EEPW首頁(yè) >>
主題列表 >>
dram
dram 文章 進(jìn)入dram技術(shù)社區
2018年DRAM產(chǎn)業(yè)供給年成長(cháng)預估僅19.6%，延續供給吃緊走勢
- 隨著(zhù)時(shí)序已近2017年第四季，三大DRAM廠(chǎng)已陸續在下半年召開(kāi)針對明年產(chǎn)能規劃的年度戰略會(huì )議，根據集邦咨詢(xún)半導體研究中心(DRAMeXchange)調查，2018年各DRAM廠(chǎng)的資本支出計劃皆?xún)A向保守，意味著(zhù)產(chǎn)能擴張甚至技術(shù)轉進(jìn)都將趨緩，除了欲將價(jià)格維持在今年下半年的水平，持續且穩定的獲利也將是明年首要目標，預估2018年DRAM產(chǎn)業(yè)的供給年成長(cháng)率為19.6%，維持在近年來(lái)的低點(diǎn)，加上2018年整體DRAM需求端年成長(cháng)預計將達20.6%，供給吃緊的態(tài)勢將延續。 DRAMeXchange研究協(xié)理吳
- 關(guān)鍵字： DRAM
2018年DRAM產(chǎn)業(yè)供給年成長(cháng)預估僅19.6%，延續供給吃緊走勢
- 隨著(zhù)時(shí)序已近2017年第四季，三大DRAM廠(chǎng)已陸續在下半年召開(kāi)針對明年產(chǎn)能規劃的年度戰略會(huì )議，根據集邦咨詢(xún)半導體研究中心(DRAMeXchange)調查，2018年各DRAM廠(chǎng)的資本支出計劃皆?xún)A向保守，意味著(zhù)產(chǎn)能擴張甚至技術(shù)轉進(jìn)都將趨緩，除了欲將價(jià)格維持在今年下半年的水平，持續且穩定的獲利也將是明年首要目標，預估2018年DRAM產(chǎn)業(yè)的供給年成長(cháng)率為19.6%，維持在近年來(lái)的低點(diǎn)，加上2018年整體DRAM需求端年成長(cháng)預計將達20.6%，供給吃緊的態(tài)勢將延續。 DRAMeXchange研究協(xié)理吳
- 關(guān)鍵字： DRAM 美光
DRAM市場(chǎng)：海力士率先擴產(chǎn)，其他企業(yè)能否緊隨其后
- DRAM存儲器是有史以來(lái)價(jià)格波動(dòng)最劇烈的IC產(chǎn)品。下圖是DRAM波動(dòng)性強的又一例證， 自2016年7月16日至2017年7月17日，短短一年時(shí)間，DRAM價(jià)格已經(jīng)翻了一番還要多。市場(chǎng)調研機構IC Insights表示，2017年DRAM單位存儲價(jià)格(price per bit)漲幅將超過(guò)40%，為史上最高。 僅僅一年前，DRAM采購商還在盡可能利用產(chǎn)能過(guò)剩狀況來(lái)向DRAM制造商壓價(jià)，根本不管DRAM制造商在這樣低價(jià)合同上會(huì )賠多少錢(qián)?，F在，DRAM制造商正在“復仇”，不斷漲
- 關(guān)鍵字： DRAM 海力士
臺專(zhuān)家：中國半導體發(fā)展模式的探討
- 大陸半導體業(yè)發(fā)展進(jìn)程在歷經(jīng)萌芽期、自力更生的初創(chuàng )時(shí)期、改革開(kāi)放前的起步探索時(shí)期、改革開(kāi)放初期的開(kāi)發(fā)引進(jìn)時(shí)期、全面布局的重點(diǎn)建設時(shí)期、高速發(fā)展期等階段之后，2014年迄今持續處于黃金發(fā)展期，當中2014年6月國務(wù)院發(fā)布的《國家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展推進(jìn)綱要》、國家集成電路大基金，更成為中國半導體業(yè)發(fā)展最大的轉捩點(diǎn)。 爾后不論是中國制造2025、十三五規劃等新世紀發(fā)展戰略的帶動(dòng)，或是2017年1月工業(yè)和資訊化部、國家發(fā)改委正式宣布《資訊產(chǎn)業(yè)發(fā)展指南》，確定集成電路等九大資訊產(chǎn)業(yè)將是
- 關(guān)鍵字： 半導體 DRAM
美光：未來(lái)兩季 DRAM供不應求
