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臺積電重申1.4nm級工藝技術(shù)不需要高數值孔徑EUV
- 臺積電在阿姆斯特丹舉行的歐洲技術(shù)研討會(huì )上重申了其對下一代高數值孔徑 EUV 光刻工具的長(cháng)期立場(chǎng)。該公司的下一代工藝技術(shù)不需要這些最高端的光刻系統，包括 A16（1.6 納米級）和 A14（1.4 納米級）工藝技術(shù)。為此，TSMC 不會(huì )為這些節點(diǎn)采用 High-NA EUV 工具?！爱斉_積電使用 High-NA 時(shí)，人們似乎總是很感興趣，我認為我們的答案非常簡(jiǎn)單，”副聯(lián)席首席運營(yíng)官兼業(yè)務(wù)發(fā)展和全球銷(xiāo)售高級副總裁 Kevin Zhang 在活動(dòng)中說(shuō)?！懊慨斘覀兛吹?High-NA 將提供有意義、可衡
- 關(guān)鍵字： 臺積電 1.4nm 高數值孔徑 EUV
臺積電保持觀(guān)望 ASML最新EUV機臺只賣(mài)了5臺
- 荷蘭阿斯麥（ASML）全新機臺卻讓臺積電望之卻步！ 英媒指出，盡管阿斯麥最新一代的高數值孔徑（High-NA）極紫外光（EUV）微影設備性能強大，但因這款機臺單價(jià)高達4億美元，臺積電高層表示，目前「找不到非用不可的理由」，因此暫時(shí)沒(méi)有計畫(huà)在A(yíng)14及其后續制程中導入。路透27日報導，這款先進(jìn)機臺價(jià)格逼近4億美元，幾乎是晶圓廠(chǎng)現有最昂貴設備的兩倍。 目前，各家芯片制造商正在仔細評估，這款設備在曝光速度以及分辨率上面的提升，是否真的符合如此高昂的價(jià)格。臺積電技術(shù)開(kāi)發(fā)資深副總經(jīng)理張曉強表示，即便不使用High-N
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三星外包低端光掩模，將資源集中在A(yíng)rF和EUV上
- 據 The Elec 報道，三星計劃外包用于存儲芯片制造的光掩模的生產(chǎn)。到目前為止，該公司一直在內部生產(chǎn)所有光掩模，以防止技術(shù)泄漏。Elec 表示，據報道，三星正在評估低端光掩模的潛在供應商，例如 i-line 和 KrF。與此同時(shí)，消息人士稱(chēng)，三星計劃將 i-line 和 KrF 光掩模外包，以便將這些資源重新分配給 ArF 和 EUV。正如報告所強調的那樣，ArF 和 EUV 光掩模更先進(jìn)，將成為增強三星技術(shù)競爭力的關(guān)鍵。據 Business Korea 援引消
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三星被曝將首次外包芯片“光掩?！鄙a(chǎn)，聚焦ArF和EUV等先進(jìn)技術(shù)
- 5 月 14 日消息，光掩模（版）系生產(chǎn)集成電路所需之模具，是用于光致抗蝕劑涂層選擇性曝光的一種結構，其原理類(lèi)似于沖洗相片時(shí)利用底片將影像復制到相片上。韓國科技媒體 TheElec 今日報道稱(chēng)，三星電子正計劃將內存芯片制造所需的光掩模生產(chǎn)業(yè)務(wù)進(jìn)行外包。據稱(chēng)，目前三星已啟動(dòng)供應商評估流程，候選企業(yè)包括日本 Toppan 控股子公司 Tekscend Photomask 和美國 Photronics 旗下 PKL（注：廠(chǎng)址位于京畿道），評估結果預計第三季度公布。TheElec 報道稱(chēng)，三星準備將低端產(chǎn)品（i-
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ASML計劃在荷蘭大規模擴張，助力EUV設備交付
- 據荷蘭媒體報道，ASML計劃在2028年前將其員工遷入位于荷蘭埃因霍溫附近的全新Brainport產(chǎn)業(yè)園區。這一消息是在A(yíng)SML與埃因霍溫市政府官員共同介紹城市發(fā)展計劃初步草案時(shí)透露的。這一擴張計劃引發(fā)了全球晶圓制造行業(yè)的廣泛關(guān)注。據Tom's Hardware報道，臺積電、英特爾和三星電子等半導體巨頭或將從中受益。ASML的擴張如果能按計劃推進(jìn)，將有助于滿(mǎn)足全球對極紫外光（EUV）光刻設備的迫切需求，從而加速先進(jìn)制程的開(kāi)發(fā)與應用。Brainport產(chǎn)業(yè)園區的擴張計劃大約在一年前首次公開(kāi)。據荷蘭消
