瑞薩推出用戶(hù)端時(shí)脈驅動(dòng)器和第3代RCD

瑞薩電子推出第三代DDR5暫存時(shí)脈驅動(dòng)器（RCD）和第一代用戶(hù)端時(shí)脈驅動(dòng)器（CKD）用于新興的服務(wù)器及用戶(hù)端DDR5 DRAM。藉由這些新的驅動(dòng)器IC，瑞薩成為一家為雙列直插式存儲器模塊（DIMM）、主板和嵌入式應用提供完整DDR5存儲器界面產(chǎn)品組合的供應商。

DDR5 RCD和DDR5 CKD IC使新一代DIMM的速度分別高達6400和7200 MT/s，高于目前的5600 MT/s。瑞薩第三代DDR5 RCD專(zhuān)為暫存式DIMM（RDIMM）而設計。CKD支持最高7200 MT/s的速度，并且是業(yè)界首款針對小型DIMM（SODIMM）、無(wú)緩沖DIMM（UDIMM）、高效能游戲DIMM和嵌入式等的一般用戶(hù)應用。

Balaji Kanigicherla, Corporate Vice President and General Manager of the Advanced Mixed Signal and ASIC Solutions Division at Renesas表示，作為業(yè)界領(lǐng)先的存儲器界面產(chǎn)品供應商，瑞薩將持續為存儲器生態(tài)系統做出貢獻以將效能和功耗提升至新的領(lǐng)域。藉由在制定和實(shí)現DDR5界面規范中所扮演的重要角色，瑞薩將持續成為全球領(lǐng)先的SOC和DRAM廠(chǎng)商在DIMM和系統級應用方面的重要合作夥伴。

Dr. Dimitrios Ziakas, Vice President of Memory and IO Technologies at Intel表示，基于Intel Xeon平臺旨在支持存儲器密集型應用，例如深度學(xué)習和機器學(xué)習的預測分析。第三代RCD是存儲器業(yè)界的一個(gè)重要里程碑，有助于滿(mǎn)足數據中心客戶(hù)對帶寬和容量擴充的需求。用戶(hù)端時(shí)脈驅動(dòng)器是一項業(yè)界創(chuàng )舉，旨在進(jìn)一步增強用戶(hù)端DIMM。瑞薩和英特爾一直與業(yè)界合作，協(xié)助確保第三代RCD和用戶(hù)端時(shí)脈驅動(dòng)器的規范和實(shí)現，以滿(mǎn)足市場(chǎng)需求。

RCD驅動(dòng)器用于緩沖主機控制器和DRAM模塊之間的命令地址（CA）匯流排、芯片選擇和時(shí)脈信號，此外亦可當成BCOM（緩沖通訊匯流排）用于LRDIMM的數據緩沖。新驅動(dòng)器將DFE（決策回授等化）分接點(diǎn)（taps）從4個(gè)增加到6個(gè)來(lái)改善DFE以提升接收器余裕，同時(shí)I2C和I3C的旁帶匯流排可提供對暫存器的直接存取控制。

CKD用于緩沖主機控制器和DRAM之間的時(shí)脈，這是對DDR5 DIMM在最高7200 MT/s運作下的新要求，適用于用戶(hù)端DIMM和嵌入式等應用。新的時(shí)脈驅動(dòng)器支持I2C和I3C旁帶存取以開(kāi)啟非同步控制，提供對內部控制暫存器的存取以設定元件功能，并適應不同的SODIMM和UDIMM配置及嵌入式的應用。

瑞薩已將RCD和CKD驅動(dòng)器與其他產(chǎn)品組合中的兼容元件互相搭配使用成為成功產(chǎn)品組合，例如CKD可與DDR5電源管理IC（PMICs）和串行存在檢測（SPD）集線(xiàn)器搭配。RCD也可與瑞薩的溫度傳感器、SPD Hub、PMICs和數據緩沖器搭配。成功產(chǎn)品組合是經(jīng)過(guò)技術(shù)審查的系統架構，來(lái)自相互兼容的元件，這些元件可完美的搭配使用以帶來(lái)最佳化的低風(fēng)險設計，進(jìn)而加快上市時(shí)間。瑞薩提供超過(guò)400種成功產(chǎn)品組合及各種元件，使客戶(hù)能夠加快設計過(guò)程并更快地將產(chǎn)品推向市場(chǎng)。