- 美光全球制造副總裁艾倫昨(6)日表示，未來(lái)兩季DRAM仍是供不應求，產(chǎn)業(yè)仍處于健康穩定狀態(tài)。 他強調，美光在上季公布財報時(shí)也預估本季營(yíng)收和獲利展望，同時(shí)看好DRAM和儲存型閃存(NANDFlash)未來(lái)營(yíng)運表現。目前DRAM和NANDFlash需求非常強勁，但供應端產(chǎn)能提升的速度仍無(wú)法滿(mǎn)足市場(chǎng)需求，預估未來(lái)兩季，DRAM仍供不應求，產(chǎn)業(yè)處于健康狀態(tài)。 艾倫指出，美光目前在DRAM的投資策略，著(zhù)眼于制程技術(shù)推進(jìn)，短期內不會(huì )增建新廠(chǎng)。目前其他二家主要DRAM制造大廠(chǎng)，包括三星、SK海力士，也是
- 關(guān)鍵字： 美光 DRAM
聚焦20納米DRAM！華邦電111億美元建新廠(chǎng) 規劃每月4萬(wàn)片產(chǎn)能
- 中國臺灣地區DRAM大廠(chǎng)華邦電5日宣布，在南科投資新廠(chǎng)的計劃已經(jīng)獲得臺灣科技部科學(xué)工業(yè)園區審議委員會(huì )的核準，總投資金額達新臺幣3,350億元(約合111億美元)。若以之前華邦電董事長(cháng)焦佑鈞所說(shuō)，建廠(chǎng)時(shí)間預計3年的情況下，則新廠(chǎng)2020年將可進(jìn)入投產(chǎn)。 華邦電為臺灣地區的DRAM大廠(chǎng)，目前僅有中科的一座12寸廠(chǎng)。2016年的年產(chǎn)能約4.3萬(wàn)片，2017年年底將擴增至4.8萬(wàn)片，2018年底則擴增到5.3萬(wàn)片。未來(lái)，最大的擴充能量到5.5萬(wàn)片時(shí)就已經(jīng)將當前臺中廠(chǎng)的剩余空間給全部用光。 因此，面
- 關(guān)鍵字： 華邦電 DRAM
莫大康：中國半導體業(yè)要奮力突圍
- 與美國在半導體先進(jìn)工藝制程等方面的差距，不僅表現在人材，技術(shù)等方面，可能更大的差距在于綜合的國力，以及產(chǎn)業(yè)大環(huán)境的改善，所以此次奮力突圍一定要取得更大的進(jìn)步。 01引言 近期華爾街日報撰文“中國的下一個(gè)目標奪下美國的芯片霸主地位”。明眼人看得很清楚，它是站在美方的立場(chǎng)，歪曲事實(shí)。 此次中國半導體業(yè)的“奮力突圍”，有兩層意義： 一個(gè)是差距大，希望迅速的成長(cháng)，至多是擴大芯片的自給率。 另一個(gè)是西方千方百計的阻礙中國半導體業(yè)的進(jìn)步
- 關(guān)鍵字： NAND DRAM
服務(wù)器DRAM大熱賣(mài)、報價(jià)季季漲 南亞科宜鼎受惠
- 今年下半年英特爾及超微積極推出服務(wù)器新平臺，英特爾Purley平臺已經(jīng)開(kāi)始出貨，超微EPYC服務(wù)器處理器也開(kāi)始放量出貨，而在云端運算、人工智能的帶動(dòng)下，服務(wù)器用DRAM需求大爆增，服務(wù)器用DRAM本季報價(jià)又調漲一成，第四季續漲態(tài)勢無(wú)疑，全年漲幅上看五成，在此趨勢下，專(zhuān)攻服務(wù)器DRAM的南亞科與宜鼎，將會(huì )大受益。 DRAM因缺乏新廠(chǎng)產(chǎn)能開(kāi)出，業(yè)者多采制程推進(jìn)增加有限產(chǎn)出，但是反觀(guān)需求面卻穩健成長(cháng)，帶動(dòng)今年以來(lái)DRAM供需持續吃緊，尤其在產(chǎn)能排擠效益下，服務(wù)器DRAM合約價(jià)今年上半年已大漲逾4成幅度
- 關(guān)鍵字： 服務(wù)器 DRAM
全球半導體企業(yè)紛紛爭霸 中國成為“攪局者”
- 在智能化飛速發(fā)展的今天，全球半導體行業(yè)風(fēng)云變幻，傳統代表廠(chǎng)商相互競爭日益激烈。而中國正逐漸成為“攪局者”，紫光的全球并購拉開(kāi)了中國半導體產(chǎn)業(yè)登上國際舞臺的序幕。然而現在來(lái)看，前途仍然充滿(mǎn)荊棘! 國內掀起半導體產(chǎn)業(yè)并購熱 半導體作為世界性產(chǎn)業(yè)，體現著(zhù)一個(gè)國家的綜合實(shí)力。在日本，半導體被稱(chēng)為“產(chǎn)業(yè)大米”，是所有電子產(chǎn)品生產(chǎn)不可或缺的一種原料之一。 8月23日晚，中國紫光集團斥資240億美元開(kāi)始興建國內首座先進(jìn)存儲芯片廠(chǎng)，消息一經(jīng)傳出，引得國
