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紫光國芯:DRAM芯片設計技術(shù)處于世界先進(jìn)水平
- 紫光國芯周一在全景網(wǎng)投資者互動(dòng)平臺上回答投資者提問(wèn)時(shí)介紹，DDR4與DDR3相比，單條容量有很大提高，可以實(shí)現較高的容量。另外，頻率和帶寬都有明顯提高。工藝的提高也會(huì )降低工作電壓，有利于更低的功耗。 同時(shí)，關(guān)于公司在國內業(yè)界、排名情況，紫光國芯介紹，公司的DRAM芯片設計技術(shù)處于世界先進(jìn)水平，國內稀缺，但目前產(chǎn)品產(chǎn)量很小，市場(chǎng)份額不大。 針對投資者關(guān)于公司DDR4存儲器芯片相比DDR3優(yōu)勢的詢(xún)問(wèn)，紫光國芯作出上述回應。 1月26日紫光國芯在互動(dòng)平臺表示，公司西安子公司從事DRAM存儲
- 關(guān)鍵字： 紫光國芯 DRAM
2018年內存產(chǎn)業(yè)DRAM/NAND Flash恐是兩樣情
- 2017年，整體內存產(chǎn)業(yè)不論DRAM或NAND Flash，都度過(guò)了一個(gè)黃金好年，那么2018年可否持續榮景呢? 綜合目前業(yè)界的看法，DRAM熱度可望延續，供不應求態(tài)勢依舊，但NAND部分，恐怕就不會(huì )那么樂(lè )觀(guān)了，由于大廠(chǎng)3D NAND良率大躍進(jìn)，供給過(guò)剩問(wèn)題已經(jīng)提前在2017年第四季引爆，至少2018年上半年恐怕都不會(huì )太理想， 最快2018年第二季供需平衡，第三季再度供給吃緊，屆時(shí)產(chǎn)業(yè)由悲轉喜。 DRAM無(wú)新增產(chǎn)能 首先就DRAM部分，以大方向來(lái)說(shuō)，2018年在Fab端并無(wú)新增產(chǎn)能，頂多就
- 關(guān)鍵字： DRAM NAND
南亞科：DRAM上半年還會(huì )漲
- 南亞科總經(jīng)理李培瑛16日表示，今年上半年DRAM價(jià)格持續看漲，但漲幅會(huì )收斂些，下半年則仍待觀(guān)察三星、 SK海力士二大韓廠(chǎng)實(shí)際增產(chǎn)內容才能做明確分析。 目前來(lái)看，韓國二大廠(chǎng)都表明將依市場(chǎng)需求增產(chǎn)，分析DRAM產(chǎn)業(yè)到明年都可維持健康穩定。 李培瑛表示，服務(wù)器和標準型DRAM今年市場(chǎng)需求持續強勁，南亞科內部預估，今年DRAM位需求增幅約20%至25%，搭配云端數據中心對服務(wù)器DRAM需求同步暢旺，以及高端手機搭載DRAM容量攀升到4GB~6GB， 以及冬季奧運來(lái)臨，刺激電視與機頂盒等需求，帶動(dòng)利基型D
- 關(guān)鍵字： 南亞科 DRAM
上演第二梯隊大逆襲 武漢存儲產(chǎn)業(yè)隱現“國家隊效應”
- 武漢東湖高新區未來(lái)三路與高新大道交匯處，一個(gè)被稱(chēng)為“黃金大道”的T字形結構的芯屏組合的產(chǎn)業(yè)聚集區已悄然形成。而這其中的“1號工程”正是在中國存儲器產(chǎn)業(yè)已掀起“巨浪”的長(cháng)江存儲科技責任有限公司(以下簡(jiǎn)稱(chēng)“長(cháng)江存儲”)。 2018年1月17日，陰冷兩天的武漢再度放晴，而長(cháng)江存儲的一期工廠(chǎng)已經(jīng)竣工，已然組建的研發(fā)團隊正在東湖高新區(以下簡(jiǎn)稱(chēng)“高新區”)的另一處辦公地址加緊推進(jìn)研發(fā)工作
- 關(guān)鍵字： 集成電路 DRAM
RAM、SRAM、SSRAM、DRAM、FLASH、EEPROM......都是什么鬼？
