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摩爾定律唯一規則:永遠不要說(shuō)不可能

  •   摩爾定律在過(guò)去52年中一直是“更小,更快,更便宜”的代名詞,但越來(lái)越多的人認為它只是諸多選擇之一,芯片行業(yè)開(kāi)始針對特定的市場(chǎng)需求進(jìn)行調整。   這并沒(méi)有使得摩爾定律失去意義。眾多行業(yè)人士透露,從16/14nm沖擊7nm的公司數量要多于直接沖擊16/14nm finFET的公司。但是,這種遷移也需要考慮到:   · 當代工廠(chǎng)利用16/14nm finFET進(jìn)行相同度量時(shí),節點(diǎn)命名在20nm之后就變得無(wú)意義。因此,對于10nm或7nm并沒(méi)有一致的定義。更有價(jià)值的數
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7nm爭奪戰即將打響 EUV是否夠成熟?

  • 在先進(jìn)制程方面,玩得起的顯然只剩寥寥可數的那幾個(gè)大玩家,7nm是一個(gè)重要的節點(diǎn)。
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KLA-Tencor 快速有效解決客戶(hù)良率問(wèn)題 與中國半導體行業(yè)一同成長(cháng)

  •   看好中國半導體行業(yè)未來(lái)持續的蓬勃發(fā)展,工藝控制與成品率管理解決方案提供商KLA-Tencor (科天)透過(guò)半導體檢測與量測技術(shù),以最快的速度及最有效的方式 ,幫助客戶(hù)解決在生產(chǎn)時(shí)面對的良率問(wèn)題。KLA-Tencor立志于幫助中國客戶(hù)一起提升良率,降低生產(chǎn)成本,提高生產(chǎn)效率,并與中國半導體行業(yè)一同成長(cháng)?! LA-Tencor中國區總裁張智安表示,KLA-Tencor成立至今40年,現于全球17國擁有6000多位員工。2016財年,KLA-Tencor營(yíng)收表現來(lái)到30億美元。從硅片檢
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半導體押寶EUV ASML突破瓶頸 預計2018年可用于量產(chǎn)

  •   摩爾定律(Moore’s Law)自1970年代左右問(wèn)世以來(lái),全球半導體產(chǎn)業(yè)均能朝此一定律規則前進(jìn)發(fā)展,過(guò)去數十年來(lái)包括光微影技術(shù)(Photolithography)等一系列制程技術(shù)持續的突破,才得以讓半導體產(chǎn)業(yè)能依照摩爾定律演進(jìn),進(jìn)而帶動(dòng)全球科技產(chǎn)業(yè)研發(fā)持續前進(jìn)。   但為延續產(chǎn)業(yè)良性發(fā)展,光是依賴(lài)于傳統微影技術(shù)仍不夠,因此芯片制造商也正在苦思試圖進(jìn)行一次重大且最具挑戰的變革,即發(fā)展所謂的“極紫外光”(EUV)微影技術(shù),該技術(shù)也成為臺積電、英特爾(Intel)等
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半導體產(chǎn)業(yè)中重要一環(huán) EUV光刻最新進(jìn)展如何

  •   ASML宣稱(chēng)它的Q2收到4臺EUV訂單,預期明年EUV發(fā)貨達10臺以上。   EUV光刻設備一再延遲,而最新消息可能在2020年時(shí)能進(jìn)入量產(chǎn),而非??赡軕迷?nm節點(diǎn)。   業(yè)界預測未來(lái)在1znm的存儲器生產(chǎn)中可能會(huì )有2層或者以上層會(huì )采用它,及在最先進(jìn)制程節點(diǎn)(7 or 5nm)的邏輯器件生產(chǎn)中可能會(huì )有6-9層會(huì )使用它。   ASML計劃2018年時(shí)它的EUV設備的產(chǎn)能再擴大一倍達到年產(chǎn)24臺,每臺售價(jià)約1億美元,目前芯片制造商己經(jīng)安裝了8臺,正在作各種測試。   半導體顧問(wèn)公司的分析師Ro
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重回摩爾定律兩大武器... EUV+三五族 成大勢所趨

