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中國存儲三大陣營(yíng)相繼試產(chǎn),兩年后或取得全球產(chǎn)業(yè)話(huà)語(yǔ)權
- 今年下半年，隨著(zhù)長(cháng)江存儲、福建晉華、合肥長(cháng)鑫國內三大存儲廠(chǎng)商相繼進(jìn)入試產(chǎn)階段，中國存儲產(chǎn)業(yè)將迎來(lái)發(fā)展的關(guān)鍵階段。業(yè)界認為，國內存儲產(chǎn)業(yè)發(fā)展初期雖難大舉撼動(dòng)全球版圖，但或將對全球存儲市場(chǎng)價(jià)格走勢造成影響?！ 《S著(zhù)中美貿易局勢的緊張，以及中國監管機構正式啟動(dòng)對三星、美光、SK海力士等存儲機構的反壟斷調查，中國存儲產(chǎn)業(yè)的發(fā)展也愈發(fā)受到關(guān)注?！ ∧壳?，中國存儲器產(chǎn)業(yè)已經(jīng)形成以投入NAND Flash市場(chǎng)的長(cháng)江存儲、專(zhuān)注于移動(dòng)式內存的合肥長(cháng)鑫，以及致力于利基型內存的福建晉華三大陣營(yíng)?！ 〗趥鞒龊戏书L(cháng)鑫投產(chǎn)8
- 關(guān)鍵字： NAND DRAM
美光科技就中國福建省專(zhuān)利訴訟案件的聲明
- 美光科技有限公司(納斯達克代碼：MU)宣布，中國福建省福州市中級人民法院于今日通知美光科技的兩家中國子公司，針對聯(lián)華電子股份有限公司(以下簡(jiǎn)稱(chēng)“聯(lián)電”)與福建省晉華集成電路有限公司(以下簡(jiǎn)稱(chēng)“晉華”)提起專(zhuān)利侵權訴訟的案件，該法院已批準向美光科技兩子公司裁定初步禁令。這次聯(lián)電和晉華提起專(zhuān)利侵權訴訟，實(shí)為報復此前臺灣檢察機關(guān)針對聯(lián)電及其三名員工侵犯美光商業(yè)機密提起的刑事訴訟，以及美光科技就此針對聯(lián)電和晉華向美國加利福尼亞北區聯(lián)邦地區法院提起的民事訴訟?！ ≡摮醪浇罱姑拦饪萍純芍袊庸驹谥袊圃?、銷(xiāo)
- 關(guān)鍵字： 美光科技 DRAM NAND
重拳！美芯片巨頭在華遭禁售
- 此次對美國芯片巨頭美光(Micron)發(fā)出“訴中禁令”雖不是最終判決，但似乎暗示美光確實(shí)存在侵權行為。而這是中國發(fā)展半導體一路被指稱(chēng)“竊密”和“侵權”以來(lái)，首次成功重拳回擊。
- 關(guān)鍵字： 芯片，美光，DRAM
傳三星、SK海力士18nm DRAM出現良率問(wèn)題，市場(chǎng)價(jià)格增添變量
- 受惠于市場(chǎng)需求強力推升，服務(wù)器存儲器供應持續吃緊，近來(lái)市場(chǎng)傳出，存儲器龍頭廠(chǎng)三星與海力士18nm制程出現良率問(wèn)題，應用于高階服務(wù)器產(chǎn)品遭到退貨，包括美國及大陸廠(chǎng)商已要求暫時(shí)停止出貨。盡管三星對外刻意采取低調，但多家臺灣地區業(yè)者近日仍紛紛接獲消息，業(yè)界預計最快1~2個(gè)月左右應可改善良率，但由于第3季DRAM價(jià)格預期將緩步上升，如今再受到高階DRAM產(chǎn)出供不應求，將為下半年市場(chǎng)價(jià)格漲幅投下變量?！ 「鶕袌?chǎng)消息傳出，三星及SK海力士先后于5月起傳出18nm制程出現質(zhì)量疑慮，并遭到數據中心客戶(hù)退貨，且在改善
- 關(guān)鍵字： SK海力士 DRAM
DRAM漲價(jià)驅動(dòng)，全球服務(wù)器銷(xiāo)額增33%、高于銷(xiāo)量升幅
- Gartner 6月11日公布，2018年第1季全球服務(wù)器銷(xiāo)售額年增33.4%至166.93億美元、出貨量年增17.3%?！ artner研究副總裁Jeffrey Hewitt指出，服務(wù)器市場(chǎng)是由超大規模(Hyperscale)數據中心以及企業(yè)與中型數據中心支出攀高所驅動(dòng)。他還提到，服務(wù)器第1季銷(xiāo)售均價(jià)上揚的原因之一是DRAM價(jià)格因供給吃緊而走高?！ artner統計顯示，2018年第1季北美服務(wù)器銷(xiāo)售額、出貨量分別成長(cháng)34%、24.3%，亞太分別成長(cháng)47.8%、21.9%，歐洲、中東與非洲(EM
