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經(jīng)濟學(xué)家紛紛加入芯片大討論,看時(shí)寒冰怎么蹭熱點(diǎn)

  •   在中興通訊遭美國禁售之后,有關(guān)芯片的討論非常激烈。   今天,中國芯片產(chǎn)業(yè)與國際的差距,已經(jīng)越來(lái)越大。而回首過(guò)去,中國其實(shí)曾經(jīng)擁有成為世界芯片強國的歷史機遇。改革開(kāi)放后,中國芯片產(chǎn)業(yè)發(fā)展迅速。比如,1985年的時(shí)候,江蘇無(wú)錫的742廠(chǎng)就已經(jīng)能夠生產(chǎn)64K DRAM,這相當于跟我國臺灣地區、韓國處在幾乎相同的起跑線(xiàn)上。1989年以后,西方制裁中國,給中國的芯片發(fā)展造成了非常大的阻力。這是中國芯片產(chǎn)業(yè)因此錯過(guò)的第一次機遇。        盡管遭遇重重阻力,中國芯片產(chǎn)業(yè)依然在奮勇追趕。
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看日本芯片發(fā)展史展中興未來(lái)——亞洲芯片先驅之國

  • 在芯片等高科技領(lǐng)域,日本經(jīng)過(guò)多年的投入、研發(fā)、技術(shù)、人才的積累,使其在這一產(chǎn)業(yè)上游有著(zhù)很強的話(huà)語(yǔ)權,要想強大,是沒(méi)有捷徑可走的。
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中國存儲芯片打破韓美日壟斷局面邁出堅實(shí)一步

  • 中國的三大存儲芯片企業(yè)長(cháng)江存儲、合肥長(cháng)鑫、福建晉華近期紛紛開(kāi)始安裝機臺預計今年下半年投產(chǎn)存儲芯片,這將有望打破韓美日壟斷存儲芯片的局面。
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14張圖看懂半導體工藝演進(jìn)對DRAM、邏輯器件、NAND的影響

  • DRAM工藝尺寸的縮減正在面臨基本的物理限制,目前還有沒(méi)有明確的解決方案,由于印刷需求的推動(dòng),DRAM的清洗復雜度也在增加。
  • 關(guān)鍵字: DRAM  NAND  

三星DRAM芯片利潤飆升 預計Q1利潤達137億美元

  •   據國外媒體報道,由于全球存儲芯片市場(chǎng)空前的反彈,超過(guò)了逐漸放緩的智能手機和相關(guān)元件銷(xiāo)售,三星電子預計,周五公布的一季度利潤將會(huì )增長(cháng)近50%。三星電子主營(yíng)業(yè)務(wù)半導體的收入將占其總營(yíng)業(yè)利潤近四分之三。分析師們預計,對于DRAM芯片來(lái)說(shuō),三星每賣(mài)出1美元,就能獲得約70美分的營(yíng)業(yè)利潤。   元大證券韓國分析師Lee Jae-yun表示:“盡管存儲芯片的價(jià)格預計將從去年的繁榮期放緩,但出貨量的增加和成本削減將進(jìn)一步推動(dòng)三星半導體業(yè)務(wù)的利潤增長(cháng),并將利潤提升到另一個(gè)創(chuàng )紀錄的年份。”
  • 關(guān)鍵字: 三星  DRAM  

中美貿易戰,韓國半導體最受傷?

  • 中國已經(jīng)提出,提高從美國進(jìn)口半導體芯片的比例,取代來(lái)自韓國和中國臺灣的產(chǎn)品。
  • 關(guān)鍵字: DRAM  NAND  

存儲器/嵌入式存儲器的市場(chǎng)機會(huì ) 

  • 美光科技嵌入式產(chǎn)品事業(yè)部市場(chǎng)副總裁Kris Baxter在2018年“慕尼黑上海電子展”期間,介紹了美光及多家行業(yè)分析師對存儲器尤其是嵌入式存儲器市場(chǎng)的預測,重點(diǎn)是DRAM和NAND在汽車(chē)和工業(yè)領(lǐng)域的趨勢。
  • 關(guān)鍵字: 存儲器  DRAM  NAND  汽車(chē)  攝像頭  201804  

DRAM漲風(fēng)不停 逐漸壓抑市場(chǎng)需求

  • 2017年1月與2018年1月DRAM每Gb價(jià)格一直在急劇上升,電子系統制造商目前正在爭先恐后地調整和適應DRAM價(jià)格的飛漲。
  • 關(guān)鍵字: DRAM  

2017年第四季服務(wù)器DRAM營(yíng)收成長(cháng)約13.9%

  •   根據集邦咨詢(xún)半導體研究中心(DRAMeXchange)調查顯示,回顧2017年第四季,其中北美數據中心的需求持續強勁,即使原廠(chǎng)透過(guò)產(chǎn)品線(xiàn)調整,但仍無(wú)法有效紓解市場(chǎng)供給吃緊的狀況。Server DRAM受惠平均零售價(jià)(Average Selling Price)的上揚,三大DRAM原廠(chǎng)Server DRAM營(yíng)收季成長(cháng)約13.9%。   DRAMeXchange資深分析師劉家豪指出,進(jìn)入2018年第一季,在服務(wù)器出貨動(dòng)能不減的情況下,整體Server DRAM供不應求的市況依然持續,而Server DR
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2017年第四季服務(wù)器DRAM營(yíng)收成長(cháng)約13.9%

