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HBM對DRAM廠(chǎng)的貢獻逐季攀升
- TrendForce指出，隨著(zhù)AI服務(wù)器持續布建，高帶寬內存（HBM）市場(chǎng)處高成長(cháng)階段，平均售價(jià)約是DRAM產(chǎn)品的三至五倍，待下一代HBM3e量產(chǎn)，加上產(chǎn)能擴張，營(yíng)收貢獻將逐季上揚。TrendForce指出，HBM市場(chǎng)仍處于高成長(cháng)階段，由于各大云端廠(chǎng)商持續布建AI服務(wù)器，在GPU算力與內存容量都將升級下，HBM成為其中不可或缺的一環(huán)，帶動(dòng)HBM規格容量上升。如NVIDIA Blackwell平臺將采用192GB HBM3e內存、AMD的MI325更是提升到288GB以上。由于HBM生產(chǎn)難度高、良率仍有顯著(zhù)
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三星開(kāi)發(fā)出其首款24Gb GDDR7 DRAM，助力下一代人工智能計算
- 三星電子今日宣布，已成功開(kāi)發(fā)出其首款24Gb GDDR7[1]?DRAM（第七代圖形雙倍數據傳輸率存儲器）。GDDR7具備非常高的容量和極快的速率，這使得它成為眾多下一代應用程序的理想選擇之一。三星半導體24Gb GDDR7 DRAM憑借高容量和卓越性能，24Gb GDDR7將廣泛應用于需要高性能存儲解決方案的各個(gè)領(lǐng)域，例如數據中心和人工智能工作站，這將進(jìn)一步擴展圖形 DRAM 在顯卡、游戲機和自動(dòng)駕駛等傳統應用領(lǐng)域之外的應用范圍。三星電子存儲器產(chǎn)品企劃團隊執行副總裁裴永哲（Bae YongCh
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TrendForce：內存下半年價(jià)格恐摔
- 根據TrendForce最新調查，消費型電子需求未如預期回溫，中國大陸地區的智能型手機，出現整機庫存過(guò)高的情形，筆電也因為消費者期待AI PC新產(chǎn)品而延遲購買(mǎi)，市場(chǎng)持續萎縮。此一現象，導致以消費型產(chǎn)品為主的內存現貨價(jià)走弱，第二季價(jià)格較第一季下跌超過(guò)30％。盡管現貨價(jià)至8月份仍與合約價(jià)脫鉤，但也暗示合約價(jià)可能的未來(lái)走向。TrendForce表示，2024年第二季模塊廠(chǎng)在消費類(lèi)NAND Flash零售通路的出貨量，已大幅年減40％，反映出全球消費性?xún)却媸袌?chǎng)正遭遇嚴峻挑戰。內存產(chǎn)業(yè)雖一向受周期因素影響，但202
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SK海力士成功開(kāi)發(fā)出全球首款第六代10納米級DDR5 DRAM
- 2024年8月29日，SK海力士宣布，全球首次成功開(kāi)發(fā)出采用第六代10納米級（1c）工藝的16Gb（Gigabit，千兆比特）DDR5 DRAM。由此，公司向世界展現了10納米出頭的超微細化存儲工藝技術(shù)。SK海力士強調：“隨著(zhù)10納米級DRAM技術(shù)的世代相傳，微細工藝的難度也隨之加大，但公司以通過(guò)業(yè)界最高性能得到認可的第五代（1b）技術(shù)力為基礎，提高了設計完成度，率先突破了技術(shù)極限。公司將在年內完成1c DDR5 DRAM的量產(chǎn)準備，從明年開(kāi)始供應產(chǎn)品，引領(lǐng)半導體存儲器市場(chǎng)發(fā)展?！惫疽?b DRAM
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第二季DRAM產(chǎn)業(yè)營(yíng)收季增24.8%，預期第三季合約價(jià)將上調
- 根據TrendForce集邦咨詢(xún)調查，受惠主流產(chǎn)品出貨量擴張帶動(dòng)多數業(yè)者營(yíng)收成長(cháng)，2024年第二季整體DRAM（內存）產(chǎn)業(yè)營(yíng)收達229億美元，季增24.8%。價(jià)格方面，合約價(jià)于第二季維持上漲，第三季因國際形勢等因素，預估Conventional DRAM（一般型內存）合約價(jià)漲幅將高于先前預期。觀(guān)察Samsung（三星）、SK hynix（SK海力士）和Micron（美光科技）第二季出貨表現，均較前一季有所增加，平均銷(xiāo)售單價(jià)方面，三大廠(chǎng)延續第一季合約價(jià)上漲情勢，加上臺灣地區四月初地震影響，以及HBM
