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泛林集團、Entegris 和 Gelest 攜手推進(jìn) EUV 干膜光刻膠技術(shù)的生態(tài)系統
- 泛林集團 (NASDAQ: LRCX)、Entegris, Inc. 和三菱化學(xué)集團旗下公司 Gelest, Inc, 于近日宣布了一項戰略合作，將為全球半導體制造商提供可靠的前體化學(xué)品，用于下一代半導體生產(chǎn)所需的、泛林突破性的極紫外 (EUV)干膜光刻膠創(chuàng )新技術(shù)。三方將合作對未來(lái)幾代邏輯和 DRAM 器件生產(chǎn)所使用的 EUV 干膜光刻膠技術(shù)進(jìn)行研發(fā)，這將有助于從機器學(xué)習和人工智能到移動(dòng)設備所有這些技術(shù)的實(shí)現。? ? ? ? ? ? ?
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卡脖子也沒(méi)用 國內廠(chǎng)商芯片新技術(shù)繞過(guò)EUV光刻機
- 毫無(wú)疑問(wèn)，如今國內芯片廠(chǎng)商面前最大的障礙就是EUV光刻機，不過(guò)EUV光刻機是研制先進(jìn)芯片的一條路徑，但并非唯一解。 對于國內廠(chǎng)商來(lái)說(shuō)，當前在3D NAND閃存的發(fā)展上，就因為不需要EUV機器，從而找到了技術(shù)追趕的機會(huì )。而在DRAM內存芯片領(lǐng)域，盡管三星、美光、SK海力士找到的答案都是EUV，可來(lái)自浙江海寧的芯盟則開(kāi)辟出繞過(guò)EUV光刻的新方案。芯盟科技CEO洪沨宣布基于HITOC技術(shù)的3D 4F2 DRAM架構問(wèn)世。他指出，基于HITOC技術(shù)所開(kāi)發(fā)的全新架構3D 4F2 DRA
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ASML 分享 High-NA EUV 光刻機最新進(jìn)展：目標 2024-2025 年進(jìn)廠(chǎng)
- 5 月 29 日消息，半導體行業(yè)花了十多年的時(shí)間來(lái)準備極紫外線(xiàn) (EUV) 光刻技術(shù)，而新的高數值孔徑 EUV 光刻（High-NA EUV）技術(shù)將會(huì )比這更快。目前，最先進(jìn)的芯片是 4/5 納米級工藝，下半年三星和臺積電還能量產(chǎn) 3nm 技術(shù)，而對于使用 ASML EUV 光刻技術(shù)的 Twinscan NXE:3400C 及類(lèi)似系統來(lái)說(shuō)，它們大都具有 0.33 NA（數值孔徑）的光學(xué)器件，可提供 13 nm 分辨率。目前來(lái)看，這種分辨率尺寸對于 7 nm / 6 nm 節點(diǎn) (36 nm ~ 38 nm)
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首發(fā)“4nm” EUV工藝！Intel 14代酷睿真身曝光：GPU堪比獨顯
- Intel的12代酷睿處理器去年就已經(jīng)發(fā)布，首次上了性能+能效的異構設計，今年的13代酷睿代號Raptor Lake，下半年發(fā)布，屬于12代的改進(jìn)版，明年的14代酷睿Meteor Lake則會(huì )大改，升級Intel 4工藝，也是Intel首個(gè)EUV工藝?！ ?4代酷睿的架構也會(huì )大改，第一次采用非單一芯片設計，彈性集成多個(gè)小芯片模塊，包括下一代混合架構CPU、tGPU核顯引擎、AI加速單元，而且功耗非常低?！ ?4代酷睿Meteor Lake也會(huì )是Intel酷睿系列中首個(gè)大量使用3D Foveros混合封
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應用材料推出運用EUV延展2D微縮與3D環(huán)繞閘極晶體管技術(shù)