  •   英特爾在14奈米及10奈米制程推進(jìn)出現延遲,已影響到處理器推出時(shí)程,也讓業(yè)界及市場(chǎng)質(zhì)疑:摩爾定律是否已達極限?不過(guò),英特爾仍積極尋求在7奈米時(shí)代重回摩爾定律的方法,其中兩大武器,分別是被視為重大微影技術(shù)世代交替的極紫外光(EUV),以及開(kāi)始采用包括砷化銦鎵(InGaAs)及磷化銦(InP)等三五族半導體材料。   摩爾定律能否持續走下去,主要關(guān)鍵在于微影技術(shù)難度愈來(lái)愈高。目前包括英特爾、臺積電、三星等大廠(chǎng),主要采用多重曝光(multi-patterning)的浸潤式微影(immersionlitho
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EUV微影技術(shù)準備好了嗎?

  •   又到了超紫外光(EUV)微影技術(shù)的關(guān)鍵時(shí)刻了??v觀(guān)整個(gè)半導體發(fā)展藍圖,研究人員在日前舉辦的IMEC技術(shù)論壇(ITF)上針對EUV微影提出了各種大大小小即將出現的挑戰。   到了下一代的10nm節點(diǎn),降低每電晶體成本將會(huì )變得十分棘手。更具挑戰性的是在7nm節點(diǎn)時(shí)導入EUV微影。更進(jìn)一步來(lái)看,當擴展到超越5nm節點(diǎn)時(shí)可能就需要一種全新的晶片技術(shù)了。   目前最迫在眉睫的是中期挑戰。如果長(cháng)久以來(lái)一直延遲的EUV微影系統未能在2017年早期就緒的話(huà),7nm制程將會(huì )成為一個(gè)昂貴的半節點(diǎn)。   不過(guò),研究人
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臺積電采購EUV 2018年或邁入7納米時(shí)代

  • 按照現在量產(chǎn)產(chǎn)品工藝進(jìn)展的速度,幾乎可以預見(jiàn)的是,2018年上7納米的愿望很美好,但是實(shí)際情況卻困難重重,幾乎是不太可能的事,即便在技術(shù)上能實(shí)現,在商業(yè)上來(lái)看也不能算是理性的選擇。
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2016年EUV降臨 半導體格局生變

  •  ASML公司第3代極紫外光(EUV)設備已出貨6臺。這預示著(zhù)預示了全球兩家頂級大廠(chǎng)未來(lái)采用EUV光刻技術(shù),在10nm的量產(chǎn)關(guān)鍵技術(shù)選項中幾乎同步,或者說(shuō)臺積電在10nm時(shí)順利趕上業(yè)界龍頭英特爾。
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EUV將在7納米節點(diǎn)發(fā)威?

  •   核心提示:荷蘭半導體設備大廠(chǎng) ASML 現在勉為其難地承認了其客戶(hù)私底下悄悄流傳了好一陣子的情況:大多數半導體廠(chǎng)商仍將采用傳統浸潤式微影技術(shù)來(lái)生產(chǎn)10奈米制程晶片,而非延遲許久的超紫外光微影(EUV)技術(shù);不過(guò)這恐怕將使得10奈米節點(diǎn)因為無(wú)法壓低每電晶體成本,而成為不受歡迎的制程。   荷蘭半導體設備大廠(chǎng) ASML 現在勉為其難地承認了其客戶(hù)私底下悄悄流傳了好一陣子的情況:大多數半導體廠(chǎng)商仍將采用傳統浸潤式微影技術(shù)來(lái)生產(chǎn)10奈米制程晶片,而非延遲許久的超紫外光微影(EUV)技術(shù);不過(guò)這恐怕將使得
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KLA-Tencor推出Teron? SL650 光罩檢測系統

