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紫光國芯:DRAM未來(lái)會(huì )考慮與長(cháng)江存儲合作
- 紫光國芯26日在互動(dòng)平臺表示，公司西安子公司從事DRAM存儲器晶元的設計，目前產(chǎn)品委托專(zhuān)業(yè)代工廠(chǎng)生產(chǎn)。 未來(lái)紫光集團下屬長(cháng)江存儲如果具備DRAM存儲器晶元的制造能力，公司會(huì )考慮與其合作。 前不久，針對“存儲芯片行業(yè)增長(cháng)很快，為什么西安紫光國芯的毛利率如此低?”的提問(wèn)，紫光國芯副總裁杜林虎及董秘阮麗穎在與投資機構進(jìn)行互動(dòng)問(wèn)答時(shí)表示，西安紫光國芯從事DRAM存儲芯片的設計業(yè)務(wù)，公司自身沒(méi)有制造環(huán)節，但市場(chǎng)上DRAM的代工廠(chǎng)很少，特別是在市場(chǎng)需求旺盛的時(shí)期，公司由于規模較小，產(chǎn)
- 關(guān)鍵字： 紫光 DRAM
紫光國芯第四代DRAM芯片明年上市 北方華創(chuàng )搶占14nm設備市場(chǎng)
- 近兩日連續大漲的紫光國芯在接受數家機構調研時(shí)表示，前三季因研發(fā)投入加大及市場(chǎng)競爭加劇，整體毛利率下降，導致業(yè)績(jì)下降。目前第四季度經(jīng)營(yíng)好于預期，對全年業(yè)績(jì)估計相對樂(lè )觀(guān)，公司積極開(kāi)拓集成電路業(yè)務(wù)市場(chǎng)，營(yíng)業(yè)收入穩定增長(cháng)。紫光國芯預計，公司2017年全年凈利潤為2.35億元～3.36億元，上年同期為3.36億元，同比變動(dòng)-30%～0%。前三季度，紫光國芯實(shí)現營(yíng)業(yè)收入13.08億元，同比增長(cháng)31.31%;凈利潤為2.13億元，同比下降22.912%。紫光國芯表示，公司FPGA產(chǎn)品目前處于研發(fā)投入階段，已投入自有
- 關(guān)鍵字： 紫光國芯 DRAM
數據中心需求熱，SK海力士第三季營(yíng)收大幅增長(cháng)30.1%
- 根據集邦咨詢(xún)半導體研究中心(DRAMeXchange)調查顯示，在北美數據中心的需求持續強勁，以及DRAM供給端產(chǎn)能與制程受限制下，并不能滿(mǎn)足整體服務(wù)器內存市場(chǎng)需求，Server DRAM供不應求的情形在第三季度更為顯著(zhù)。受到平均零售價(jià)(Average Selling Price)墊高帶動(dòng)，三大DRAM原廠(chǎng)第三季營(yíng)收成長(cháng)約25.2%。 DRAMeXchange分析師劉家豪指出，進(jìn)入第四季，在服務(wù)器出貨動(dòng)能不減的情況下，整體Server DRAM供不應求的狀況將更為明顯，Server DRAM第四
- 關(guān)鍵字： SK海力士 DRAM
存儲器廠(chǎng)調漲DRAM合約價(jià) 明年Q1價(jià)格仍有望居高不下
- DRAM漲勢不斷，后遺癥逐步顯現，渠道商表示，因存儲器漲幅過(guò)大，下游應用端，尤其是筆電和部分智能手機等市場(chǎng)，不堪侵蝕獲利，已開(kāi)始朝降低搭載量抵制，加上部分新產(chǎn)量陸續在2019年產(chǎn)出，研判明年下半年，DRAM漲勢將止步，價(jià)格有下調壓力。 調研機構研究報告顯示，三星、SK海力士及福建晉華、合肥睿力等公司的增產(chǎn)計劃，都為未來(lái)DRAM市場(chǎng)投下新變數，明年DRAM產(chǎn)值雖仍可成長(cháng)11.8%，但成長(cháng)已低于今年的67.8%，到2019年，在新產(chǎn)能增加，重陷價(jià)格戰下，年產(chǎn)值將衰選25.9%，且預估有2年的殺戮戰。
- 關(guān)鍵字： 存儲器 DRAM
DRAM缺貨恐延至明年 兩大模組廠(chǎng)喊缺
- 臺灣兩大存儲器模組廠(chǎng)威剛與創(chuàng )見(jiàn)一致認為，動(dòng)態(tài)隨機存取存儲器( DRAM )將持續缺貨。威剛預期，DRAM缺貨情況可能延續到明年。 威剛指出，全球人工智能與物聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)業(yè)蓬勃發(fā)展，帶動(dòng)云端基礎設備及服務(wù)規模大舉躍升，連帶刺激全球DRAM需求急遽成長(cháng)。 只是全球DRAM大廠(chǎng)近年都專(zhuān)注于制程改良，并未就新增產(chǎn)能進(jìn)行巨額投資，威剛表示，這使得今年來(lái)全球DRAM缺貨問(wèn)題不斷延燒。 創(chuàng )見(jiàn)預期，第4季DRAM市場(chǎng)仍將持續供不應求，產(chǎn)品價(jià)格也將維持高檔。 威剛更指出，韓系DRAM大廠(chǎng)已預告明年第1
