三星DRAM“霸主”地位難撼動(dòng)！已開(kāi)發(fā)出全球最小DRAM內存芯片

　　繼 2016 年 2 月三星使用第一代 10nm 制程工藝生產(chǎn)出了 8Gb DDR4 芯片之后，三星電子今日又宣布已開(kāi)始通過(guò)第二代 10nm 制程工藝生產(chǎn) 8Gb DDR4 芯片。另?yè)吠干鐖蟮溃?a class="contentlabel" href="http://dyxdggzs.com/news/listbylabel/label/三星">三星開(kāi)發(fā)的 8Gb DDR4 芯片是“全球最小”的 DRAM 芯片。

　　據悉，和第一代 10nm 工藝相比，三星第二代 10nm 工藝的產(chǎn)能提高了 30%，有助于公司滿(mǎn)足全球客戶(hù)不斷飆升的 DRAM 芯片需求。此外，第二代 10nm 芯片不僅比第一代快 10%，同時(shí)功耗又降低了 15%。

　　三星表示，和 2012 年使用 20nm 工藝生產(chǎn)的 4Gb DDR3 芯片相比，新的 8Gb DDR4 芯片在容量、速度以及功效上都提升了一倍。三星希望通過(guò)擴大 10nm DRAM 芯片的生產(chǎn)，深挖服務(wù)器、移動(dòng)和圖形芯片市場(chǎng)，進(jìn)一步提升整體競爭力。

　　同時(shí)，三星還表示，將在 2018 年把現有多數 DRAM 芯片產(chǎn)能轉移到 10nm 芯片上。

　　長(cháng)期以來(lái)，DRAM 行業(yè)一直由三強把持。韓國的三星電子、SK海力士以及美國的美光科技擁有該領(lǐng)域的絕對話(huà)語(yǔ)權，三者的座次也相對固定。2017年三季度數據顯示，這三家企業(yè)的營(yíng)收市占率分別為45.8%、28.7%和21.0%，共豪取九成份額。

　　尤其是三星，自 1992 年超越日本 NEC 成為全球最大 DRAM 存儲制造商之后，便一直霸占榜首的位置 25 年。而三星 2017 年的業(yè)務(wù)也異乎尋常地亮眼，可以說(shuō)，半導體業(yè)務(wù)是運營(yíng)利潤的主要貢獻者。

　　三星最新的財報顯示，三星今年第三季度利潤翻倍，達到 842 億元，同比增長(cháng)達到了驚人的 178.9%，創(chuàng )下最高記錄。其中，受益于全球芯片價(jià)格上漲，半導體部門(mén)三季度運營(yíng)利潤達 9.96 萬(wàn)億韓元(約合 590.89 億元人民幣)，占整體運營(yíng)利潤的近69%。

　　集微網(wǎng)此前曾報道，自去年二季度起，DRAM(主要包括 PC 內存、移動(dòng)式內存、服務(wù)器內存)產(chǎn)業(yè)營(yíng)收都在一路飆升，每個(gè)季度都在刷新銷(xiāo)售額紀錄。此外，據臺灣 DRAM 相關(guān)廠(chǎng)商透露，三星、海力士陸續通知明年首季調漲 DRAM 售價(jià)3%-5%。

　　根據 Gartner 的分析，從產(chǎn)能增加情況和市場(chǎng)需求的預測，明年上半年DRAM產(chǎn)品仍然會(huì )緊俏，下半年會(huì )達到供需平衡甚至倒轉，但在局部市場(chǎng)一季度就可能看到回落。

　　從目前情況看，三星、海力士開(kāi)始采取行動(dòng)來(lái)予以應對。如三星宣布計劃在平澤設廠(chǎng)擴建 DRAM 產(chǎn)能，SK海力士也宣布將在無(wú)錫設廠(chǎng)擴建 DRAM 產(chǎn)能，主流大廠(chǎng)的擴產(chǎn)計劃很有可能緩解持續上漲的走勢。

　　盡管三星目前釋放出擴建 DRAM 產(chǎn)能的消息，但并沒(méi)有透露擴建規模的相關(guān)計劃。從三星的戰略來(lái)看有未來(lái)有兩種可能，第一種，擴建的產(chǎn)能規模足夠填補當下需求缺口，那么將緩和本輪價(jià)格上漲趨勢;第二，計劃擴建更大產(chǎn)能，那么到明年下半年 PC 內存價(jià)格將呈下降走勢。

　　今年 10 月底，三星電子公司宣布了其領(lǐng)導層改組事宜，并表示將維持目前的三人聯(lián)席CEO管理架構。其中，三星半導體業(yè)務(wù)部門(mén)總裁金奇南接替三星電子首席執行官兼副董事長(cháng)權五鉉的職位。三星表示，公司并不尋求立即擴大芯片出貨量，但會(huì )投資維持長(cháng)期市場(chǎng)地位。