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全球半導體代工業(yè)正孕育惡戰
- 5月7日消息，全球代工市場(chǎng)規模繼2011年增長(cháng)7%，達328億美元之后，2012年再度增長(cháng)16%，達到393億美元，預計2013年還將有14%的增長(cháng)。 臺積電與英特爾以前是“河水不犯井水”，但是隨著(zhù)英特爾開(kāi)始接受Altera的14nm FPGA訂單，明顯在與臺積電搶單，兩大半導體巨頭開(kāi)始出現較為明顯的碰撞。目前，臺積電已誓言將加速發(fā)展先進(jìn)制程技術(shù)，希望在10nm附近全面趕上英特爾。 而另一家代工廠(chǎng)格羅方德近日也發(fā)出聲音，要在兩年內，在工藝制程方面趕上臺積電。
- 關(guān)鍵字： 半導體代工 EUV
Intel：14nm進(jìn)展順利 一兩年后量產(chǎn)
- Intel CTO Justin Rattner近日對外披露說(shuō)，Intel 14nm工藝的研發(fā)正在按計劃順利進(jìn)行，會(huì )在一到兩年內投入量產(chǎn)。 2013年底，Intel將完成P1272 14nm CPU、P1273 14nm SoC兩項新工藝的開(kāi)發(fā)，并為其投產(chǎn)擴大對俄勒岡州Fab D1X、亞利桑那州Fab 42、愛(ài)爾蘭Fab 24等晶圓廠(chǎng)的投資，因此量產(chǎn)要等到2014年了。 而從2015年開(kāi)始，Intel又會(huì )陸續進(jìn)入10nm、7nm、5nm等更新工藝節點(diǎn)。 Rattner指出，Intel
- 關(guān)鍵字： Intel 晶圓 EUV
MIT研究顯示電子束光刻可達9納米精度
- 美國麻省理工學(xué)院(MIT)的研究人員日前發(fā)表的一項研究成果顯示，電子束“光刻”精度可以小到9納米的范圍，刷新了以前一項精度為25納米的結果，這一進(jìn)展有可能為電子束“光刻”和EUV(超紫外)光刻技術(shù)展開(kāi)競爭提供了動(dòng)力。盡管EUV光刻技術(shù)目前在商業(yè)化方面領(lǐng)先一步，有可能在22納米以下的工藝生產(chǎn)中取代目前使用的浸末式光刻技術(shù)，但EUV光刻還面臨一些棘手的問(wèn)題，如強光源和光掩膜保護膜等，而采用電子束“光刻”則不會(huì )存在這些問(wèn)題。
- 關(guān)鍵字： 光刻 EUV
光源問(wèn)題仍是EUV光刻技術(shù)中的難題
- GlobalFoundries公司的光刻技術(shù)專(zhuān)家Obert Wood在最近召開(kāi)的高級半導體制造技術(shù)會(huì )議ASMC2011上表示，盡管業(yè)界在改善EUV光刻機用光源技術(shù)方面取得了一定成效，但光源問(wèn)題仍是EUV光刻技術(shù)成熟過(guò)程中最“忐忑”的因素。
- 關(guān)鍵字： GlobalFoundries EUV
通向14/15nm節點(diǎn)的技術(shù)挑戰
- 當半導體業(yè)準備進(jìn)入14/15nm節點(diǎn)時(shí)，將面臨眾多的技術(shù)挑戰 對于邏輯電路，STMicro的Thomas Skotnicki認為傳統的CMOS制造工藝方法己不再適用。因為當器件的尺寸持續縮小時(shí)，由于己達極限許多缺陷顯現。按IBM技術(shù)經(jīng)理Mukesh Khare看法，如柵氧化層的厚度Tox再縮小有困難。另外，除非采用其它方法，因為隨著(zhù)互連銅線(xiàn)的尺寸縮小銅線(xiàn)的電阻增大及通孔的電阻增大也是另一個(gè)挑戰。
- 關(guān)鍵字： EUV 節點(diǎn)技術(shù)
GlobalFoundries投入EUV技術(shù) 4年后量產(chǎn)
- 繼晶圓代工大廠(chǎng)臺積電宣布跨入深紫外光(EUV)微影技術(shù)后，全球晶圓(Global Foundries)也在美國時(shí)間14日于SEMICON West展會(huì )中宣布，投入EUV微影技術(shù)，預計于2012年下半將機臺導入位于美國紐約的12寸晶圓廠(chǎng)(Fab 8)，將于2014~2015年間正式量產(chǎn)。 由于浸潤式微影(Immersion Lithography)機臺與雙重曝光(double-patterning)技術(shù)，讓微影技術(shù)得以發(fā)展至2x奈米，不過(guò)浸潤式微影機臺采用的是 193nm波長(cháng)的光源，走到22奈米已
