Brewer Science 為領(lǐng)先制造廠(chǎng)商提供關(guān)鍵性的半導體材料

　　Brewer Science, Inc. 很榮幸宣布參加 2017 年的 SEMICON Taiwan。公司將與業(yè)界同仁交流臺灣半導體制造趨勢的見(jiàn)解，內容涵蓋前端和后端的材料，以及次世代制造的流程步驟。

　　今日的消費性電子產(chǎn)品、網(wǎng)絡(luò )、高效能運算 (HPC) 和汽車(chē)應用皆依賴(lài)封裝為小型尺寸的半導體裝置，其提供更多效能與功能，同時(shí)產(chǎn)熱更少且操作時(shí)更省電。透過(guò)摩爾定律推動(dòng)前端流程開(kāi)發(fā)，領(lǐng)先的代工和整合組件制造商(IDM) 持續不斷挑戰裝置大小的極限，從 7 納米邁向 3納米。同時(shí)，眾所期待由外包半導體組裝和測試 (OSAT) 公司開(kāi)發(fā)的創(chuàng )新先進(jìn)封裝方法，提供了另一種實(shí)現這些需求的強大方法。

　　Brewer Science 明白產(chǎn)業(yè)需要透過(guò)先進(jìn)節點(diǎn)邏輯和內存才能達到的高度運算能力，以及需要先進(jìn)封裝創(chuàng )新的異質(zhì)整合功能。公司已投資開(kāi)發(fā)專(zhuān)門(mén)材料和制程來(lái)支持這兩者，包括針對扇出型封裝 (FO) 和 3D IC 制程的健全暫時(shí)性貼合/剝離材料和制程的組合，到用于先進(jìn)微影制程的 EUV 和 DSA 材料。

　　臺灣的半導體制造產(chǎn)業(yè)致力于先進(jìn)節點(diǎn)微影，以及先進(jìn)晶圓級封裝的高量制造 (HVM)。此外，這個(gè)地區擁有強大的顯示器產(chǎn)業(yè)基礎設施，因此具備執行面板級進(jìn)階封裝制程的優(yōu)勢。

　　Brewer Science 總裁兼首席執行官 Terry Brewer 博士說(shuō)道：「臺灣的先進(jìn)代工、研究機構和 OSAT 一向被視為半導體制造的領(lǐng)導者。我們致力于支持臺灣從設備設計到高量制造的創(chuàng )新。透過(guò)先進(jìn)的材料組和制程，解決前端硅和后端先進(jìn)晶圓級封裝架構中的供應鏈需求?！?/p>

　　后端趨勢

　　有關(guān)晶圓和面板級的 FO 架構的討論，兩者皆主要著(zhù)重于系統級封裝和異質(zhì)整合應用的封裝領(lǐng)域。焦點(diǎn)在于已應用在生產(chǎn)上將近 9 年的芯片優(yōu)先方法，以及目標為更先進(jìn)架構的 RDL 優(yōu)先方法。兩者都必須在相同封裝中容納更多晶粒，但這會(huì )使得壓力增加并造成晶圓彎曲。因此在整個(gè)制程中需要暫時(shí)性載體支持。此外，雖然尚未納入制造中，OSAT 正在為 FO 面板級制程 (FO-PLP) 做準備。

　　采用這些方法引發(fā)了對雷射分離剝離方法的興趣，該方法適用于 RDL 優(yōu)先和 FO-PLP 的玻璃基板支持制程。Brewer Science 的最新一代剝離材料就是專(zhuān)為雷射分離而設計。

　　Brewer Science 副首席技術(shù)官 Jim Lamb 博士說(shuō)道，「在臺灣，我們正跟研究機構和 OSAT 密切合作，在 FO 的所有方法以及 2.5D 和 3D 整合架構中采用我們的晶圓級和面板級貼合材料?！?/p>

　　前端趨勢

　　現在領(lǐng)先的制造技術(shù)為 10 納米，尺寸在 10 納米以?xún)?，而且在不久的將?lái)也將實(shí)現極紫外線(xiàn) (EUV) 微影制程。許多公司已致力于發(fā)展超越 3 納米。

　　讓材料自行形成微影圖案的定向自組裝技術(shù) (DSA)，是輔助 EUV 的微影模式轉變。DSA 最適合具有多重、重復、普通精細間距特征的裝置，無(wú)需額外光罩即可達到 30 納米特征尺寸。EUV 可用于在晶圓上繪制分辨率較低的特征，并制作后續 DSA 沉積的間隔物。

　　Lamb 表示，「雖然仍在發(fā)展階段，不過(guò) DSA 目標是在兩年內準備好進(jìn)行生產(chǎn)。結合 DSA 和 EUV 共同為 IDM 和代工提供相輔相成的優(yōu)勢，以提升其制造能力。臺灣制造商正引領(lǐng)未來(lái)，努力不斷地擴展融合 DSA 和 EUV 的技術(shù)?！?/p>