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三星公布全球首顆 7nm EUV 芯片——Exynos 9825

- Exynos 9825 將搭載于三星 Galaxy Note 10 系列手機中。
- 關(guān)鍵字: 三星 Exynos 9825 EUV 芯片
三星5nm EUV研發(fā)完成:功耗降低20%

- 在芯片代工領(lǐng)域,臺積電和三星是實(shí)力最強勁的兩大巨頭。不過(guò),最近幾年,臺積電的實(shí)力要更勝一籌,通過(guò)7nm工藝,臺積電拿到了蘋(píng)果、高通、AMD、比特大陸等多家的大訂單。而三星自家最新的Exynos 9820處理器,采用的則還是8nm工藝。今天,三星在官網(wǎng)上帶來(lái)了一個(gè)新消息,5nm EUV成功開(kāi)發(fā)完成。這對三星而言,算是一個(gè)里程碑式的成就。三星表示,與7nm相比,5nm FinFET工藝功耗降低了20%,性能提高了10%。需要說(shuō)明的是,三星的7nm工藝去年10月開(kāi)始宣布并初步生產(chǎn),今年年初實(shí)現量產(chǎn)。最近三星曝光
- 關(guān)鍵字: 三星 EUV 5nm
英特爾巨資升級美國D1X晶圓廠(chǎng),上馬7nm EUV工藝

- 12月中旬英特爾宣布擴建美國俄勒岡州以及以色列、愛(ài)爾蘭的晶圓廠(chǎng)產(chǎn)能。英特爾這次的產(chǎn)能擴張計劃有對應14nm的,但是并不是應急用的,也有面向未來(lái)工藝的,其中俄勒岡州的D1X晶圓廠(chǎng)第三期工程就是其中之一,未來(lái)英特爾的7nm EUV處理器會(huì )在這里生產(chǎn)?! ?018年下半年英特爾忽然出現了14nm產(chǎn)能不足的危機,這件事已經(jīng)影響了CPU、主板甚至整個(gè)PC行業(yè)的增長(cháng),官方也承認了14nm產(chǎn)能供應短缺,并表示已經(jīng)增加了額外的15億美元支出擴建產(chǎn)能。12月中旬英特爾宣布擴建美國俄勒岡州以及以色列、愛(ài)爾蘭的晶圓廠(chǎng)產(chǎn)
- 關(guān)鍵字: 英特爾 晶圓 EUV
EUV需求巨大!ASML最新財報顯示今年將出貨30臺
- 荷蘭當地時(shí)間1月23日,ASML發(fā)布了去(2018)年第四季度及全年的業(yè)績(jì)報告?! 蟾嬷赋?,去年第四季度凈銷(xiāo)售額為31億歐元,凈收入為7.88億歐元,毛利率為44.3%?! 【唧w來(lái)看,ASML指出,DUV光刻業(yè)務(wù)中,存儲客戶(hù)的需求使得TWINSCAN NXT:2000i保持著(zhù)持續增長(cháng)。同時(shí)ASML也提高了該產(chǎn)品的可靠性,據了解,上一代產(chǎn)品需要六個(gè)月才能達到高可靠性,而該產(chǎn)品僅用了兩個(gè)月?! ∪ツ耆?,ASML凈銷(xiāo)售額為109億歐元,凈收入為26億歐元?! ≈档米⒁獾氖?,ASML已與尼康簽署了諒解
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全面起底ASML的EUV光刻技術(shù)

- 用于高端邏輯半導體量產(chǎn)的EUV(Extreme Ultra-Violet,極紫外線(xiàn)光刻)曝光技術(shù)的未來(lái)藍圖逐漸“步入”我們的視野,從7nm階段的技術(shù)節點(diǎn)到今年(2019年,也是從今年開(kāi)始),每2年~3年一個(gè)階段向新的技術(shù)節點(diǎn)發(fā)展?! 「叨诉壿嫲雽w的技術(shù)節點(diǎn)和對應的EUV曝光技術(shù)的藍圖?! ∫簿褪钦f(shuō),在EUV曝光技術(shù)的開(kāi)發(fā)比較順利的情況下,5nm的量產(chǎn)日程時(shí)間會(huì )大約在2021年,3nm的量產(chǎn)時(shí)間大約在2023年。關(guān)于更先進(jìn)的2nm的技術(shù)節點(diǎn),還處于模糊階段,據預測,其量產(chǎn)時(shí)間最快也是在2026
- 關(guān)鍵字: ASML EUV
Imec與ASML聯(lián)手,EUV成主流技術(shù)工具

- 日前,有消息稱(chēng),比利時(shí)研究機構Imec和微影設備制造商ASML計劃成立一座聯(lián)合研究實(shí)驗室,共同探索在后3nm邏輯節點(diǎn)的奈米級元件制造藍圖。此次雙方這項合作是一項為期五年計劃的一部份,分為兩個(gè)階段: 首先是開(kāi)發(fā)并加速極紫外光(EUV)微影技術(shù)導入量產(chǎn),包括最新的EUV設備準備就緒?! ∑浯螌⒐餐剿飨乱淮邤抵悼讖?NA)的EUV微影技術(shù)潛力,以便能夠制造出更小型的奈米級元件,從而推動(dòng)3nm以后的半導體微縮?! O紫外光(EUV)微影技術(shù) EUV光刻也叫極紫外光刻,它以波長(cháng)為10-14 nm的極紫外
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