- RAM(Random Access Memory) 隨機存儲器。存儲單元的內容可按需隨意取出或存入，且存取的速度與存儲單元的位置無(wú)關(guān)的存儲器。這種存儲器在斷電時(shí)將丟失其存儲內容，故主要用于存儲短時(shí)間使用的程序。 按照存儲信息的不同，隨機存儲器又分為靜態(tài)隨機存儲器(Static RAM,SRAM)和動(dòng)態(tài)隨機存儲器(Dynamic RAM,DRAM)。 SRAM(Static RAM)不需要刷新電路即能保存它內部存儲的數據。 SSRAM(Synchronous SRAM)即同步靜態(tài)隨機存
- 關(guān)鍵字： SRAM DRAM
IC Insights:DRAM今年價(jià)格將開(kāi)始下滑
- 研調機構IC Insights發(fā)布最新報告指出，DRAM廠(chǎng)于2017年第4季的銷(xiāo)售金額將創(chuàng )下歷史新高峰，預估達到211億美元，較2016年第4季的128億美元大增65%。IC Insights表示，據歷史經(jīng)驗來(lái)看，DRAM產(chǎn)業(yè)在不久的將來(lái)，可能經(jīng)歷長(cháng)期間的景氣向下格局，因隨著(zhù)DRAM產(chǎn)能增加，今年價(jià)格將開(kāi)始下滑，跌勢更恐達2年之久。 回顧2017年，受惠于數據中心需求，帶動(dòng)服務(wù)器DRAM明顯升溫，同時(shí)智能手機與其他移動(dòng)裝置產(chǎn)品采用低功耗高密度DRAM也同步成長(cháng)，2017年DRAM價(jià)格報價(jià)一路上揚
- 關(guān)鍵字： DRAM
兩大新技術(shù)加持 三星二代10納米DRAM量產(chǎn)搶商機
- 搶攻DRAM市場(chǎng)商機，三星電子(Samsung Electronics)宣布量產(chǎn)其第二代10奈米等級(1y-nm) 8Gb DDR4 DRAM。 該組件采用高敏感度的單元數據感測系統(Cell Data Sensing System)及「空氣間隔」(Air Spacer)解決方案，以達更高效能、更低功耗，以及更小的體積。 DRAM市場(chǎng)表現強勁，IC Insights預估，2017年DRAM市場(chǎng)將激增74%，為1994年以來(lái)最大增幅;未來(lái)DRAM預計將成為至今半導體產(chǎn)業(yè)內最大的單一產(chǎn)品類(lèi)別，產(chǎn)值高
- 關(guān)鍵字： 三星 DRAM
兩大新技術(shù)加持 三星二代10納米DRAM量產(chǎn)搶商機
- 搶攻DRAM市場(chǎng)商機，三星電子(Samsung Electronics)宣布量產(chǎn)其第二代10奈米等級(1y-nm) 8Gb DDR4 DRAM。 該組件采用高敏感度的單元數據感測系統(Cell Data Sensing System)及「空氣間隔」(Air Spacer)解決方案，以達更高效能、更低功耗，以及更小的體積。 DRAM市場(chǎng)表現強勁，IC Insights預估，2017年DRAM市場(chǎng)將激增74%，為1994年以來(lái)最大增幅;未來(lái)DRAM預計將成為至今半導體產(chǎn)業(yè)內最大的單一產(chǎn)品類(lèi)別，產(chǎn)值高
- 關(guān)鍵字： DRAM DDR4
明年上半年DRAM吃緊、NAND恐供大于求
- 內存明年市況恐將不同調，DRAM市場(chǎng)仍將持續吃緊，NAND Flash市場(chǎng)則將于明年上半年轉為供過(guò)于求。 DRAM 與 NAND Flash 市場(chǎng)今年都處于供不應求狀態(tài)，產(chǎn)品價(jià)格同步高漲，只是業(yè)界普遍預期，明年 DRAM 與 NAND Flash 市況恐將不同調。 內存模塊廠(chǎng)創(chuàng )見(jiàn)指出，DRAM 市場(chǎng)供貨持續吃緊，價(jià)格未見(jiàn)松動(dòng)跡象。 NAND Flash 方面，隨著(zhù) 3D NAND Flash 技術(shù)日益成熟，生產(chǎn)良率改善，可望填補供貨缺口。 另一內存模塊廠(chǎng)威剛表示，短期內全球 DRAM
- 關(guān)鍵字： DRAM NAND