- 關(guān)鍵字： 臺積電 EUV 晶圓代工
英特爾認為浸入式光刻能延伸到11納米
- 英特爾的先進(jìn)光刻和制造部的Yan Borodovsky表明,英特爾希望EUV或者無(wú)掩模電子束光刻能作為193納米浸入式光刻在11納米的后補者,并聲稱(chēng)11納米可能發(fā)生在2015年。 Borodovsky表示193nm浸入式光刻技術(shù)可能延伸到分別在2011和2013年的22nm及16nm 中。 在Nikon的年會(huì )上許多其它的專(zhuān)家似乎對于EUV光刻也有相似的看法。如Nikon的光刻機設計部總經(jīng)理Masato Hamatani認為,當EUV達到所有的預定目標時(shí),進(jìn)入量產(chǎn)
- 關(guān)鍵字： 英特爾 11納米 EUV
半導體能支撐未來(lái)的發(fā)展
- 相比于2009年今年全球半導體業(yè)的態(tài)勢好了許多，但是仍有少部分人提出質(zhì)疑，2010年有那么好嗎?即具備條件了嗎? 在今年1月由SEMI主辦的工業(yè)策略年會(huì )上(ISS)，有些演講者表示一些擔憂(yōu)，認為雖然半導體業(yè)正在復蘇的路上，但是制造商們仍缺少激情，不肯繼續大幅的投資，以及不太愿意重新擴大招慕員工。 恐怕更大的擔心來(lái)自全球半導體業(yè)間的兼并與重組到來(lái)，以及產(chǎn)業(yè)能否支持得起22納米及以下技術(shù)的進(jìn)步。 IBS的CEO Handle Jones認為，雖然工業(yè)正在復蘇，但是在半導體業(yè)運營(yíng)中仍面臨成
- 關(guān)鍵字： ASML 半導體 EUV
臺積電取得ASML超紫外光微影設備以研發(fā)新世代工藝
- TSMC與荷蘭艾司摩爾(ASML)公司今日共同宣布，TSMC將取得ASML公司TWINSCAN™ NXE:3100 - 超紫外光(Extreme Ultra-violet，EUV)微影設備，是全球六個(gè)取得這項設備的客戶(hù)伙伴之一。 這項設備將安裝于TSMC的超大晶圓廠(chǎng)(GigaFab™)-臺積十二廠(chǎng)，用以發(fā)展新世代的工藝技術(shù)。TSMC也將成為全球第一個(gè)可以在自身晶圓廠(chǎng)發(fā)展超紫外光微影技術(shù)的專(zhuān)業(yè)集成電路制造服務(wù)業(yè)者。 相較于現行浸潤式微影技術(shù)以193納米波長(cháng)當作光源，超
- 關(guān)鍵字： 臺積電 EUV 微影設備 ASML
三項半導體新技術(shù)投入使用的時(shí)間將后延至2015-2016年
- 半導體技術(shù)市場(chǎng)權威分析公司IC Insights近日發(fā)布的報告顯示，按照他們的估計，450mm技術(shù)以及極紫外光刻技術(shù)(EUV)投入實(shí)用的時(shí)間點(diǎn)將再度后延。 據IC Insights預計，基于450mm技術(shù)的芯片廠(chǎng)需要到2015-2016年左右才有望開(kāi)始實(shí)用化建設--比預期的時(shí)間點(diǎn)后延了兩年左右。另外，預計16nm級別制程技術(shù)中也不會(huì )應用EUV光刻技術(shù)，這項技術(shù)會(huì )被后延到2015年，在13nm級別的工藝制程中投入實(shí)用。 另外一項較新的半導體制造技術(shù)，可用于制造3D堆疊式芯片的硅通孔技術(shù)(TS
- 關(guān)鍵字： EUV 光刻 450mm
EUV: 一場(chǎng)輸不起的賭局
- 2010年， ASML將有5臺最先進(jìn)的EUV設備整裝發(fā)往全球的5家客戶(hù)。業(yè)界傳言，最新的NXE3100系統將發(fā)送給3家頂級存儲器廠(chǎng)商和2家頂級邏輯廠(chǎng)商。EUV勝利的曙光正在向我們招手，雖然目前工程師們還在荷蘭Veldhoven專(zhuān)為EUV新建的大樓中忙碌，在設備出廠(chǎng)前，解決正在發(fā)生的問(wèn)題，并預測著(zhù)各種可能發(fā)生的問(wèn)題及解決方案。 人們談?wù)揈UV的各種技術(shù)問(wèn)題已歷時(shí)數年，因為其波長(cháng)較目前的193nm縮短10倍以上，EUV一直是通往22nm的實(shí)力派參賽選手之一。與此同時(shí)，延伸immersion技術(shù)，用其
- 關(guān)鍵字： ASML EUV 22nm
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