事關(guān)EUV光刻技術(shù)，中國廠(chǎng)商公布新專(zhuān)利

近日，據國家知識產(chǎn)權局官網(wǎng)消息，華為技術(shù)有限公司于11月15日公布了一項于光刻技術(shù)相關(guān)的專(zhuān)利，專(zhuān)利申請號為202110524685X。

集成電路制造中，光刻覆蓋了微納圖形的轉移、加工和形成環(huán)節，決定著(zhù)集成電路晶圓上電路的特征尺寸和芯片內晶體管的數量，是集成電路制造的關(guān)鍵技術(shù)之一。隨著(zhù)半導體工藝向7nm及以下節點(diǎn)的推進(jìn)，極紫外(extreme ultraviolet，EUV)光刻成為首選的光刻技術(shù)。

相關(guān)技術(shù)的EUV光刻機中采用強相干光源在進(jìn)行光刻時(shí)，相干光經(jīng)照明系統分割成的多個(gè)子光束具有固定的相位關(guān)系，當這些子光束投射在掩膜版上疊加時(shí)會(huì )形成固定的干涉圖樣，出現有明暗變化、光強不均勻的問(wèn)題，因此，必須先進(jìn)行去相干處理(或者采用避免相干影響)，達到勻光效果，以保證光刻工藝的正常進(jìn)行。

據披露，該專(zhuān)利申請提供一種反射鏡、光刻裝置及其控制方法，涉及光學(xué)領(lǐng)域，能夠解決相干光因形成固定的干涉圖樣而無(wú)法勻光的問(wèn)題，在極紫外光的光刻裝置基礎上進(jìn)行了優(yōu)化，進(jìn)而達到勻光的目的。

該光刻裝置包括相干光源1、反射鏡2(也可以稱(chēng)為去相干鏡)、照明系統3。其中，反射鏡2可以進(jìn)行旋轉；例如，可以在光刻裝置中設置旋轉裝置，反射鏡2能夠在旋轉裝置的帶動(dòng)下發(fā)生旋轉，如下圖所示。
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在該光刻裝置中，相干光源1發(fā)出的光線(xiàn)經(jīng)旋轉的反射鏡2的反射后，通過(guò)照明系統3分割為多個(gè)子光束并投射至掩膜版4上，以進(jìn)行光刻。另外，在光刻裝置中，上述照明系統3作為重要組成部分，其主要作用是提供高均勻性照明(勻光)、控制曝光劑量和實(shí)現離軸照明等，以提高光刻分辨率和增大焦深。述照明系統3的勻光功能可以是通過(guò)科勒照明結構實(shí)現。

該照明系統3包括視場(chǎng)復眼鏡31(field flyeye mirror，FFM)、光闌復眼鏡 32(diaphragm flyeye mirror，PFM)、中繼鏡組33；其中，中繼鏡組33通?？梢园▋蓚€(gè)或者兩個(gè)以上的中繼鏡。照明系統3通過(guò)視場(chǎng)復眼鏡31將來(lái)自相干光源 1 的光束分割成多個(gè)子光束，每個(gè)子光束再經(jīng)光闌復眼鏡32進(jìn)行照射方向和視場(chǎng)形狀的調整，并通過(guò)中繼鏡組33進(jìn)行視場(chǎng)大小和 / 或形狀調整后，投射到掩膜版4的照明區域。 

通過(guò)在相干光源1與照明系統3之間的光路上設置反射鏡2，在此情況下，相干光源1發(fā)出的光線(xiàn)經(jīng)旋轉的反射鏡2反射后相位不斷發(fā)生變化，這樣一來(lái)，在經(jīng)反射鏡2反射后的光線(xiàn)通過(guò)照明系統3分割為多個(gè)子光束并投射至掩膜版4上時(shí)，形成在掩膜版4的照明區域的干涉圖樣不斷變化，從而使得照明視場(chǎng)在曝光時(shí)間內的累積光強均勻化，從而達到勻光的目的，進(jìn)而也就解決了相關(guān)技術(shù)中因相干光形成固定的干涉圖樣而無(wú)法勻光的問(wèn)題。