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imec采用High-NA EUV技術(shù) 展示邏輯與DRAM架構
- 比利時(shí)微電子研究中心（imec），在荷蘭費爾德霍溫與艾司摩爾（ASML）合作建立的高數值孔徑極紫外光（high-NA EUV）微影實(shí)驗室中，利用數值孔徑0.55的極紫外光曝光機，發(fā)表了曝光后的圖形化組件結構。在單次曝光后，9納米和5納米（間距19納米）的隨機邏輯結構、中心間距為30納米的隨機通孔、間距為22納米的二維特征，以及間距為32納米的動(dòng)態(tài)隨機存取內存（DRAM）專(zhuān)用布局全部成功成形，采用的是由imec與其先進(jìn)圖形化研究計劃伙伴所優(yōu)化的材料和基線(xiàn)制程。透過(guò)這些研究成果，imec證實(shí)該微影技術(shù)的生態(tài)系
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外媒：三星推出超薄型手機芯片LPDDR5X DRAM
- 8月7日消息，隨著(zhù)移動(dòng)設備功能的不斷增強，對內存性能和容量的要求也日益提高。據外媒gsmarena報道，三星電子近日宣布，公司推出了業(yè)界最薄的LPDDR5X DRAM芯片。這款12納米級別的芯片擁有12GB和16GB兩種封裝選項，專(zhuān)為低功耗RAM市場(chǎng)設計，主要面向具備設備端AI能力的智能手機。gsmarena這款新型芯片的厚度僅為0.65毫米，比上一代產(chǎn)品薄了9%。三星估計，這一改進(jìn)將使其散熱性能提高21.2%。gsmarena三星通過(guò)優(yōu)化印刷電路板（PCB）和環(huán)氧樹(shù)脂封裝技術(shù)，將LPDDR5X的厚度
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HBM排擠效應 DRAM漲勢可期
- 近期在智慧手機、PC、數據中心服務(wù)器上，用于暫時(shí)儲存數據的DRAM價(jià)格漲勢停歇，買(mǎi)家拉貨不積極，影響DRAM報價(jià)漲勢。 業(yè)者期待，SK海力士、三星及美光前三大廠(chǎng)HBM產(chǎn)能增開(kāi)，對一般型DRAM產(chǎn)生的排擠效應，加上產(chǎn)業(yè)旺季來(lái)臨，可帶動(dòng)DRAM重啟漲勢。 據了解，6月指針性產(chǎn)品DDR4 8GB合約價(jià)約2.10美元、容量較小的4GB合約價(jià)1.62美元左右，表現持平，主要是供需雙方對價(jià)格談判，呈現拉鋸狀況。而另一方面，三星新一代HBM3E，據傳有望通過(guò)輝達（NVIDIA）認證，輝達GB200將于2025年放量，其
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圓滿(mǎn)收官！紫光國芯慕尼黑上海電子展2024展現科技創(chuàng )新實(shí)力
- 圓滿(mǎn)收官！紫光國芯慕尼黑上海電子展2024展現科技創(chuàng )新實(shí)力2024年7月8日至10日，西安紫光國芯半導體股份有限公司（簡(jiǎn)稱(chēng)：紫光國芯，證券代碼：874451）精彩亮相慕尼黑上海電子展。紫光國芯聚焦人工智能、高性能計算、汽車(chē)電子、工業(yè)控制、消費電子等重點(diǎn)領(lǐng)域，為客戶(hù)提供全方面的存儲產(chǎn)品及相關(guān)技術(shù)解決方案。展會(huì )現場(chǎng)重點(diǎn)展示了DRAM存儲系列產(chǎn)品、SeDRAM?技術(shù)和CXL技術(shù)、新品牌云彣（UniWhen?）和SSD產(chǎn)品系列。128Mb PSRAM，新一代DRAM KGD產(chǎn)品系列DRAM KGD展區首次展示了紫
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服務(wù)器支撐下半年需求，預估DRAM價(jià)格第三季漲幅達8-13%
- 根據全球市場(chǎng)研究機構TrendForce集邦咨詢(xún)最新調查顯示，由于通用型服務(wù)器(general server)需求復蘇，加上DRAM供應商HBM生產(chǎn)比重進(jìn)一步拉高，使供應商將延續漲價(jià)態(tài)度，第三季DRAM均價(jià)將持續上揚。DRAM價(jià)格漲幅達8~13%，其中Conventional DRAM漲幅為5-10%，較第二季漲幅略有收縮。TrendForce集邦咨詢(xún)指出，第二季買(mǎi)方補庫存意愿漸趨保守，供應商及買(mǎi)方端的庫存水平未有顯著(zhù)變化。觀(guān)察第三季，智能手機及CSPs仍具補庫存的空間，且將進(jìn)入生產(chǎn)旺季，因此預計智能手機