- 關(guān)鍵字： DRAM 臺積電
全球DRAM供應量不足 HPE內存價(jià)格暴漲
- 據消息人士透露，HPE公司自今日起將其服務(wù)器內存價(jià)格提高了20%，由于目前正處于全球范圍內DRAM供應量短缺的恢復階段，因此該服務(wù)器的相關(guān)組件成本較以往更高，從而導致了此番HPE服務(wù)器內存價(jià)格上漲。與此同時(shí)，各DRAM廠(chǎng)商亦迎來(lái)創(chuàng )紀錄的銷(xiāo)售額新高。 在一封發(fā)送給貿易客戶(hù)的郵件中，HPE公司談到了涉及了這一定價(jià)變動(dòng)，并解釋稱(chēng)：“8月21日星期一，HPE將老版本與低容量?jì)却鍿KU的建議銷(xiāo)售價(jià)格提升10%至20%。” 以下內存產(chǎn)品將受到影響：
- 關(guān)鍵字： DRAM HPE
MRAM接班主流存儲器指日可待
- 隨著(zhù)更多業(yè)者進(jìn)入MRAM市場(chǎng)，STT執行長(cháng)Barry Hoberman在日前受訪(fǎng)時(shí)談到了MRAM帶來(lái)的商機及其可能取代現有主流存儲器技術(shù)的未來(lái)前景。 或許有人會(huì )把2016年形容為磁阻式隨機存取存儲器(MRAM)市場(chǎng)的引爆點(diǎn)。而在那之前，Everspin Technologies是唯一一家出貨商用MRAM產(chǎn)品的公司。不過(guò)，就像Spin Transfer Technologies(STT)執行長(cháng)Barry Hoberman一如既往地表達肯定之意：Everspin的成就有助于其他的MRAM業(yè)者鋪路。
- 關(guān)鍵字： MRAM DRAM
三星移動(dòng)DRAM逆勢調漲 SK海力士或可望受惠
- 傳三星電子(Samsung Electronics)與全球智能手機業(yè)者，協(xié)商提高移動(dòng)DRAM(Mobile DRAM)價(jià)格過(guò)程占了上風(fēng)，將有助于2017年下半的半導體事業(yè)獲利表現。三星電子這項舉動(dòng)，可望讓同為韓國存儲器大廠(chǎng)的SK海力士(SK Hynix)跟著(zhù)受惠。 韓媒Business Post引述業(yè)界看法，指出三星電子預計從2017年第4季起，針對大中華地區智能手機業(yè)者，祭出10~20%的移動(dòng)DRAM價(jià)格調漲策略，部分韓媒則是指出，三星電子這項舉動(dòng)僅針對部分中低價(jià)智能手機業(yè)者。 韓國業(yè)界
- 關(guān)鍵字： 三星 DRAM
dram介紹
DRAM（Dynamic Random-Access Memory），即動(dòng)態(tài)隨機存儲器最為常見(jiàn)的系統內存。DRAM 只能將數據保持很短的時(shí)間。為了保持數據，DRAM使用電容存儲，所以 必須隔一段時(shí)間刷新（refresh）一次，如果存儲單元沒(méi)有被刷新，存儲的數據就會(huì )丟失。 它的存取速度不快，在386、486時(shí)期被普遍應用。
動(dòng)態(tài)RAM的工作原理 動(dòng)態(tài)RAM也是由許多基本存儲元按照行和列來(lái)組 [ 查看詳細 ]
dram相關(guān)帖子
dram資料下載
dram專(zhuān)欄文章
關(guān)于我們 -
廣告服務(wù) -
企業(yè)會(huì )員服務(wù) -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢(xún)有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢(xún)有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473