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LPDDR價(jià)格飆漲 2018年8GRAM依然供不應求
- 據外媒報道，DRAMeXchange的最新報告指出，用于移動(dòng)設備的LPDDR DRAM協(xié)議價(jià)在今年第四季度將上漲10%～15%。 此前，LPDDR的價(jià)格是低于PC、服務(wù)器等平臺的，但這些年需求越來(lái)越猛，生產(chǎn)企業(yè)們也開(kāi)始打起高利潤的主意。所以，不排除一些已經(jīng)發(fā)布的千元機和尚未發(fā)布的千元機會(huì )在其售價(jià)上做出調整的可能。而旗艦機方面，因為本身緩沖空間較大，暫時(shí)不會(huì )受到?jīng)_擊。 因為DRAM在整個(gè)2018年的產(chǎn)能依然都弱于需求，預計安卓?jì)却娴能妭涓傎悤?huì )暫時(shí)停留在8GB，甚至像三星、華為等依然維持6GB
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DRAM原理 5 ：DRAM Devices Organization
- DRAM原理 5 ：DRAM Devices Organization-隨著(zhù)系統對內存容量、帶寬、性能等方面的需求提高，系統會(huì )接入多個(gè) DRAM Devices。而多個(gè) DRAM Devices 不同的組織方式，會(huì )帶來(lái)不同的效果。本文將對不同的組織方式及其效果進(jìn)行簡(jiǎn)單介紹。
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手把手教你FPGA存儲器項使用DRAM
- 某些FPGA終端，包含板載的、可以動(dòng)態(tài)隨機訪(fǎng)問(wèn)的存儲塊(DRAM)，這些存儲塊可以在FPGA VI中直接訪(fǎng)問(wèn)，速率非常高?！ RAM可以用來(lái)緩存大批量的數據，而且速度可以非?？?。針對一些特殊應用，比如：瞬時(shí)帶寬非常高，而且有要保存原始數據的時(shí)候，就可以用DRAM做一個(gè)大的FIFO緩沖?！ RAM的大小每塊板卡可能不同，一般在官網(wǎng)中對應板卡的說(shuō)明中都會(huì )標明DRAM的大小(如果有DRAM的話(huà))。比如，PXIe-7966R就有512M的DRAM空間?！ ttp://sine.ni.com/n
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內存條掀起的漲價(jià)潮：國產(chǎn)手機漲價(jià) 三星成最大贏(yíng)家
- “2017年DRAM價(jià)格漲幅將達到39%”，ICInsights在2017年第三季度做出預計。當下，以DRAM為代表的半導體存儲器在全球范圍內掀起漲價(jià)潮。 DRAM作為半導體存儲器的產(chǎn)品類(lèi)型之一，常見(jiàn)產(chǎn)品形態(tài)是內存條，主要的兩個(gè)應用市場(chǎng)是PC和智能手機。據京東商城官網(wǎng)顯示，金士頓DDR424008G臺式機內存在半年內價(jià)格從400元左右漲至800元左右，同時(shí)金立集團董事長(cháng)劉立榮在9月25日媒體交流會(huì )上稱(chēng)，國產(chǎn)手機下半年仍會(huì )漲價(jià)，部分原因是內存成本上升。 集邦咨詢(xún)半導體
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威剛:DRAM缺貨延續至明年第2季
- 臺灣內存模塊廠(chǎng)威剛指出，由于服務(wù)器、智能手機及 PC 等 3 大市場(chǎng)在下半年需求陸續回溫， DDR4 在需求面三箭齊發(fā)下處于全面性的嚴重缺貨。 不但價(jià)格持續走揚，PC 大廠(chǎng)及渠道客戶(hù)也積極備貨，NAND Flash 閃存也在中國智能手機大廠(chǎng)積極備貨的推動(dòng)下，價(jià)格仍呈多頭格局。 威剛進(jìn)一步指出，在國際數據中心大廠(chǎng)對 DRAM 需求快速擴張之下，全球 DRAM 廠(chǎng) 2017 年皆無(wú)新增產(chǎn)線(xiàn)的投入，上游 DRAM 廠(chǎng)多以移轉 PC DRAM 產(chǎn)能因應，導致 PC DRAM 供給面臨嚴重的產(chǎn)能排擠效應，
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分析師：顯卡價(jià)格將水漲船高 短期不可能回落
