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sram 文章 進(jìn)入sram技術(shù)社區
實(shí)戰經(jīng)驗 | STM32G071 從 standby 模式退出后的 SRAM 數據保留
- 01 問(wèn)題的描述某客戶(hù)使用 STM32G071 芯片從 standby 模式下喚醒，想要 SRAM 的數據在退出 standby模式后得以保持。根據手冊的描述，配置了相應的比特位，但是發(fā)現數據仍然保持不了。02 問(wèn)題的復現根據客戶(hù)的描述，以及 STM32G071 的最新版參考手冊 RM0444 發(fā)現，在 standby 模式下，可以通過(guò)設置 PWR_CR3 的 RRS 比特位去控制 SRAM 的保持能力，相應的 API 接口函數為HAL_PWREx_EnableSRAMRetention()、HAL_PW
- 關(guān)鍵字： STM32G071 standby SRAM
SRAM正在測試3D打印原型曲柄
- SRAM正在通過(guò)與芝加哥Generative Design Field Lab的Autodesk軟件，開(kāi)始制造真正可用的3D打印原型曲柄?；谶@種人工智能設計流程，我們可能會(huì )看到完全重新構想的SRAM曲柄投放市場(chǎng)。不容置疑的是，SRAM在這種新的設計方法中投入了大量精力，并且他們已經(jīng)在真實(shí)的道路上，用這款電腦設計的山地車(chē)曲柄進(jìn)行了的多次迭代測試……使用Autodesk，SRAM能夠從空白開(kāi)始，讓人工智能根據曲柄組中的作用力和各種自動(dòng)化制造過(guò)程，為原型曲柄組篩選出最佳的設計形式。到目前為止，似乎SRAM已經(jīng)
- 關(guān)鍵字： SRAM 3D打印
格芯贏(yíng)得AI芯片業(yè)務(wù)
- 像Nvidia這樣的芯片巨頭可以負擔得起7nm技術(shù)，但初創(chuàng )公司和其他規模較小的公司卻因為復雜的設計規則和高昂的流片成本而掙扎不已——所有這些都是為了在晶體管速度和成本方面取得適度的改善。格芯的新型12LP+技術(shù)提供了一條替代途徑，通過(guò)減小電壓而不是晶體管尺寸來(lái)降低功耗。格芯還開(kāi)發(fā)了專(zhuān)門(mén)針對AI加速而優(yōu)化的新型SRAM和乘法累加(MAC)電路。其結果是，典型AI運算的功耗最多可減少75%。Groq和Tenstorrent等客戶(hù)已經(jīng)利用初代12LP技術(shù)獲得了業(yè)界領(lǐng)先的結果，首批采用12LP+工藝制造的產(chǎn)品將于
- 關(guān)鍵字： AI CNN SRAM CPU 芯片
使用帶有片上高速網(wǎng)絡(luò )的FPGA的八大好處
- 引言自從幾十年前首次推出FPGA以來(lái)，每種新架構都繼續在采用按位（bit-wise）的布線(xiàn)結構。雖然這種方法一直是成功的，但是隨著(zhù)高速通信標準的興起，總是要求不斷增加片上總線(xiàn)位寬，以支持這些新的數據速率。這種限制的一個(gè)后果是，設計人員經(jīng)?；ㄙM大量的開(kāi)發(fā)時(shí)間來(lái)嘗試實(shí)現時(shí)序收斂，犧牲性能來(lái)為他們的設計布局布線(xiàn)。傳統的FPGA布線(xiàn)基于整個(gè)FPGA中水平和垂直方向上運行的多個(gè)獨立分段互連線(xiàn)（segment），在水平和垂直布線(xiàn)的交叉點(diǎn)處帶有開(kāi)關(guān)盒（switch box）以實(shí)現通路的連接。通過(guò)這些獨立段和開(kāi)
- 關(guān)鍵字： ATT FCU SRAM FMAX
瑞薩電子宣布擴大IP授權范圍
- 全球領(lǐng)先的半導體解決方案供應商瑞薩電子株式會(huì )社（TSE：6723）今日宣布擴大其備受歡迎的IP的授權范圍，幫助設計師能夠在瞬息萬(wàn)變的行業(yè)中滿(mǎn)足廣泛的客戶(hù)需求。自即日起，客戶(hù)將可訪(fǎng)問(wèn)諸如尖端的7nm（納米）SRAM和TCAM，以及領(lǐng)先的標準以太網(wǎng)時(shí)間敏感網(wǎng)絡(luò )（TSN）等IP。此外，瑞薩電子正致力于打造包括PIM（內存處理）的系統IP，該技術(shù)首次在2019年6月的會(huì )議論文中提出，作為AI（人工智能）加速器引起廣泛關(guān)注。利用這些IP，客戶(hù)可迅速啟動(dòng)其先進(jìn)的半導體器件開(kāi)發(fā)項目，例如為領(lǐng)先的5G網(wǎng)絡(luò )開(kāi)發(fā)下一代AI芯
