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臺積電老將再出山 蔣尚義領(lǐng)命戰研發(fā)
- 不知是否是因為Global Foundries的步步威脅，臺積電28日宣布，延聘3年前離職的蔣尚義博士擔任研究發(fā)展資深副總經(jīng)理，他將直接對張忠謀董事長(cháng)負責。 這是繼張忠謀6月重新執政臺積電以來(lái)，又一次重大的人事調整。蔣尚義博士早在1997年即加入臺積電擔任研究發(fā)展副總經(jīng)理，帶領(lǐng)研發(fā)團隊一路順利開(kāi)發(fā)完成0.25微米、0.18微米、0.13微米、90納米、65納米等各個(gè)世代的先進(jìn)工藝技術(shù)，成果斐然。但是三年多前因為要照顧年邁生病的父親而暫時(shí)離開(kāi)，如今因父親仙逝而能再度回到臺積，相信蔣資深副總的回任，
- 關(guān)鍵字： 臺積電 40納米 HKMG EUV
EUV蓄勢待發(fā) Carl Zeiss向ASML出貨EUV光學(xué)系統
- 德國Carl Zeiss SMT AG已向半導體設備商ASML出貨首臺EUV光學(xué)系統。該公司已使EUV光學(xué)系統達到了生產(chǎn)要求。 光學(xué)系統是EUV設備的核心模塊，首臺EUV設備預計將在2010年出貨。幾周前，美國公司Cymer完成了EUV光源的開(kāi)發(fā)，EUV光源是EUV光刻設備另一個(gè)關(guān)鍵模塊。該技術(shù)將使芯片制造商進(jìn)一步縮小芯片的特征尺寸，提高生產(chǎn)效率。 據Carl Zeiss 介紹，目前出貨的光學(xué)系統已經(jīng)研發(fā)了約15年。
- 關(guān)鍵字： ASML EUV 光刻設備
EUV掩膜版清洗—Intel的解決之道
- 對于極紫外（EUV）光刻技術(shù)而言，掩膜版相關(guān)的一系列問(wèn)題是其發(fā)展道路上必須跨越的鴻溝，而在這些之中又以如何解決掩膜版表面多層抗反射膜的污染問(wèn)題最為關(guān)鍵。自然界中普遍存在的碳和氧元素對于EUV光線(xiàn)具有極強的吸收能力。在Texas州Austin召開(kāi)的表面預處理和清洗會(huì )議上，針對EUV掩膜版清洗方面遇到的問(wèn)題和挑戰，Intel Corp. (Santa Clara, Calif.)的Ted Liang主持召開(kāi)了一次內部討論，并在會(huì )上向與會(huì )的同仁報告了在這一領(lǐng)域Intel和Dai Nippon Printin
- 關(guān)鍵字： 光刻 EUV 掩膜 CMOS
22納米后EUV光刻還是電子束光刻？市場(chǎng)看法存分歧
- 浸潤式微顯影雙重曝光能進(jìn)一步延伸摩爾定律的壽命至32納米，不過(guò)，22納米以下究竟哪種技術(shù)得以出頭，爭議不斷。據了解，臺積電目前正積極研發(fā)22納米以下直寫(xiě)式多重電子束(MEBDW)方案，并已有具體成果，但積極推動(dòng)深紫外光(EUV)的ASML則表示，目前已有數家客戶(hù)下單，最快2009年便可出貨，但哪種技術(shù)最終將「一統江湖」，尚未有定論。 ASML表示，目前深紫外光EUV的光波波長(cháng)可達13.5納米，約是248波長(cháng)的KrF顯影設備的15分之1，盡管浸潤式顯
- 關(guān)鍵字： 消費電子 EUV 電子束 消費電子
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