- 關(guān)鍵字： DRAM
DRAM核心設計的新舊存取技術(shù)差異
- 本文討論不同的存取技術(shù)對于DRAM在進(jìn)行實(shí)體設計時(shí)所發(fā)生的改變，尤其是指由1電晶體+1電容器組成的儲存單元——DRAM的最小記憶單位… 不同的存取技術(shù)對于動(dòng)態(tài)隨機存取存儲器(DRAM)在進(jìn)行實(shí)體設計時(shí)將發(fā)生什么改變?當動(dòng)態(tài)隨機存取存儲器(DRAM)中的儲存單元(storage cell)加上控制端點(diǎn)以及數據端點(diǎn)后，就被稱(chēng)為1T1C DRAM單元;其中，控制端點(diǎn)也就是字組線(xiàn)(WL)，用于傳遞位址訊號，數據端點(diǎn)也就是位元線(xiàn)(BL)，用于傳遞數據值。 陣列結
- 關(guān)鍵字： DRAM
蘋(píng)果掃貨 DRAM本季已漲10% 下季料將續漲5%
- 由于蘋(píng)果包下了三星、SK海力士、美光等三大廠(chǎng)第四季行動(dòng)式DRAM產(chǎn)能，在產(chǎn)能排擠效應發(fā)酵下，標準型、服務(wù)器、利基型等DRAM持續缺貨，第四季合約價(jià)順利再漲6～10%，業(yè)界對明年第一季淡季續漲5%已有高度共識，法人點(diǎn)名南亞科、華邦電、威剛將受惠最大。 南亞科受惠于DRAM合約價(jià)順利調漲，加上20納米制程新產(chǎn)能全面開(kāi)出，6日公告10月合并營(yíng)收月增9.2%達新臺幣50.72億元，創(chuàng )下單月?tīng)I收歷史新高，與去年同期相較亦大增32.7%。華邦電及威剛尚未公告10月?tīng)I收，但法人樂(lè )觀(guān)預估華邦電營(yíng)收將介于新臺幣4
- 關(guān)鍵字： 蘋(píng)果 DRAM
三星擴產(chǎn)留一手 DRAM缺貨到明年
- 包括三星、SK海力士、美光等三大DRAM廠(chǎng)近2年來(lái)產(chǎn)能擴張幅度有限，加上20納米以下先進(jìn)制程轉換難度提高，DRAM位元供給成長(cháng)明顯較往年放緩。但由需求面來(lái)看，智慧型手機搭載容量快速增加，物聯(lián)網(wǎng)及汽車(chē)電子的需求亦進(jìn)入倍數成長(cháng)階段。也因此，在供給吃緊情況下，DRAM價(jià)格由去年下半年一路漲到今年底，累計漲幅已將超過(guò)1倍。 以4GBDDR4模組合約價(jià)來(lái)看，去年第3季平均價(jià)格僅13美元，但今年第4季價(jià)格已大漲至30.5美元，不僅價(jià)格已連續6季度調漲，累計漲幅亦超過(guò)1.3倍。想當然爾，DRAM價(jià)格大漲也明顯
- 關(guān)鍵字： 三星 DRAM
蘋(píng)果掃貨DRAM漲不停本季已漲10％，下季料將續漲5％
- 由于蘋(píng)果包下了三星、SK海力士、美光等三大廠(chǎng)第四季移動(dòng)式DRAM產(chǎn)能，在產(chǎn)能排擠效應發(fā)酵下，標準型、服務(wù)器、利基型等DRAM持續缺貨，第四季合約價(jià)順利再漲6～10%，業(yè)界對明年第一季淡季續漲5%已有高度共識，法人點(diǎn)名南亞科、華邦電、威剛將受惠最大。 南亞科受惠于DRAM合約價(jià)順利調漲，加上20納米制程新產(chǎn)能全面開(kāi)出，昨(6)日公告10月合并營(yíng)收月增9.2%達50.72億元，創(chuàng )下單月?tīng)I收歷史新高，與去年同期相較亦大增32.7%。華邦電及威剛尚未公告10月?tīng)I收，但法人樂(lè )觀(guān)預估華邦電營(yíng)收將介于43～4
- 關(guān)鍵字： DRAM 存儲器
DRAM風(fēng)云錄，國產(chǎn)廠(chǎng)商也要入局
- 三星、SK海力士和鎂光，這三家大佬目前占據了市場(chǎng)上95%的份額，現在國產(chǎn)存儲研發(fā)成功，但是良率能否提升、量產(chǎn)能否實(shí)現，也仍然存在較大不確定性，從研發(fā)成功至量產(chǎn)并形成銷(xiāo)售需要長(cháng)達幾年時(shí)間。
- 關(guān)鍵字： DRAM
dram介紹
DRAM（Dynamic Random-Access Memory），即動(dòng)態(tài)隨機存儲器最為常見(jiàn)的系統內存。DRAM 只能將數據保持很短的時(shí)間。為了保持數據，DRAM使用電容存儲，所以 必須隔一段時(shí)間刷新（refresh）一次，如果存儲單元沒(méi)有被刷新，存儲的數據就會(huì )丟失。 它的存取速度不快，在386、486時(shí)期被普遍應用。
動(dòng)態(tài)RAM的工作原理 動(dòng)態(tài)RAM也是由許多基本存儲元按照行和列來(lái)組 [ 查看詳細 ]
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