品被發(fā)現安裝在大陸一家廠(chǎng)商的產(chǎn)品中，這可能違反了美國對該廠(chǎng)商的出口限制措施。對此，相關(guān)專(zhuān)家表示，該事件反映了臺積電在與大陸有關(guān)的運營(yíng)決策上，仍然沒(méi)有獨立決策能力。隨著(zhù)臺積電在美國建廠(chǎng)，其
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臺積電2nm制程設計平臺準備就緒，預計明年末開(kāi)始量產(chǎn)
- 在歐洲開(kāi)放創(chuàng )新平臺（OIP）論壇上，臺積電表示電子設計自動(dòng)化（EDA）工具和第三方IP模塊已為性能增強型N2P/N2X制程技術(shù)做好準備。目前，Cadence和Synopsys的所有主要工具以及Siemens EDA和Ansys的仿真和電遷移工具，都已經(jīng)通過(guò)N2P工藝開(kāi)發(fā)套件（PDK）版本0.9的認證，該版本PDK被認為足夠成熟。這意味著(zhù)各種芯片設計廠(chǎng)商現在可以基于臺積電第二代2nm制程節點(diǎn)開(kāi)發(fā)芯片。據悉，臺積電計劃在2025年末開(kāi)始大規模量產(chǎn)N2工藝，同時(shí)A16工藝計劃在2026年末開(kāi)始投產(chǎn)。臺積電N2系
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臺積電A16工藝將于2026年量產(chǎn)
- 近日，臺積電（TSMC）在其歐洲開(kāi)放創(chuàng )新平臺（OIP）論壇上宣布，準備在2025年末開(kāi)始大規模量產(chǎn)N2工藝，同時(shí)A16（1.6nm級）工藝技術(shù)的首批芯片計劃在2026年末開(kāi)始投產(chǎn)。臺積電表示，目前先進(jìn)工藝的開(kāi)發(fā)正在按路線(xiàn)圖推進(jìn)，預計未來(lái)幾年基本保持不變。據悉，A16將結合臺積電的超級電軌（Super Power Rail）架構，也就是背部供電技術(shù)?？梢栽谡驷尫懦龈嗟牟季挚臻g，提升邏輯密度和效能，適用于具有復雜訊號及密集供電網(wǎng)絡(luò )的高性能計算（HPC）產(chǎn)品。相比于N2P工藝，A16在相同工作電壓下速度快了
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臺積傳首度打造先進(jìn)封裝專(zhuān)區
- 據臺媒報道，日前，臺積電傳出已在南科圈地30公頃，首度打造“先進(jìn)供應鏈專(zhuān)區”，而并非為了增建新廠(chǎng)。消息稱(chēng)，該專(zhuān)區將以先進(jìn)封裝為主，全力支持未來(lái)嘉義廠(chǎng)（AP7）與臺南廠(chǎng)（AP8）的CoWoS/SoIC產(chǎn)能。臺積電曾表示，其CoWoS是AI革命的關(guān)鍵推動(dòng)技術(shù)，讓客戶(hù)能夠在單一中介層上并排放置更多的處理器核心及HBM。同時(shí)SoIC也成為3D芯片堆疊的領(lǐng)先解決方案，客戶(hù)愈發(fā)趨向采用CoWoS搭配SoIC及其他元件的做法，以實(shí)現最終的系統級封裝（System in Package; SiP）整合。臺積電董事長(cháng)魏哲家
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臺積電曾害慘英偉達！張忠謀昔赴美與黃仁勛和解內幕曝光
- 臺積電創(chuàng )辦人張忠謀在即將上市的自傳下冊透露，與大客戶(hù)英偉達曾因40納米初期生產(chǎn)問(wèn)題，導致英偉達遭受?chē)乐負p失，后來(lái)張忠謀親自飛往硅谷，與英偉達執行長(cháng)黃仁勛吃披薩晚餐，吃完飯后兩人到書(shū)房談話(huà)，張提出上億美元的賠償金建議方案，成功化解兩公司的爭端。張忠謀自傳下冊將在11月29日上市，綜合媒體報導，天下文化提前曝光內容指出，其中有章節寫(xiě)到張忠謀如何在2009年7月解決與英偉達的爭議細節。張忠謀透露，英偉達曾因臺積電40納米初期生產(chǎn)問(wèn)題遭受?chē)乐負p失，這項爭議是他重回臺積電擔任執行長(cháng)一年前就發(fā)生，但一直沒(méi)有解決。他在
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采用臺積電秘密武器！傳iPhone 17 Air史上最薄 比16更有噱頭
- 蘋(píng)果今年9月推出iPhone 16系列，因缺乏特色銷(xiāo)量不如預期，有關(guān)iPhone 17系列的傳言已滿(mǎn)天飛，最新消息指出，蘋(píng)果計劃推出超薄新機iPhone 17 Air，厚度只有約6毫米，是有史以來(lái)最薄的iPhone，將采用臺積電第三代3奈米制程（N3P）制造。根據macrumor報導，分析師Jeff Pu預測，蘋(píng)果即將推出的iPhone 17系列將搭載全新一代A19芯片，標準機型iPhone 17和iPhone 17 Air預計采用A19芯片，iPhone 17 Pro 和iPhone 17 Pro Ma
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iPhone 17全系無(wú)緣臺積電2nm工藝制程
- 對于iPhone 17系列將搭載的芯片將是由臺積電第三代3nm制程工藝，也就是由N3P制程工藝代工的A19和A19 Pro，iPhone 17和iPhone 17 Air搭載A19芯片，iPhone 17 Pro和iPhone 17 Pro Max搭載A19 Pro芯片。這也意味著(zhù)iPhone 17系列無(wú)緣臺積電最新的2nm工藝制程，蘋(píng)果最快會(huì )在iPhone 18系列上引入臺積電2nm制程。資料顯示，臺積電2nm（N2）工藝最快會(huì )在2025年推出，臺積電CEO魏哲家在近幾個(gè)季度的財報分析師電話(huà)會(huì )議上表示2
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臺積電.晶圓代工介紹
您好，目前還沒(méi)有人創(chuàng )建詞條臺積電.晶圓代工!
歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對臺積電.晶圓代工的理解，并與今后在此搜索臺積電.晶圓代工的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
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