- 關(guān)鍵字： DRAM
中國存儲芯片要打破美日韓的壟斷局面尚需時(shí)間
- 受中美競爭特別是中興事件的影響，國內對芯片的重視程度被進(jìn)一步拔高，而在存儲芯片方面隨著(zhù)三大存儲芯片企業(yè)長(cháng)江存儲、合肥長(cháng)鑫和福建晉華的快速推進(jìn)讓人看到中國存儲芯片企業(yè)有機會(huì )打破當前由美日韓企業(yè)壟斷的局面，不過(guò)要打破這一局面還需要時(shí)間?！ ∶廊枕n壟斷存儲芯片市場(chǎng) 存儲芯片主要分為兩種，分別是DRAM和NAND flash，在我們日常見(jiàn)到的產(chǎn)品中分別是PC用的DRAM內存條和SSD硬盤(pán)，這兩類(lèi)產(chǎn)品在各個(gè)行業(yè)都有廣泛的應用，而且隨著(zhù)各個(gè)產(chǎn)業(yè)的發(fā)展這兩類(lèi)產(chǎn)品的重要性正日益凸顯，這也導致存儲芯片價(jià)格自2016年
- 關(guān)鍵字： 芯片，DRAM
無(wú)錫SK海力士工廠(chǎng)突發(fā)火災，DRAM又要漲價(jià)了？
- SK海力士在無(wú)錫可謂多災多難。2008年曾經(jīng)停電4個(gè)小時(shí)，2013年又發(fā)生重大火災，都有大量晶圓報廢，對全球DRAM內存、NAND閃存供應造成重大影響。
- 關(guān)鍵字： SK海力士，DRAM
中國不滿(mǎn)DRAM漲太兇，傳代陸廠(chǎng)向三星、SK海力士殺價(jià)
- 韓國兩大存儲器廠(chǎng)三星、SK海力士傳被中國商務(wù)部旗下反壟斷主管機關(guān)約談，且被要求對中國科技廠(chǎng)調降存儲器售價(jià)?！ №n國媒體KoreaTimes.com報導，去年存儲器價(jià)格飛漲不停，大幅侵蝕中國智能手機、PC廠(chǎng)的利潤，中國政府要求三星與SK海力士降價(jià)顯然為此而來(lái)。據統計，全球75%的DRAM供給掌握在三星、SK海力士的手里?！ ≈袊翼n國存儲器雙雄的碴，背后還有其它動(dòng)機，推測應該與技術(shù)交叉授權有關(guān)。熟知內情的人士指出，盡管三星、SK海力士都在中國設廠(chǎng)，但產(chǎn)品采用的技術(shù)落后韓國廠(chǎng)至少兩個(gè)世代，且極少交叉授
- 關(guān)鍵字： DRAM 三星
DRAM/NAND存儲器需求持續增溫 南亞科、旺宏業(yè)績(jì)看好
- 隨物聯(lián)網(wǎng)時(shí)代來(lái)臨，數據中心、高速傳輸的5G受重視，研調單位指出，協(xié)助運算處理的DRAM與資訊儲存的NAND Flash等需求也持續增溫，南亞科(2408)日前表示，今年DRAM市場(chǎng)仍供不應求，帶動(dòng)存儲器族群行情向上，旺宏(2337)在權證市場(chǎng)同受關(guān)注，昨(29)日登上成交金額之首?！ ∧蟻喛谱蛉展蓛r(jià)雖然收小黑，小跌0.4%，收在98.9元(新臺幣，后同)，但獲外資逆勢敲進(jìn)逾2,000張，頗有逢低承接意味?！ ∧蟻喛平衲晔准久抗捎?EPS)達2.39元，隨著(zhù)DRAM市場(chǎng)仍持續供不應求，對今年整體營(yíng)運表
- 關(guān)鍵字： DRAM NAND
這一廣泛使用的器件中國技術(shù)不差，差距在于產(chǎn)業(yè)化
- 特朗普政府發(fā)起的貿易戰雖然收場(chǎng)，但這幾個(gè)月，人們開(kāi)始尋找中國可能被卡脖子的短板，中國大量進(jìn)口的IGBT也被挖了出來(lái)。有媒體就認為，由于中國IGBT需要大量進(jìn)口，而這個(gè)產(chǎn)業(yè)又被西方國家把持，對于中國正在大力發(fā)展的高鐵和新能源汽車(chē)來(lái)說(shuō)是一個(gè)潛在的威脅。不過(guò)，在IGBT技術(shù)上，中國其實(shí)并不差，大量依賴(lài)進(jìn)口，并非技術(shù)水平不行?！ ≡斐纱罅窟M(jìn)口國外產(chǎn)品的局面，只是因為商業(yè)上和其他一些原因?！ GBT市場(chǎng)基本被外商壟斷 IGBT英文全稱(chēng)是Insulated Gate Bipolar Transistor，也就
- 關(guān)鍵字： IGBT DRAM
韓、臺存儲器廠(chǎng)商瘋狂加碼DRAM產(chǎn)業(yè) 搶占最后的紅利期