- AMD今年的新顯卡系列在性能上能與老對手NVIDIA的產(chǎn)品相匹敵，因此不少人覺(jué)得雙方的競爭會(huì )拉低顯卡價(jià)格。但是，分析師卻并不這么認為。 日本瑞穗金融集團分析師Vijay Rakesh認為，NVIDIA顯卡在下季度不僅會(huì )需求高漲，銷(xiāo)量可能也會(huì )超過(guò)預期30-50%之多。但這些需求增長(cháng)并非來(lái)自于游戲玩家，而是加密貨幣礦工。 由于需求增長(cháng)幅度如此之高，供應鏈也遭遇了非常大的壓力，因為制造顯卡所需的DRAM已經(jīng)開(kāi)始出現短缺。根據行業(yè)研究公司ICInsight的預計，DRAM的每比特價(jià)格將提高40%，
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晉華明年第四季完成DRAM第一階段開(kāi)發(fā)
- 聯(lián)電和兩名員工遭到內存大廠(chǎng)美光指控妨礙營(yíng)業(yè)秘密，并遭到臺中地檢署起訴，共同總經(jīng)理簡(jiǎn)山杰認為是遭到「商業(yè)間諜」構陷入罪，但強調DRAM計劃不變，將于明年第4季完成第一階段技術(shù)開(kāi)發(fā)。 聯(lián)電DRAM項目主要與福建晉華合作。 簡(jiǎn)山杰表示，對于司法中的案件原本不應多言，但聯(lián)電極有可能碰到所謂的「商業(yè)間諜」，高度懷疑「帶槍投靠」是假的，可能「構陷入罪」才是真。 簡(jiǎn)山杰質(zhì)疑，主要涉案員工夫婦本來(lái)都在美光上班，其中先生去年4月主動(dòng)跳槽聯(lián)電;據說(shuō)，遭檢方搜索以后，妻子就被美光停職;涉案人全數認罪后，妻子就復
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看RRAM如何“智斗”NAND flash和DRAM
- 你如果問(wèn)當前內存市場(chǎng)是誰(shuí)的天下?那么答案一定是DRAM、NAND flash、NOR flash,三者牢牢控制著(zhù)內存市場(chǎng),當前都處于供不應求的狀態(tài)。不過(guò),在內存天下三分的大背景下,新一代存儲技術(shù)3D X-point、MRAM、RRAM等開(kāi)始發(fā)出聲音, RRAM非易失性閃存技術(shù)是其中進(jìn)展較快的一個(gè)。到目前為止,RRAM的發(fā)展進(jìn)程已經(jīng)超越了英特爾的3D X-point技術(shù), Crossbar公司市場(chǎng)和業(yè)務(wù)拓展副總裁Sylvain Dubois在2017中芯國際技術(shù)研討會(huì )上接受與非網(wǎng)的采訪(fǎng)時(shí)說(shuō):&ldquo
- 關(guān)鍵字： RRAM DRAM
將DRAM技術(shù)根留臺灣的聯(lián)電 為何硬被扣上竊密罪
- 聯(lián)電日前與大陸福建晉華合作開(kāi)發(fā)DRAM技術(shù)的案子中，因有美光(Micron)的離職員工將技術(shù)帶到聯(lián)電任職，不只是員工個(gè)人被起訴，聯(lián)電也被臺中地檢署根據違反營(yíng)業(yè)秘密法而被起訴，理由是“未積極防止侵害他人營(yíng)業(yè)秘密”，因此視為共犯。 我們可以從三大層面來(lái)探討聯(lián)電和大陸合作開(kāi)發(fā)DRAM技術(shù)的案子。第一，臺灣半導體產(chǎn)業(yè)在這個(gè)合作案當中，損失了什么?;第二，聯(lián)電在建立DRAM自主技術(shù)的過(guò)程中，有無(wú)竊取美光技術(shù)?;第三，如果企業(yè)沒(méi)有教唆員工竊密，只因為“未積極防范&rdqu
- 關(guān)鍵字： DRAM 聯(lián)電
dram介紹
DRAM（Dynamic Random-Access Memory），即動(dòng)態(tài)隨機存儲器最為常見(jiàn)的系統內存。DRAM 只能將數據保持很短的時(shí)間。為了保持數據，DRAM使用電容存儲，所以 必須隔一段時(shí)間刷新（refresh）一次，如果存儲單元沒(méi)有被刷新，存儲的數據就會(huì )丟失。 它的存取速度不快，在386、486時(shí)期被普遍應用。
動(dòng)態(tài)RAM的工作原理 動(dòng)態(tài)RAM也是由許多基本存儲元按照行和列來(lái)組 [ 查看詳細 ]
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