- 半導體設備大廠(chǎng)應用材料推出多項創(chuàng )新技術(shù)，協(xié)助客戶(hù)運用極紫外光（EUV）持續進(jìn)行2D微縮，并展示業(yè)界最完整的次世代3D環(huán)繞閘極（Gate-All-Around，GAA）晶體管制造技術(shù)組合。芯片制造商正試圖透過(guò)兩個(gè)可相互搭配的途徑來(lái)增加未來(lái)幾年的晶體管密度。一種是依循傳統摩爾定律的2D微縮技術(shù)，使用EUV微影系統與材料工程以縮小線(xiàn)寬。另一種是使用設計技術(shù)優(yōu)化（DTCO）與3D技術(shù)，巧妙地藉由優(yōu)化邏輯單元布局來(lái)增加密度，而不需要改變微影間距。第二種方法需要使用晶背電源分配網(wǎng)絡(luò )與環(huán)繞閘極晶體管，隨著(zhù)傳統2D微縮技
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ASML公司開(kāi)撕美國？光源技術(shù)不是根源，不交付EUV光刻機另有原因
- ASML公司雖然是荷蘭企業(yè)，但不少網(wǎng)友都把ASML公司“美”化了，這里的“美”指的是美國。在華為遭遇到芯片封鎖之前，中國半導體企業(yè)就曾向ASML公司支付了定金，采購了一臺EUV光刻機。然而，ASML公司卻遲遲沒(méi)有發(fā)貨，這也引起了網(wǎng)友的各種猜疑。眾所周知，全世界只有ASML公司能夠生產(chǎn)EUV光刻機，而一部EUV光刻機上就有超過(guò)10w的精密零件，各方面的技術(shù)也是來(lái)自全世界各國的頂尖技術(shù)。所以ASML公司的光刻機一直是供不應求。但明明已經(jīng)收了定金，10億一部的EUV光刻機，ASML公司為何有生意不做呢？大部分的
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雪佛蘭Bolt EV/EUV在電池起火召回后終于宣布恢復生產(chǎn)
- 通用汽車(chē)(GM)已經(jīng)恢復了2022款雪佛蘭Bolt EV和EUV的生產(chǎn)，現在它們可以獲得新電池組的供應，而這些電池組應該不會(huì )有火災隱患。此前，雪佛蘭Bolt因潛在的電池火災而被召回，該次召回影響到了所有的車(chē)型，導致Bolt EV和EUV汽車(chē)的生產(chǎn)自去年8月起完全凍結?！拔覀兊哪繕耸腔謴筒⑻孤实卣f(shuō)超過(guò)業(yè)務(wù)指標，”雪佛蘭營(yíng)銷(xiāo)副總裁Steve Majoros在昨日的新聞電話(huà)會(huì )議上說(shuō)道。Bolt的復出計劃包括趕上新的2022款Bolt EV和EUV訂單（2023年的訂單將于7月開(kāi)始）、將在MLB開(kāi)幕日投放的新電視
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阿斯麥CEO：不賣(mài)EUV給中國大陸“是政府們的選擇”
- （原標題：光刻機巨頭阿斯麥CEO：不賣(mài)EUV給中國大陸“是政府們的選擇”）【文/觀(guān)察者網(wǎng) 呂棟】“這不是我們的選擇，而是政府們（《瓦森納協(xié)定》成員國）的選擇?！比涨?，荷蘭光刻機巨頭阿斯麥CEO溫彼得再次就向中國大陸出口EUV光刻機一事解釋道。他今年1月曾表示，中國不太可能獨立復制出（replicate）頂尖的光刻技術(shù)，但也別那么絕對，“他們肯定會(huì )嘗試”。觀(guān)察者網(wǎng)注意到，由于最先進(jìn)的EUV設備無(wú)法向中國大陸出口，溫彼得自2021年以來(lái)曾多次發(fā)聲。2021年4月，他曾喊話(huà)美國政府，對華出口管制不僅不能阻礙中國
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ASML：努力向中國提供一切能夠提供的技術(shù)
- 芯片行業(yè)一直是困擾全球的“卡脖子”領(lǐng)域，而其中核心的光刻機技術(shù)被幾家公司牢牢的攥在手里。想要在芯片領(lǐng)域有長(cháng)足的進(jìn)步，光刻機這種核心設備就要有所突破。而之前美國通過(guò)自身在全球市場(chǎng)的控制能力，通過(guò)修改法案等手段一直將光刻機設備和技術(shù)限制對中國進(jìn)行輸出。但近期光刻機頭部企業(yè)ASML則明確表態(tài)將會(huì )盡其所能向中國市場(chǎng)提供一切他們能夠提供的技術(shù)，其中DUV光刻機將會(huì )不需要認可許可即可向中方企業(yè)提供。ASML光刻機除此之外，ASML表示在當前法律框架之下，他們除了EUV光刻機無(wú)法向中方企業(yè)提供，其他產(chǎn)品都可以正常發(fā)售。
