美光：成功繞過(guò)了EUV光刻技術(shù)
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本周美光宣布，采用全球先進(jìn)1β(1-beta)制造工藝的DRAM內存芯片已經(jīng)送樣給部分手機制造商、芯片平臺合作伙伴進(jìn)行驗證，并做好了量產(chǎn)準備。1β工藝可將能效提高約15％，存儲密度提升35％以上，單顆裸片(Die)容量高達16Gb(2GB)。
本文引用地址：http://dyxdggzs.com/article/202211/440085.htm一個(gè)值得關(guān)注的點(diǎn)是，美光稱(chēng)，1β繞過(guò)了EUV（極紫外光刻）工具，而依然采用的是DUV（深紫外光刻）。這意味著(zhù)相較于三星、SK海力士，美光需要更復雜的設計方案。畢竟，DRAM的先進(jìn)性很大程度上取決于每平方毫米晶圓面積上集成更多更快半導體的能力，各公司目前通過(guò)不斷縮小電路面積來(lái)進(jìn)行競爭。
同時(shí)，美光的產(chǎn)品最終在成本上或許也會(huì )更具比較優(yōu)勢。據悉，美光已經(jīng)在LPDDR5X移動(dòng)內存上率先應用1β工藝，還使用了第二代HKMG(高K金屬柵極)工藝，最 高速率8.5Gbps(等效于8500MHz)。
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