  •   根據集邦咨詢(xún)半導體研究中心(DRAMeXchange)調查顯示,回顧2017年第四季,其中北美數據中心的需求持續強勁,即使原廠(chǎng)透過(guò)產(chǎn)品線(xiàn)調整,但仍無(wú)法有效紓解市場(chǎng)供給吃緊的狀況。Server DRAM受惠平均零售價(jià)(Average Selling Price)的上揚,三大DRAM原廠(chǎng)Server DRAM營(yíng)收季成長(cháng)約13.9%。   DRAMeXchange資深分析師劉家豪指出,進(jìn)入2018年第一季,在服務(wù)器出貨動(dòng)能不減的情況下,整體Server DRAM供不應求的市況依然持續,而Server DR
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三星、SK海力士相繼量產(chǎn)HBM2,價(jià)格比一般DRAM貴5倍

  • HBM處理數據的速度較一般DRAM有顯著(zhù)提升,業(yè)界預料,HBM市場(chǎng)將以每年2倍以上的速度擴大,不過(guò)目前HBM市場(chǎng)仍遠小于一般DRAM。
  • 關(guān)鍵字: HBM2  DRAM  

IEK:DRAM去年單價(jià)上漲55%,今年再漲32%

  •   工研院產(chǎn)業(yè)經(jīng)濟與趨勢研究中心(IEK)引用市調機構調查報告指出,去年全球DRAM價(jià)量飆揚,產(chǎn)值年增達約77%、達725億美元,平均銷(xiāo)售單價(jià)上漲55%;今年預估還是供不應求,雖然漲幅力道不如去年大,但在主要供貨商仍有節制增產(chǎn)下, 預估今年平均銷(xiāo)售單價(jià)仍會(huì )漲逾32%,年產(chǎn)值估約年增23%、達近900億美元,為歷年來(lái)新高。   IEK看好今年內存仍將會(huì )是價(jià)量齊揚的一年,主因人工智能將從云端運算往下落到邊緣運算,預估到2022年,將會(huì )有高達75%的數據處理工作不在云端數據中心完成, 而是透過(guò)靠近用戶(hù)的邊緣運
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SK海力士2017利潤暴漲319%,2018年繼續創(chuàng )紀錄

  • 2017年第四季度存儲市場(chǎng)依舊火爆,受全球數據中心增長(cháng)驅動(dòng),服務(wù)器存儲器需求尤其強勁,將繼續推動(dòng)公司2018年利潤的增長(cháng),SK海力士也將擴展新生產(chǎn)線(xiàn)來(lái)滿(mǎn)足市場(chǎng)需求。
  • 關(guān)鍵字: SK海力士  DRAM  

海力士:去年第四季DRAM平均價(jià)格漲9%

  •   全球第二大內存芯片廠(chǎng)韓國SK海力士受惠DRAM價(jià)格大漲,以及市況持續暢旺,去年第4季獲利創(chuàng )單季新高,看好今年服務(wù)器內存需求持續強勁。 市調機構集邦則預期,盡管智能手機銷(xiāo)售不如預期,恐導致本季移動(dòng)內存合約價(jià)漲幅收斂為3%,但第2季將重啟拉貨動(dòng)能,價(jià)格仍會(huì )續漲。   SK海力士昨天舉行發(fā)布會(huì )并公布去年財報,去年第4季獲利和去年全年獲利都創(chuàng )新高。 該公司分析,去年第4季獲利創(chuàng )高,主因DRAM芯片出貨季增3%,平均價(jià)格漲9%;NAND芯片出貨增16%,均價(jià)漲4%。   SK海力士預估,2018年DRAM芯
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2018年內存產(chǎn)業(yè)DRAM/NAND Flash恐是兩樣情

  • 大廠(chǎng)3D NAND良率大躍進(jìn),供給過(guò)剩問(wèn)題已經(jīng)提前在2017年第四季引爆,至少2018年上半年恐怕都不會(huì )太理想。
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dram介紹

DRAM(Dynamic Random-Access Memory),即動(dòng)態(tài)隨機存儲器最為常見(jiàn)的系統內存。DRAM 只能將數據保持很短的時(shí)間。為了保持數據,DRAM使用電容存儲,所以 必須隔一段時(shí)間刷新(refresh)一次,如果存儲單元沒(méi)有被刷新,存儲的數據就會(huì )丟失。 它的存取速度不快,在386、486時(shí)期被普遍應用。 動(dòng)態(tài)RAM的工作原理 動(dòng)態(tài)RAM也是由許多基本存儲元按照行和列來(lái)組 [ 查看詳細 ]
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