- 關(guān)鍵字： IP SRAM
基于 QDR-IV SRAM 實(shí)現網(wǎng)絡(luò )流量管理統計計數器 IP設計
- 網(wǎng)絡(luò )路由器帶有用于性能監控、流量管理、網(wǎng)絡(luò )追蹤和網(wǎng)絡(luò )安全的統計計數器。計數器用來(lái)記錄數據包到達和離開(kāi)的次數以及特定事件的次數，比如當網(wǎng)絡(luò )出現
- 關(guān)鍵字： SRAM 網(wǎng)絡(luò )
新式儲存結構能加速MRAM市場(chǎng)起飛嗎？
- MRAM新創(chuàng )公司STT開(kāi)發(fā)出一種存儲器專(zhuān)有技術(shù)，據稱(chēng)可在增加數據保持的同時(shí)降低功耗，使得MRAM的自旋力矩效率提高加40%-70%。這種新式的“歲差自旋電流”(PSC)儲存結構將在MRAM市場(chǎng)扮演什么角色?它能成為加速MRAM市場(chǎng)起飛的重要推手嗎? 磁阻式隨機存取存儲器(Magnetic RAM;MRAM)新創(chuàng )公司Spin Transfer Technologies (STT)最近開(kāi)發(fā)出MRAM專(zhuān)用技術(shù)，據稱(chēng)能以同步提高數據保持(retention)與降低電流
- 關(guān)鍵字： MRAM SRAM
RAM、SRAM、SSRAM、DRAM、FLASH、EEPROM......都是什么鬼？
- RAM(Random Access Memory) 隨機存儲器。存儲單元的內容可按需隨意取出或存入，且存取的速度與存儲單元的位置無(wú)關(guān)的存儲器。這種存儲器在斷電時(shí)將丟失其存儲內容，故主要用于存儲短時(shí)間使用的程序。 按照存儲信息的不同，隨機存儲器又分為靜態(tài)隨機存儲器(Static RAM,SRAM)和動(dòng)態(tài)隨機存儲器(Dynamic RAM,DRAM)。 SRAM(Static RAM)不需要刷新電路即能保存它內部存儲的數據。 SSRAM(Synchronous SRAM)即同步靜態(tài)隨機存
- 關(guān)鍵字： SRAM DRAM
嵌入式存儲器的前世今生，作為電子工程師的你知道嗎？
- 隨著(zhù)超大規模集成電路工藝的發(fā)展，人類(lèi)已經(jīng)進(jìn)入了超深亞微米時(shí)代。先進(jìn)的工藝使得人們能夠把包括處理器、存儲器、模擬電路、接口邏輯甚至射頻電路集成到一個(gè)大規模的芯片上，形成所謂的SoC(片上系統)。作為SoC重要組成部分的嵌入式存儲器，在SoC中所占的比重(面積)將逐漸增大。下面就隨嵌入式小編一起來(lái)了解一下相關(guān)內容吧?！ 〗谂_積電技術(shù)長(cháng)孫元成在其自家技術(shù)論壇中，首次揭露臺積電研發(fā)多年的eMRAM(嵌入式磁阻式隨機存取存儲)和eRRAM(嵌入式電阻式存儲器)將分別訂于明后年進(jìn)行風(fēng)險性試產(chǎn)。預計試產(chǎn)主要采用2
- 關(guān)鍵字： 存儲器 SRAM
針對微控制器應用的FPGA實(shí)現
- 當你打開(kāi)任何智能電子設備(從老式的電視遙控器到全球定位系統)，會(huì )發(fā)現幾乎所有的設備都至少采用了一個(gè)微控制器(MCU)，很多設備里還會(huì )有多個(gè)微控制器。MCU往往被用于專(zhuān)用的終端產(chǎn)品或設備中，它能夠很好地完成特殊任務(wù)。另一方面，PC的大腦，即微處理器被設計用于實(shí)現許多通用的功能。微控制器可用于降低成本，加固工業(yè)和自動(dòng)化應用，將其嵌入FPGA中時(shí)，還可以通過(guò)重新編程迅速改變功能。這種靈活性使得單個(gè)設備可應用于接口標準不同的多個(gè)市場(chǎng)。
- 關(guān)鍵字： 微控制器 SRAM FPGA
sram介紹
SRAM是英文Static RAM的縮寫(xiě)，它是一種具有靜止存取功能的內存，不需要刷新電路即能保存它內部存儲的數據。不像DRAM內存那樣需要刷新電路，每隔一段時(shí)間，固定要對DRAM刷新充電一次，否則內部的數據即會(huì )消失，因此SRAM具有較高的性能，但是SRAM也有它的缺點(diǎn)，即它的集成度較低，相同容量的DRAM內存可以設計為較小的體積，但是SRAM卻需要很大的體積，所以在主板上SRAM存儲器要占用一 [ 查看詳細 ]
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