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SK海力士5層堆疊3D DRAM新突破：良品率已達56.1%
- 6月25日消息，據媒體報道，SK海力士在近期于美國夏威夷舉行的VLSI 2024峰會(huì )上，重磅發(fā)布了關(guān)于3D DRAM技術(shù)的最新研究成果，展示了其在該領(lǐng)域的深厚實(shí)力與持續創(chuàng )新。據最新消息，SK海力士在3D DRAM技術(shù)的研發(fā)上取得了顯著(zhù)進(jìn)展，并首次詳細公布了其開(kāi)發(fā)的具體成果和特性。公司正全力加速這一前沿技術(shù)的開(kāi)發(fā)，并已取得重大突破。SK海力士透露，目前其5層堆疊的3D DRAM良品率已高達56.1%，這一數據意味著(zhù)在單個(gè)測試晶圓上，能夠成功制造出約1000個(gè)3D DRAM單元，其中超過(guò)一半（即561個(gè)）為良
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云端CSPs將擴大邊緣AI發(fā)展，帶動(dòng)2025年NB DRAM 平均搭載容量增幅至少達7%
- 全球市場(chǎng)研究機構TrendForce集邦咨詢(xún)觀(guān)察，2024年大型云端CSPs，如Microsoft、Google、Meta、AWS等廠(chǎng)商，將仍為采購高階主打訓練用AI server的主力客群，以作為L(cháng)LM及AI建?；A。待2024年CSPs逐步完成建置一定數量AI訓練用server基礎設施后，2025年將更積極從云端往邊緣AI拓展，包含發(fā)展較為小型LLM模型，以及建置邊緣AI server，促其企業(yè)客戶(hù)在制造、金融、醫療、商務(wù)等各領(lǐng)域應用落地。此外，因AI PC或NB在計算機設備基本架構組成與
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HBM供應吃緊催生DRAM漲價(jià) 美光股價(jià)飆漲
- 內存大廠(chǎng)美光預計6月26日公布季報，自美光的高帶寬內存（HBM）開(kāi)始供貨給輝達后，已化身為AI明星股，年初至今，美光股價(jià)大漲近七成，市值大增636.26億美元，至1,545.22億美元。 市場(chǎng)分析師預期，美光經(jīng)營(yíng)層將大談需求改善、行業(yè)供應緊張、價(jià)格進(jìn)一步上揚，以及他們供應給輝達和其他AI芯片廠(chǎng)商的HBM，下一世代的發(fā)展，提出對后市正向的看法。由于A(yíng)I應用的需求，人們對DRAM、HBM的興趣與日俱增，且內存市場(chǎng)通常存在「FOMO」（Fear of missing out）現象，意思是「害怕錯失機會(huì )」，在美光
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美光后里廠(chǎng)火災 公司聲明營(yíng)運未受任何影響
- 中國臺灣美光內存后里廠(chǎng)20日下午5點(diǎn)34分發(fā)生火警，火勢快速撲滅，無(wú)人傷亡，美光昨深夜發(fā)出聲明指出，臺中廠(chǎng)火警廠(chǎng)區營(yíng)運未受任何影響。 臺中市消防局昨日傍晚5時(shí)34分獲報，中國臺灣美光位在后里區三豐路的廠(chǎng)房發(fā)生火災，消防局抵達時(shí)廠(chǎng)區人員已將火勢撲滅，無(wú)人受傷，原因有待厘清。根據經(jīng)濟日報報導，美光針對臺中廠(chǎng)火警一事發(fā)出聲明，經(jīng)查證所有員工與承包商安全無(wú)虞，且廠(chǎng)區營(yíng)運未受任何影響。美光是國際三大DRAM廠(chǎng)商，市占約19.2％，與前兩大三星及SK海力士合計市占達96％。美光高達65％的DRAM產(chǎn)品在中國臺灣生產(chǎn)，
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dram介紹
DRAM（Dynamic Random-Access Memory），即動(dòng)態(tài)隨機存儲器最為常見(jiàn)的系統內存。DRAM 只能將數據保持很短的時(shí)間。為了保持數據，DRAM使用電容存儲，所以 必須隔一段時(shí)間刷新（refresh）一次，如果存儲單元沒(méi)有被刷新，存儲的數據就會(huì )丟失。 它的存取速度不快，在386、486時(shí)期被普遍應用。
動(dòng)態(tài)RAM的工作原理 動(dòng)態(tài)RAM也是由許多基本存儲元按照行和列來(lái)組 [ 查看詳細 ]
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