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ASM宣布將啟動(dòng)美國本土生產(chǎn)以應對關(guān)稅壓力
- 據媒體報道，荷蘭半導體設備制造商ASM International（簡(jiǎn)稱(chēng)“ASM”）在2025年第一季度財報電話(huà)會(huì )議上宣布，將立即啟動(dòng)在美國本土的生產(chǎn)計劃，以應對美國近期實(shí)施的關(guān)稅政策。今年4月初，美國總統特朗普簽署了一項“對等關(guān)稅”行政令，宣布對包括荷蘭在內的歐盟成員國加征25%的鋼鐵、鋁和汽車(chē)進(jìn)口關(guān)稅，其他商品則面臨20%的關(guān)稅。這一政策覆蓋了歐盟對美出口的約70%，總價(jià)值高達5320億歐元。此外，特朗普還計劃對暫時(shí)豁免的藥品、半導體等產(chǎn)品單獨加征關(guān)稅。為避免關(guān)稅影響，ASM首席財務(wù)官Paul Ver
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臺積電避免使用高NA EUV光刻技術(shù)
- 根據臺積電北美技術(shù)研討會(huì )的報告，代工臺積電不需要使用高數值孔徑極紫外光刻工具在其 A14 （1.4nm） 工藝上制造芯片。該公司在研討會(huì )上介紹了 A14 工藝，稱(chēng)預計將于 2028 年投產(chǎn)。之前已經(jīng)說(shuō)過(guò)，A16 工藝將于 2026 年底出現，也不需要高 NA EUVL 工具?！皬?2nm 到 A14，我們不必使用高 NA，但我們可以在加工步驟方面繼續保持類(lèi)似的復雜性，”據報道，業(yè)務(wù)發(fā)展高級副總裁 Kevin Zhang 在發(fā)布會(huì )上說(shuō)。這與英特爾形成鮮明對比，英特爾在積極采用高 NA 方面一直積極實(shí)施一項計
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地都賣(mài)了，三星電子與ASML半導體研發(fā)合作還能繼續嗎？
- 三星電子和ASML曾于2023年12月宣布共同投資7億歐元（約1萬(wàn)億韓元），在大都市地區建立極紫外（EUV）研究中心，致力于打造面向未來(lái)的半導體制造設備以保持三星在先進(jìn)工藝制程技術(shù)的領(lǐng)先性。針對這次合作，ASML特別與韓國土地住宅公社（LH）簽訂了在京畿道華城購買(mǎi)6個(gè)地塊（約 19,000 平方米）的合同以建設研發(fā)中心。不過(guò)最近這項計劃可能出現了一些變動(dòng)， ASML最近出售了其中的兩塊地塊，并且正在處理另外兩塊地塊。盡管還剩下兩個(gè)地塊，但ASML似乎沒(méi)有計劃在剩余的空間里與三星建立研發(fā)中心。 ASML 是
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前英特爾CEO加入光刻技術(shù)初創(chuàng )公司
- 近日，英特爾前CEO帕特·基辛格（Pat Gelsinger）宣布加入xLight，擔任董事會(huì )執行董事長(cháng)，xLight官網(wǎng)上個(gè)月也公布了這一消息。xLight是一家面向極紫外（EUV）光刻機開(kāi)發(fā)基于直線(xiàn)電子加速器的自由電子激光（FEL）技術(shù)的EUV光源系統的初創(chuàng )公司。xLight雖然規模很小，但其團隊在光刻和加速器技術(shù)領(lǐng)域擁有多年的經(jīng)驗，不僅擁有來(lái)自斯坦福直線(xiàn)加速器和其他地方的粒子加速器資深研究人士，其首席科學(xué)家Gennady Stupakov博士還是2024年IEEE核能和等離子體科學(xué)學(xué)會(huì )粒子加速器科學(xué)
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三星已組建專(zhuān)注于1nm芯片開(kāi)發(fā)的團隊 量產(chǎn)目標定于2029年
