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EUV微影前進(jìn)7nm制程，5nm仍存在挑戰
- EUV微影技術(shù)將在未來(lái)幾年內導入10奈米(nm)和7nm制程節點(diǎn)。 不過(guò)，根據日前在美國加州舉辦的ISS 2018上所發(fā)布的分析顯示，實(shí)現5nm芯片所需的光阻劑仍存在挑戰。 極紫外光(extreme ultraviolet;EUV)微影技術(shù)將在未來(lái)幾年內導入10奈米(nm)和7nm制程節點(diǎn)。 不過(guò)，根據日前在美國加州舉辦的年度產(chǎn)業(yè)策略研討會(huì )(Industry Strategy Symposium;ISS 2018)所發(fā)布的分析顯示，實(shí)現5nm芯片所需的光阻劑(photoresist)仍存在挑戰。
- 關(guān)鍵字： EUV 7nm
4nm大戰,三星搶先導入將EUV,研發(fā)GAAFET
- 晶圓代工之戰，7nm制程預料由臺積電勝出，4nm之戰仍在激烈廝殺。 Android Authority報道稱(chēng)，三星電子搶先使用極紫外光(EUV)微影設備，又投入研發(fā)能取代「鰭式場(chǎng)效晶體管」(FinFET)的新技術(shù)，目前看來(lái)似乎較占上風(fēng)。 Android Authority報導，制程不斷微縮，傳統微影技術(shù)來(lái)到極限，無(wú)法解決更精密的曝光顯像需求，必須改用波長(cháng)更短的EUV， 才能準確刻蝕電路圖。 5nm以下制程，EUV是必備工具。 三星明年生產(chǎn)7nm時(shí)，就會(huì )率先采用EUV，這有如讓三星在6nm以下的競
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EUV或將決定半導體產(chǎn)業(yè)方向，通快加緊布局
- 近日，TRUMPF公司CTO及股東Peter Leibinger在談到令人著(zhù)迷的激光創(chuàng )新時(shí)重點(diǎn)提及極紫外光刻，也就是我們常說(shuō)的EUV。他認為，EUV令人著(zhù)迷的原因是其極富挑戰性及對世界的重要影響。 Peter Leibinger “如果我們無(wú)法實(shí)現EUV突破，摩爾定律將失效” Peter Leibinger表示：“其影響范圍不僅僅是芯片行業(yè)，智能手機產(chǎn)業(yè)乃至整個(gè)電子裝備產(chǎn)業(yè)都將改變運作方式。” 什么是EUV? 極紫外光刻(Ex
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EUV面臨的問(wèn)題和權衡
- 新的光刻工具將在5nm需要，但薄膜，阻抗和正常運行時(shí)間仍然存在問(wèn)題。 Momentum正在應用于極紫外(EUV)光刻技術(shù)，但這個(gè)談及很久的技術(shù)可以用于批量生產(chǎn)之前，仍然有一些主要的挑戰要解決。 EUV光刻技術(shù) - 即將在芯片上繪制微小特征的下一代技術(shù) – 原來(lái)是預計在2012年左右投產(chǎn)。但是幾年過(guò)去了，EUV已經(jīng)遇到了一些延遲，將技術(shù)從一個(gè)節點(diǎn)推向下一個(gè)階段。 如今，GlobalFoundries，英特爾，三星和臺積電相互競爭，將EUV光刻插入到7nm和/或5nm的大容量
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Brewer Science 為領(lǐng)先制造廠(chǎng)商提供關(guān)鍵性的半導體材料
- Brewer Science, Inc. 很榮幸宣布參加 2017 年的 SEMICON Taiwan。公司將與業(yè)界同仁交流臺灣半導體制造趨勢的見(jiàn)解，內容涵蓋前端和后端的材料，以及次世代制造的流程步驟?！ 〗袢盏南M性電子產(chǎn)品、網(wǎng)絡(luò )、高效能運算 (HPC) 和汽車(chē)應用皆依賴(lài)封裝為小型尺寸的半導體裝置，其提供更多效能與功能，同時(shí)產(chǎn)熱更少且操作時(shí)更省電。透過(guò)摩爾定律推動(dòng)前端流程開(kāi)發(fā)，領(lǐng)先的代工和整合組件制造商(IDM
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張忠謀：臺積電南京廠(chǎng)明年下半量產(chǎn)
- 臺積電(2330)南京廠(chǎng)今日上午正式舉行進(jìn)機典禮，由董事長(cháng)張忠謀親自主持，大陸中央及地方貴賓云集，顯示對臺積電南京投資案重視。 海思及聯(lián)發(fā)科將是首批客戶(hù) 張忠謀表示，大陸集成電路在中國制造，臺積電可助一臂之力。 南京廠(chǎng)預計2018年下半年量產(chǎn)，陸媒預估中國海思及聯(lián)發(fā)科(2454)將是首批客戶(hù)。 工程師已陸續由臺灣進(jìn)駐 今年上半年臺積電工程師已經(jīng)陸續由臺灣進(jìn)駐南京廠(chǎng)協(xié)助建廠(chǎng)事宜，8月16奈米大型機臺陸續透過(guò)華航包機，由臺灣運往南京祿口機場(chǎng)，而南京市政府為了迎接重量級貴賓，加快浦口
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臺積30周年：半導體八巨頭將同臺，庫克沒(méi)來(lái)
