紫光國芯:DRAM芯片設計技術(shù)處于世界先進(jìn)水平

　　紫光國芯周一在全景網(wǎng)投資者互動(dòng)平臺上回答投資者提問(wèn)時(shí)介紹，DDR4與DDR3相比，單條容量有很大提高，可以實(shí)現較高的容量。另外，頻率和帶寬都有明顯提高。工藝的提高也會(huì )降低工作電壓，有利于更低的功耗。

　　同時(shí)，關(guān)于公司在國內業(yè)界、排名情況，紫光國芯介紹，公司的DRAM芯片設計技術(shù)處于世界先進(jìn)水平，國內稀缺，但目前產(chǎn)品產(chǎn)量很小，市場(chǎng)份額不大。

　　針對投資者關(guān)于公司DDR4存儲器芯片相比DDR3優(yōu)勢的詢(xún)問(wèn)，紫光國芯作出上述回應。

　　1月26日紫光國芯在互動(dòng)平臺表示，公司西安子公司從事DRAM存儲器晶元的設計，目前產(chǎn)品委托專(zhuān)業(yè)代工廠(chǎng)生產(chǎn)。 未來(lái)紫光集團下屬長(cháng)江存儲如果具備DRAM存儲器晶圓的制造能力，公司會(huì )考慮與其合作。