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單臺1.5億美元 ASML制造新一代EUV光刻機
- 據《連線(xiàn)》雜志報道，在美國康涅狄格州郊區的一間潔凈室中，ASML的工程師們正在為一臺單臺造價(jià)1.5億美元的新機器制造關(guān)鍵部件，該部件是新一代EUV系統的組成部分，會(huì )采用一些新技術(shù)來(lái)最大限度地減少其使用的光波長(cháng)，包括縮小芯片的特征尺寸并提升性能。ASML的工程師正在裝配系統組件（圖片來(lái)自ASML） 要知道，當前的EUV機器已經(jīng)像一輛公共汽車(chē)那么大，包含10萬(wàn)個(gè)零部件和兩公里長(cháng)的電纜，運輸這些組件需要40個(gè)貨運集裝箱、三架貨機和20輛卡車(chē)，能夠買(mǎi)得起這種設備的公
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阿斯麥的新一代EUV光刻機：造價(jià)1.5億美元 公共汽車(chē)大小
- 9月2日消息，荷蘭阿斯麥的新一代極紫外（EUV）光刻機每臺有公共汽車(chē)大小，造價(jià)1.5億美元。其前所未有的精度可以讓芯片上的元件尺寸在未來(lái)幾年繼續縮小?！ ≡谖挥诿绹的腋裰萁紖^的一間大型潔凈室里，工程師們已經(jīng)開(kāi)始為一臺機器制造關(guān)鍵部件，這臺機器有望讓芯片制造行業(yè)沿著(zhù)摩爾定律至少再走上10年時(shí)間?！ ∵@臺極紫外光刻機是由荷蘭阿斯麥公司制造的。阿斯麥于2017年推出世界上第一臺量產(chǎn)的極紫外光刻機，在芯片制造領(lǐng)域發(fā)揮著(zhù)至關(guān)重要的作用，已經(jīng)被用于制造iPhone手機芯片以及人工智能處理器等最先進(jìn)的芯片。阿斯
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美光確認EUV工藝DRAM 2024年量產(chǎn)：1γ節點(diǎn)導入
- 三星、SK海力士及美光確定未來(lái)會(huì )用EUV工藝，其中美光的EUV工藝內存在2024年量產(chǎn)。芯研所8月21日消息，CPU、GPU為代表的邏輯工藝制程進(jìn)入7nm之后，EUV光刻工藝不可或缺。目前內存停留在10nm工藝級別。三星、SK海力士及美光也確定未來(lái)會(huì )用EUV工藝，其中美光的EUV工藝內存在2024年量產(chǎn)。美光CEO Sanjay Mehrotra日前在采訪(fǎng)中確認，美光已將EUV技術(shù)納入DRAM技術(shù)藍圖，將由10nm世代中的1γ（gamma）工藝節點(diǎn)開(kāi)始導入。美光EUV工藝DRAM將會(huì )先在臺中A3廠(chǎng)生產(chǎn)，預
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EUV技術(shù)開(kāi)啟DRAM市場(chǎng)新賽程
- SK海力士公司在7月12日表示，本月已經(jīng)開(kāi)始生產(chǎn)10納米8Gb LPDDR4移動(dòng)DRAM —— 他們將在該內存芯片生產(chǎn)中應用極紫外（EUV）工藝，這是SK海力士首次在其DRAM生產(chǎn)中應用EUV。根據SK海力士的說(shuō)法，比起前一代規格的產(chǎn)品，第四代在一片晶圓上產(chǎn)出的DRAM數量增加了約25%，成本競爭力很高。新的芯片將在今年下半年開(kāi)始供應給智能手機制造商，并且還將在2022年初開(kāi)始生產(chǎn)的DDR5芯片中應用10納米EUV。世界第三大DRAM制造商SK海力士發(fā)布聲明，正式啟用EUV光刻機閃存內存芯片，批量生產(chǎn)采用
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nxe:3800e euv介紹
您好，目前還沒(méi)有人創(chuàng )建詞條nxe:3800e euv!
歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對nxe:3800e euv的理解，并與今后在此搜索nxe:3800e euv的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
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