明年上半年DRAM吃緊、NAND恐供大于求

　　內存明年市況恐將不同調，DRAM市場(chǎng)仍將持續吃緊，NAND Flash市場(chǎng)則將于明年上半年轉為供過(guò)于求。

　　DRAM 與 NAND Flash 市場(chǎng)今年都處于供不應求狀態(tài)，產(chǎn)品價(jià)格同步高漲，只是業(yè)界普遍預期，明年 DRAM 與 NAND Flash 市況恐將不同調。

　　內存模塊廠(chǎng)創(chuàng )見(jiàn)指出，DRAM 市場(chǎng)供貨持續吃緊，價(jià)格未見(jiàn)松動(dòng)跡象。 NAND Flash 方面，隨著(zhù) 3D NAND Flash 技術(shù)日益成熟，生產(chǎn)良率改善，可望填補供貨缺口。

　　另一內存模塊廠(chǎng)威剛表示，短期內全球 DRAM 大廠(chǎng)仍理性看待產(chǎn)能議題，并未有大幅破壞產(chǎn)業(yè)生態(tài)的計劃，持續正面看待 DRAM 市況。

　　NAND Flash 方面，威剛指出，隨著(zhù)供貨商 3D NAND Flash 良率逐步改善，預期明年第 1 季整體供需將出現轉變。

　　美光預期，明年 DRAM 位供給將增加約 20%，市場(chǎng)環(huán)境仍將持續健康;NAND Flash 位供給則將增加近 50%，供給增加幅度將遠高于 DRAM。