泛林集團、Entegris 和 Gelest 攜手推進(jìn) EUV 干膜光刻膠技術(shù)的生態(tài)系統
泛林集團 (NASDAQ: LRCX)、Entegris, Inc. 和三菱化學(xué)集團旗下公司 Gelest, Inc, 于近日宣布了一項戰略合作,將為全球半導體制造商提供可靠的前體化學(xué)品,用于下一代半導體生產(chǎn)所需的、泛林突破性的極紫外 (EUV)干膜光刻膠創(chuàng )新技術(shù)。三方將合作對未來(lái)幾代邏輯和 DRAM 器件生產(chǎn)所使用的 EUV 干膜光刻膠技術(shù)進(jìn)行研發(fā),這將有助于從機器學(xué)習和人工智能到移動(dòng)設備所有這些技術(shù)的實(shí)現。
本文引用地址:http://dyxdggzs.com/article/202207/436293.htm強大的工藝化學(xué)品供應鏈對于 EUV 干膜光刻膠技術(shù)運用到量產(chǎn)至關(guān)重要。這一新的長(cháng)期合作將進(jìn)一步擴大干膜光刻膠技術(shù)不斷發(fā)展的生態(tài)系統,由半導體材料領(lǐng)先者提供雙源供應,保障全球所有市場(chǎng)的持續供應。
此外,泛林、Entegris 和 Gelest 還將攜手合作,加快開(kāi)發(fā)未來(lái)用于高數值孔徑(高 NA)EUV 圖形化的高性?xún)r(jià)比 EUV 干膜光刻膠解決方案。高 NA EUV 被廣泛認為是未來(lái)幾十年半導體器件持續微縮和發(fā)展所需要的圖形化技術(shù)。干膜光刻膠能實(shí)現高抗刻蝕性及沉積和顯影所需的可調厚度比例,以支持高 NA EUV 降低焦深的要求。
泛林集團執行副總裁兼首席技術(shù)官 Rick Gottscho 表示:“干膜光刻膠技術(shù)結合 EUV 為將來(lái) DRAM 和邏輯的發(fā)展掃清了最大障礙。此次合作將泛林在干膜光刻膠技術(shù)領(lǐng)域的專(zhuān)業(yè)知識、尖端解決方案與材料科學(xué)能力和來(lái)自?xún)蓚€(gè)前體化學(xué)品行業(yè)領(lǐng)導者帶來(lái)的值得信賴(lài)的供應渠道結合在一起。這一干膜光刻膠生態(tài)系統的重要擴展為該技術(shù)的創(chuàng )新和量產(chǎn)鋪平了道路?!?/p>
干膜光刻膠最初由泛林與 ASML 和 IMEC合作開(kāi)發(fā),提升了 EUV 光刻的分辨率、生產(chǎn)率和良率,從而解決了與下一代 DRAM 和邏輯技術(shù)相關(guān)的關(guān)鍵挑戰。該技術(shù)提供出色的劑量-尺寸比和劑量-缺陷率性能,從而提高了 EUV 掃描儀的生產(chǎn)率并降低持有成本。此外,與傳統抗蝕劑工藝相比,泛林的干膜光刻膠工藝消耗的能源更少,原材料消耗量比之前要少五到十倍,從而提供了關(guān)鍵的可持續發(fā)展優(yōu)勢。
Entegris首席執行官 Bertrand Loy 表示:“泛林的干膜光刻膠技術(shù)反映了材料層面的關(guān)鍵創(chuàng )新,并且提供多項優(yōu)勢,包括分辨率更佳、成本效益更高以及具吸引力的可持續發(fā)展效益。我們很自豪能夠參與這項創(chuàng )新合作,以加速干膜光刻膠技術(shù)的采用,并在客戶(hù)運用這項重要技術(shù)創(chuàng )造下一代半導體之際,成為他們值得信賴(lài)的工藝材料供應商?!?/p>
三菱化學(xué)集團旗下 Gelest 總裁 Jonathan Goff 表示:“我們與泛林和 Entegris 合作開(kāi)發(fā) EUV 光刻所使用的干膜光刻膠,這表明我們致力于支持芯片制造商在材料科學(xué)領(lǐng)域的創(chuàng )新。近年來(lái),我們已經(jīng)看到 EUV 展現出了非凡的價(jià)值,我們很高興成為不斷發(fā)展的生態(tài)系統的一部分,以擴大其潛力?!?/p>
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