5nm工藝可能無(wú)法實(shí)現？存儲器除了3D NAND還有其他選擇？看這4個(gè)技術(shù)老兵怎么說(shuō)
- 5nm以下的工藝尺寸縮減邏輯;DRAM、3DNAND和新型存儲器的未來(lái);太多可能解決方案帶來(lái)的高成本。 近日，外媒SE組織了一些專(zhuān)家討論工藝尺寸如何繼續下探、新材料和新工藝的引入帶來(lái)哪些變化和影響，專(zhuān)家團成員有LamResearch的首席技術(shù)官RickGottscho、GlobalFoundries先進(jìn)模塊工程副總裁MarkDougherty、KLA-Tencor的技術(shù)合伙人DavidShortt、ASML計算光刻產(chǎn)品副總裁GaryZhang和NovaMeasuringInstruments的首
- 關(guān)鍵字： 5nm DRAM
再進(jìn)一步，三星發(fā)布最強10nmDRAM芯片
- 根據三星最新財報顯示，三星Q3凈利潤更是高達98.7億美元，增長(cháng)145%，季度凈利直逼蘋(píng)果，成為世界最賺錢(qián)的兩家公司之一。而耀眼財報的背后，其半導體業(yè)務(wù)起著(zhù)舉足輕重的作用。 昨日半導體產(chǎn)業(yè)曝出一條最大新聞——“ 三星電子全球首發(fā)第二代10納米級DRAM產(chǎn)品。” 三星在聲明中稱(chēng)，這是全球第一個(gè)第二代10納米級8Gb DDR4 DRAM芯片，擁有強化的節能效率和資料處理效能，將鎖定云端運算中心、移動(dòng)設備和高速繪圖卡等高階大數據處理的電子設備。
- 關(guān)鍵字： 三星 DRAM
三星DRAM“霸主”地位難撼動(dòng)！已開(kāi)發(fā)出全球最小DRAM內存芯片
- 繼 2016 年 2 月三星使用第一代 10nm 制程工藝生產(chǎn)出了 8Gb DDR4 芯片之后，三星電子今日又宣布已開(kāi)始通過(guò)第二代 10nm 制程工藝生產(chǎn) 8Gb DDR4 芯片。另?yè)吠干鐖蟮?，三星開(kāi)發(fā)的 8Gb DDR4 芯片是“全球最小”的 DRAM 芯片。 據悉，和第一代 10nm 工藝相比，三星第二代 10nm 工藝的產(chǎn)能提高了 30%，有助于公司滿(mǎn)足全球客戶(hù)不斷飆升的 DRAM 芯片需求。此外，第二代 10nm 芯片不僅比第一代快 10%，同時(shí)功耗又降低了 1
- 關(guān)鍵字： 三星 DRAM
第四季DRAM銷(xiāo)售額預估年增65%,明年首季確定再漲
- DRAM 內存市場(chǎng)近期嚴重供不應求，造成全球內存龍頭三星將于 2018 年第 1 季價(jià)格再上調 3% 至 5%。 而另一家內存大廠(chǎng) SK 海力士也將調漲約 5%。 除此之外，有部分供應鏈透露，2018 年第 2 季的價(jià)格恐也將不樂(lè )觀(guān)，價(jià)格將續漲 5% 以上。 因此，在需求太強勁的情況下，此波 DRAM 價(jià)格從 2016年下半年以來(lái)，每季都呈現上漲的態(tài)勢。 如果加上 2018 年第 1 季持續漲價(jià)，報價(jià)已經(jīng)連續 7 季走揚，堪稱(chēng) DRAM 史上時(shí)間最長(cháng)的多頭行情。 事實(shí)上，當前的第 4 季是傳統
- 關(guān)鍵字： DRAM DDR4
dram介紹
DRAM（Dynamic Random-Access Memory），即動(dòng)態(tài)隨機存儲器最為常見(jiàn)的系統內存。DRAM 只能將數據保持很短的時(shí)間。為了保持數據，DRAM使用電容存儲，所以 必須隔一段時(shí)間刷新（refresh）一次，如果存儲單元沒(méi)有被刷新，存儲的數據就會(huì )丟失。 它的存取速度不快，在386、486時(shí)期被普遍應用。
動(dòng)態(tài)RAM的工作原理 動(dòng)態(tài)RAM也是由許多基本存儲元按照行和列來(lái)組 [ 查看詳細 ]
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