  •   KLA-Tencor 公司(納斯達克股票代碼:KLAC)宣布推出 Teron? SL650,該產(chǎn)品是專(zhuān)為集成電路晶圓廠(chǎng)提供的一種新型光罩質(zhì)量控制解決方案,支持 20nm 及更小設計節點(diǎn)。Teron SL650 采用 193nm光源及多種 STARlight? 光學(xué)技術(shù),提供必要的靈敏度和靈活性,以評估新光罩的質(zhì)量,監控光罩退化,并檢測影響成品率的光罩缺陷,例如在有圖案區和無(wú)圖案區的晶體增長(cháng)或污染。此外,Teron SL650 擁有業(yè)界領(lǐng)先的產(chǎn)能,可支持更快的生產(chǎn)周期,以滿(mǎn)足檢驗
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EUV遭受新挫折 半導體10nm工藝步伐蹉跎

  • 當半導體工藝發(fā)展到10nm水平時(shí),傳統的光刻工藝將面臨前所未有的挑戰,所有經(jīng)典物理的規律在量子水平下都有可能失效,必須在硅材料之外尋找一種新的、實(shí)用的思路來(lái)進(jìn)一步延續集成電路的發(fā)展。
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EUV光刻技術(shù)或助力芯片突破摩爾定律

  •   據美國科技博客Business Insider報道,在近50年的科技發(fā)展中,技術(shù)變革的速度一直遵循著(zhù)摩爾定律。一次又一次的質(zhì)疑聲中,英特爾堅定不移地延續著(zhù)摩爾定律的魔力。   摩爾定律是由英特爾聯(lián)合創(chuàng )始人GordonMoore提出,內容為:當價(jià)格不變時(shí),集成電路上可容納的晶體管數目,約每隔18個(gè)月便會(huì )增加一倍,性能也將提升一倍。換言之,每一美元所能買(mǎi)到的電腦性能,將每隔18個(gè)月翻兩倍以上。這一定律揭示了信息技術(shù)進(jìn)步的速度。   在幾十年來(lái),芯片技術(shù)得以快速變革和發(fā)展,變得更加強大,節省了更
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ASML提升新EUV機臺技術(shù)生產(chǎn)效率

  •   微影設備大廠(chǎng)ASML積極提升極紫外線(xiàn)(EUV)機臺技術(shù)的生產(chǎn)效率,在2012年購并光源供應商Cymer后,大幅提升光源效率,從2009年至今光源效率分別為2009年2瓦、2010年5瓦、2011年10瓦,2012年提升至20瓦,目前已達55瓦,每小時(shí)晶圓產(chǎn)出片數為43片,預計2013年底前,可達到80瓦的目標,2015年達250瓦、每小時(shí)產(chǎn)出125片。   半導體生產(chǎn)進(jìn)入10納米后,雖然可采用多重浸潤式曝光方式,但在一片晶圓上要進(jìn)行多次的微影制程曝光,將導致生產(chǎn)流程拉長(cháng),成本會(huì )大幅墊高,半導體大廠(chǎng)為
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ASML:量產(chǎn)型EUV機臺2015年就位

  •   極紫外光(EUV)微影技術(shù)將于2015年突破量產(chǎn)瓶頸。傳統浸潤式微影技術(shù)在半導體制程邁入1x奈米節點(diǎn)后將面臨物理極限,遂使EUV成為產(chǎn)業(yè)明日之星。設備供應商艾司摩爾(ASML)已協(xié)同比利時(shí)微電子研究中心(IMEC)和重量級晶圓廠(chǎng),合力改良EUV光源功率與晶圓產(chǎn)出速度,預計2015年可發(fā)布首款量產(chǎn)型EUV機臺。   ASML亞太區技術(shù)行銷(xiāo)協(xié)理鄭國偉提到,ASML雖也同步投入E-Beam基礎研究,但目前對相關(guān)設備的開(kāi)發(fā)計劃仍抱持觀(guān)望態(tài)度。   ASML亞太區技術(shù)行銷(xiāo)協(xié)理鄭國偉表示,ASML于2012年
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