- 長(cháng)期以來(lái)，我國的NAND閃存芯片和DRAM內存芯片的需求幾乎全部靠進(jìn)口來(lái)解決，市場(chǎng)長(cháng)期被三星、SK海力士以及美光等存儲器巨頭所壟斷。 以全球存儲芯片市場(chǎng)前兩位的三星和SK海力士為例。數據顯示，三星的全球內存市場(chǎng)占有率為46%，閃存市場(chǎng)占有率為39%。SK海力士的全球內存市場(chǎng)占有率為29%，閃存市場(chǎng)占有率為15%。僅這兩家企業(yè)，就占據了全球75%的內存市場(chǎng)以及閃存市場(chǎng)的半壁江山。如果再加上美光的市場(chǎng)份額，這三家企業(yè)的全球內存市場(chǎng)份額之和達到了95%。 毫無(wú)疑問(wèn)，現在存儲市場(chǎng)話(huà)語(yǔ)權仍被這幾
- 關(guān)鍵字： 存儲器 DRAM
在日美爭奪戰中起飛的韓國半導體
- 韓國政府與企業(yè)的相互配合 1961年，樸正熙發(fā)動(dòng)軍事政變奪取政權，以反對政治貪腐為名趕走了李承晚，建立了威權體制。樸正熙上臺之初宣布要嚴懲“腐敗政治”，發(fā)布了一份包含11位企業(yè)家的名單，要以“發(fā)不義之財”的名義逮捕他們。 排在首位的便是第一制糖(三星的前身)的會(huì )長(cháng)李秉喆。當時(shí)，李秉喆滯留在日本，韓國政府遣人催促他回國，一番猶豫之后，李秉喆在日本開(kāi)了新聞發(fā)布會(huì )，宣布所有家產(chǎn)全部捐獻國家，之后返回韓國。 當時(shí)，樸正熙與李秉喆面談，作為有&l
- 關(guān)鍵字： 半導體 DRAM
DRAM行業(yè)深度報告：期待國產(chǎn)產(chǎn)能釋放改變全球供給格局
- 存儲器市場(chǎng)爆發(fā)，DRAM市場(chǎng)前景看好。2017年全球存儲器市場(chǎng)增長(cháng)率達到60%，首次超越邏輯電路，成為半導體第一大產(chǎn)品。DRAM繼續保持半導體存儲器領(lǐng)域市占率第一。DRAM廠(chǎng)商中，三星、SK海力士和美光均采用IDM模式繼續保持壟斷地位，合計市占率超過(guò)95%，國產(chǎn)廠(chǎng)商開(kāi)始積極布局，2018年將實(shí)現量產(chǎn)，有望逐步改變當前產(chǎn)業(yè)格局。DRAM消費產(chǎn)品中，移動(dòng)終端、服務(wù)器和PC依舊占據頭三名，合計占比86%，未來(lái)將繼續拉動(dòng)DRAM消費增長(cháng)。 三星領(lǐng)先優(yōu)勢明顯，傳統技術(shù)難以替代。三星于2017年開(kāi)始量產(chǎn)第二
- 關(guān)鍵字： DRAM 三星
內存瘋漲將告一段落 NAND/DRAM降價(jià)潮并沒(méi)有來(lái)
- 根據Gartner的報告顯示，在過(guò)去的2017年中，三星已經(jīng)成功取代英特爾，搶下了全球最大芯片制造商的寶座。要知道，英特爾從1992年就一直占據著(zhù)這一寶座，如今被三星超越實(shí)在是無(wú)奈，因為沒(méi)有人能預料到這兩年內存市場(chǎng)會(huì )如此強勁。 也許大家都快忘記了，兩年前8GB的內存條價(jià)格還不到200元，然后8GB內存條的價(jià)格一路上漲到300多、500多、700多，甚至一度要突破千元大關(guān)，用了幾年的二手內存條都還能大賺一筆。內存價(jià)格的飆升也帶動(dòng)了整個(gè)半導體產(chǎn)業(yè)的增長(cháng)，其中三星獲益匪淺，
- 關(guān)鍵字： NAND DRAM
dram介紹
DRAM（Dynamic Random-Access Memory），即動(dòng)態(tài)隨機存儲器最為常見(jiàn)的系統內存。DRAM 只能將數據保持很短的時(shí)間。為了保持數據，DRAM使用電容存儲，所以 必須隔一段時(shí)間刷新（refresh）一次，如果存儲單元沒(méi)有被刷新，存儲的數據就會(huì )丟失。 它的存取速度不快，在386、486時(shí)期被普遍應用。
動(dòng)態(tài)RAM的工作原理 動(dòng)態(tài)RAM也是由許多基本存儲元按照行和列來(lái)組 [ 查看詳細 ]
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