半導體廠(chǎng)倚重EUV 先進(jìn)微影技術(shù)的強勁需求

微影設備業(yè)者ASML第一季已完成136臺極紫外光（EUV）曝光機出貨，累計超過(guò)7,000萬(wàn)片晶圓完成EUV曝光。隨著(zhù)EUV微影技術(shù)推進(jìn)，預期2025年之后新一代EUV曝光機每小時(shí)曝光產(chǎn)量可達220片以上，以因應客戶(hù)端先進(jìn)制程推進(jìn)至埃米（Angstrom）世代對先進(jìn)微影技術(shù)的強勁需求。

雖然2023年半導體市況能見(jiàn)度低且不確定性高，但包括臺積電、英特爾、三星、SK海力士、美光等全球前五大半導體廠(chǎng)仍積極投資EUV產(chǎn)能，加上制程推進(jìn)會(huì )帶動(dòng)光罩層數增加，法人樂(lè )觀(guān)看好家登、帆宣、公準、意德士（等EUV概念股明年營(yíng)運將優(yōu)于今年。

ASML日前說(shuō)明EUV技術(shù)及曝光機技術(shù)藍圖，以目前主流的0.33數值孔徑（NA）來(lái)說(shuō)，2021年晶圓代工5奈米制程每片晶圓平均光罩層約逾10層，但2023年制程進(jìn)入3奈米之后，每片晶圓平均光罩層約將倍增達20層。

DRAM制程目前采用EUV技術(shù)完成約5層光罩層量產(chǎn)，但明年后將提升至8層光罩層，部分制程將會(huì )采用多層曝光（multi-patterning）而達每片晶圓10層光罩層。

過(guò)去幾年包括晶圓代工廠(chǎng)及DRAM廠(chǎng)擴大資本支出建置EUV產(chǎn)能，ASML統計至今年第一季已完成136臺EUV曝光機出貨，累計采用EUV曝光的晶圓已超過(guò)7,000萬(wàn)片。

現階段最新曝光機NXE：3600D的系統妥善率（availability）已優(yōu)于前一代機型約達93％，并接近技術(shù)成熟的深紫外光（EUV）機型的95％。

在每平方公分30毫焦耳（mJ）的光源輻照能量情況下，NXE: 3600D每小時(shí)晶圓產(chǎn)出已達160片，較上一代機型提升18％。預計明年下半年推出的NXE: 3800E預計每小時(shí)晶圓產(chǎn)出可提升到195片以上，并有機會(huì )升級到接近220片，ASML亦說(shuō)明將于2025年推出NXE：4000F新機型且每小時(shí)晶圓產(chǎn)出會(huì )大于220片，目標是再提升至240片。

雖然半導體市場(chǎng)進(jìn)入庫存去化階段，但先進(jìn)制程需求續強，臺積電及三星將會(huì )在明年擴大3奈米EUV產(chǎn)能，英特爾今年底亦量產(chǎn)首款采用EUV技術(shù)的4奈米Intel 4制程。