- 晶圓代工龍頭臺積電將在今年10月23日盛大舉辦「臺積公司30周年慶」論壇，以及于國家音樂(lè )廳舉辦音樂(lè )會(huì )。 臺積電30周年慶活動(dòng)將由當天下午舉行的半導體論壇揭開(kāi)序幕，由董事長(cháng)張忠謀親自主持，將邀請包括高通、博通、輝達(NVIDIA)、ADI、ASML、ARM、蘋(píng)果等重量級客戶(hù)及合作伙伴， 與張忠謀一起暢談半導體產(chǎn)業(yè)未來(lái)10年展望。 臺積電今年歡度30周年，活動(dòng)當天將盛大舉辦「臺積公司30周年慶」論壇，由董事長(cháng)張忠謀親自主持，與談人包括了NVIDIA執行長(cháng)黃仁勛、高通執行長(cháng)Steve Mollenko
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KLA-Tencor宣布推出針對光學(xué)和EUV 空白光罩的全新FlashScanTM產(chǎn)品線(xiàn)
- 今天，KLA-Tencor公司宣布推出全新的FlashScanTM空白光罩*檢測產(chǎn)品線(xiàn)。自從1978年公司推出第一臺檢測系統以來(lái)，KLA-Tencor一直是圖案光罩檢測的主要供應商，新的FlashScan產(chǎn)品線(xiàn)宣告公司進(jìn)入專(zhuān)用空白光罩的檢驗市場(chǎng)。光罩坯件制造商需要針對空白光罩的檢測系統，用于工藝開(kāi)發(fā)和批量生產(chǎn)過(guò)程中的缺陷檢測，此外，光罩制造商(“光罩廠(chǎng)”)為了進(jìn)行光罩原料檢測，設備監控和進(jìn)程控制也需要購買(mǎi)該檢測系統。 FlashScan系統可以檢查針對光學(xué)或極紫外(EUV)光刻的空白光罩?！?/li>
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首先采用EUV光刻工藝 三星半導體代工優(yōu)劣勢分析
- 張忠謀曾比喻說(shuō)：“三星是一只700磅的大猩猩”，表示它十分強悍。然而在現階段的代工業(yè)中三星尚是“新進(jìn)者”，需要時(shí)間的積累。 01、引言 據IC Insight公布的今年Q2數據，三星半導體依158億美元，同比增長(cháng)46.5%，超過(guò)英特爾而居首。 全球半導體三足鼎立，英特爾、臺積電、三星各霸一方，近期內此種態(tài)勢恐怕難以有大的改變，但是一定會(huì )此消彼長(cháng)，無(wú)論哪家在各自領(lǐng)域內都面臨成長(cháng)的煩惱。 然而在三家之中三星謀求改變的勢頭最猛，而臺積電
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EUV在手天下我有 ASML二季度表現亮眼
- 全球最大芯片光刻設備市場(chǎng)供貨商阿斯麥(ASML)近日公布2017第二季財報。ASML第二季營(yíng)收凈額21億歐元，毛利率為45%。在第二季新增8臺EUV系統訂單，讓EUV光刻系統的未出貨訂單累積到27臺，總值高達28億歐元。 預估2017第三季營(yíng)收凈額約為22億歐元，毛利率約為43%。因為市場(chǎng)需求和第二季的強勁財務(wù)表現，ASML預估2017全年營(yíng)收成長(cháng)可達25%。 ASML總裁暨執行長(cháng)溫彼得指出:“ASML今年的主要營(yíng)收貢獻來(lái)自?xún)却嫘酒蛻?hù)，尤其在DRAM市場(chǎng)需求的驅動(dòng)下，這部分的
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三星領(lǐng)先臺積電引入7納米EUV技術(shù)，今年代工市場(chǎng)欲超車(chē)聯(lián)電
- 據日經(jīng)中文網(wǎng)報道，7月11日，韓國三星電子在首爾舉行的說(shuō)明會(huì )上，向客戶(hù)等各方介紹了半導體代工業(yè)務(wù)的技術(shù)戰略。新一代7納米半導體將采用最尖端的制造技術(shù)，從2018年開(kāi)始量產(chǎn)。此次說(shuō)明會(huì )上，三星展示了發(fā)展藍圖，記載了決定性能好壞的電路線(xiàn)寬的微細化進(jìn)程。三星表示，采用“極紫外光刻(EUV光刻)”新技術(shù)的7納米產(chǎn)品計劃從2018年開(kāi)始接單，5納米產(chǎn)品和4納米產(chǎn)品分別將從2019年和2020年開(kāi)始接單。EUV能大幅提高電路形成工序的效率，7納米以下的產(chǎn)品曾被認為難以實(shí)現商用化，而EUV是
- 關(guān)鍵字： 三星 EUV
延續摩爾定律 EUV技術(shù)角色關(guān)鍵
- 臺積電已宣布將在2018年第二代7奈米制程中開(kāi)始導入EUV微影技術(shù)，以做為5奈米全面采用EUV的先期準備。 盡管目前EUV設備曝光速度仍不如期待且價(jià)格極為高昂，但與采用雙重或多重曝光技術(shù)相比，EUV的投資對解決先進(jìn)制程不斷攀升的成本問(wèn)題仍是相對有力的解決方案。 每一季的臺積電法說(shuō)會(huì )上，張忠謀董事長(cháng)或是共同執行長(cháng)對于極紫外光(Extreme Ultraviolet, EUV)的發(fā)展進(jìn)度必會(huì )對臺下觀(guān)眾做一專(zhuān)門(mén)的報告，法人代表對于EUV的導入時(shí)程亦表示高度興趣。 到底EUV的發(fā)展對于臺積電未來(lái)發(fā)展甚至
- 關(guān)鍵字： 摩爾定律 EUV
nxe:3800e euv介紹
您好，目前還沒(méi)有人創(chuàng )建詞條nxe:3800e euv!
歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對nxe:3800e euv的理解，并與今后在此搜索nxe:3800e euv的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
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