- 2nm GAA 工藝進(jìn)展被傳順利，但三星的目標是通過(guò)推出自己的 1nm 工藝來(lái)突破芯片開(kāi)發(fā)的技術(shù)限制。一份新報告指出，該公司已經(jīng)成立了一個(gè)團隊來(lái)啟動(dòng)這一工藝。然而，由于量產(chǎn)目標定于 2029 年，我們可能還需要一段時(shí)間才能看到這種光刻技術(shù)的應用。1nm 晶圓的開(kāi)發(fā)需要“高 NA EUV 曝光設備”，但目前尚不清楚三星是否已訂購這些機器。另一方面，臺積電也正在推出 2 納米以下芯片，據報道，這家臺灣半導體巨頭已于 4 月初開(kāi)始接受 2 納米晶圓訂單。至于三星，在其 2 納米 GAA 技術(shù)的試產(chǎn)過(guò)程中
- 關(guān)鍵字： 三星 1nm 芯片 臺積電 NA EUV
ASML計劃在日本擴增五倍EUV芯片工具員工
- 近日，荷蘭半導體設備制造商ASML宣布，計劃在日本將其先進(jìn)的極紫外光（EUV）芯片工具的員工人數擴增五倍，這一舉措旨在加強其在全球半導體市場(chǎng)的競爭力。隨著(zhù)全球對高性能芯片需求的激增，ASML的這一決策不僅能提升其在日本的業(yè)務(wù)運營(yíng)，也將進(jìn)一步推動(dòng)當地半導體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。ASML在全球的影響力不斷增強，特別是在EUV技術(shù)方面，該技術(shù)被認為是制造下一代高性能芯片的關(guān)鍵。隨著(zhù)日本在半導體制造領(lǐng)域的持續投入，ASML的擴張計劃將有助于促進(jìn)當地人才的培養及技術(shù)的進(jìn)步。此外，ASML的擴展計劃正值日本其他半導體公司如Ra
- 關(guān)鍵字： ASML EUV 芯片工具
EUV的未來(lái)看起來(lái)更加光明
- 對支持一切 AI 的先進(jìn)節點(diǎn)芯片的需求迅速增長(cháng)，這給該行業(yè)滿(mǎn)足需求的能力帶來(lái)了壓力。從為大型語(yǔ)言模型提供支持的超大規模數據中心，到智能手機、物聯(lián)網(wǎng)設備和自主系統中的邊緣 AI，對尖端半導體的需求正在加速。但制造這些芯片在很大程度上依賴(lài)于極紫外 （EUV） 光刻技術(shù)，這已成為擴大生產(chǎn)規模的最大障礙之一。自 2019 年第一批商用 EUV 芯片下線(xiàn)以來(lái)，設備、掩模生成和光刻膠技術(shù)的穩步改進(jìn)使該技術(shù)穩定下來(lái)。但是，雖然良率正在提高，但它們仍然落后于更成熟的光刻技術(shù)。工藝穩定性需要時(shí)刻保持警惕和微調。就 EUV
- 關(guān)鍵字： EUV AI芯片
英特爾：ASML首批兩臺High-NA EUV設備已投產(chǎn)
- 據路透社報道，半導體大廠(chǎng)英特爾近日表示，半導體設備大廠(chǎng)阿斯麥（ASML）的首批兩臺尖端高數值孔徑（High NA）光刻機已在其工廠(chǎng)正式投入生產(chǎn)，且早期數據顯示，這些設備的性能比之前的機型更可靠。報道稱(chēng)，英特爾資深首席工程師Steve Carson在加利福尼亞州圣何塞舉行的一次會(huì )議上指出，英特爾已經(jīng)利用ASML高數值孔徑光刻機在一個(gè)季度內生產(chǎn)了3萬(wàn)片晶圓，這些晶圓是足以生產(chǎn)數千個(gè)計算芯片的大型硅片。2024年，英特爾成為全球第一家接收這些先進(jìn)設備的芯片制造商，與之前的ASML設備相比，這些機器可望制造出更小
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英特爾兩臺High NA EUV光刻機已投產(chǎn)，單季完成3萬(wàn)片晶圓
- 據路透社2月24日報道，英特爾資深首席工程師Steve Carson在美國在加利福尼亞州圣何塞舉行的一場(chǎng)會(huì )議上表示，英特爾已經(jīng)安裝的兩臺ASML High NA EUV光刻機正在其晶圓廠(chǎng)生產(chǎn)，早期數據表明它們的可靠性大約是上一代光刻機的兩倍。Steve Carson指出，新的High NA EUV光刻機能以更少曝光次數完成與早期設備相同的工作，從而節省時(shí)間和成本。英特爾工廠(chǎng)的早期結果顯示，High NA EUV 機器只需要一次曝光和“個(gè)位數”的處理步驟，即可完成早期機器需要三次曝光和約40個(gè)處
- 關(guān)鍵字： 英特爾 High NA EUV 光刻機 晶圓
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