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第四季DRAM銷(xiāo)售額預估年增65%，再寫(xiě)史上新高
- 今年內存供給吃緊，推升價(jià)格持續走揚，研調機構IC Insights預期第四季DRAM銷(xiāo)售金額將創(chuàng )歷史新高。 據IC Insights估計，第四季DRAM銷(xiāo)售金額將來(lái)到211億美元，較去年同期跳增65%，且是有史以來(lái)最佳記錄。 全年來(lái)看，DRAM市場(chǎng)預估成長(cháng)74%，較1993-2017年平均水平高61個(gè)百分點(diǎn)，也是繼1994年成長(cháng)78%以來(lái)最強成長(cháng)動(dòng)能。 許多因素造就今年內存走大多頭，當中包含近幾年主要內存廠(chǎng)刻意節制擴產(chǎn)動(dòng)作，同期間剛好又遇上數據中心、行動(dòng)與游戲設備對高效能內存的需求大
- 關(guān)鍵字： DRAM
南亞科：明年DRAM市場(chǎng)穩健，Q1供貨仍吃緊
- 今年DRAM市場(chǎng)強勁成長(cháng)，南亞科技(2408)預期2017年第四季及2018年第一季供貨將持續吃緊，DRAM平均銷(xiāo)售單價(jià)走勢穩健;展望2018，預期明年整體DRAM市場(chǎng)供需均衡且健康，市場(chǎng)將持續維持穩健。 隨著(zhù)人工智能、物聯(lián)網(wǎng)、智能汽車(chē)、高速運算等應用，促進(jìn)半導體產(chǎn)業(yè)更多元發(fā)展，DRAM成為電子產(chǎn)品的關(guān)鍵組件，帶動(dòng)今年內存市場(chǎng)強勁成長(cháng)逾50%。 展望2018年，南亞科預期DRAM資本支出主要用于先進(jìn)制程轉換及維持原有月產(chǎn)能，DRAM位年成長(cháng)率在20%~25%，預估2018年需求將較2017
- 關(guān)鍵字： 南亞科 DRAM
研調：預計2017年DRAM市場(chǎng)銷(xiāo)售額增長(cháng)74％至720億美元
- 縱觀(guān)2017年，隨著(zhù)數據中心、服務(wù)器、智能手機和其他移動(dòng)產(chǎn)品對DRAM需求不斷提升，DRAM產(chǎn)能供不應求，平均售價(jià)也在持續上漲。如圖1所示，IC Insights預計2017年第四季度DRAM銷(xiāo)售額將增至211億美元的歷史最好成績(jì)，與2016年第四季度的128億美元相比增長(cháng)65%。 圖1 2015Q1-2017Q4的DRAM季度營(yíng)收 IC Insights預計2017年全年DRAM的銷(xiāo)售額將達720億美元，年增長(cháng)率達74%。這是自1993年(1994年的年增長(cháng)率為78%)以來(lái)的歷史最好
- 關(guān)鍵字： DRAM
2021年全球IC市場(chǎng)規模4345億美元 汽車(chē)與物聯(lián)網(wǎng)IC應用成長(cháng)最快
- 調研機構IC Insights最新報告預估，全球整體IC市場(chǎng)規模將由2016年的2,977億美元，成長(cháng)為2021年的4,345億美元。合計2016~2021年規模年復合成長(cháng)率(CAGR)為7.9%。 在12類(lèi)IC終端應用主要產(chǎn)品中，僅游戲機與平板電腦產(chǎn)品用IC市場(chǎng)規模會(huì )出現下滑，其余如汽車(chē)、物聯(lián)網(wǎng)(IoT)連結、手機等IC應用市場(chǎng)規模都會(huì )呈現成長(cháng)。其中以車(chē)用與物聯(lián)網(wǎng)連結用IC市場(chǎng)規模成長(cháng)最快，成長(cháng)幅度較整體IC高出70%。 預估2017年全球車(chē)用IC市場(chǎng)規模，將繼2016年成長(cháng)11%(達2
- 關(guān)鍵字： 物聯(lián)網(wǎng) DRAM
DRAM下季度再漲5%,已連漲七季歷史最長(cháng)
- DRAM嚴重供不應求，三星明年首季再漲價(jià)3%至5%之后，SK海力士 下季也將漲價(jià)約5%，全球DRAM價(jià)格連續七季上揚，是歷來(lái)漲勢最久的一次。 業(yè)界解讀，三星、海力士下季漲價(jià)態(tài)度堅決，等于向全球宣告，韓系大廠(chǎng)決定維持DRAM價(jià)格持穩不墜的決心，消除外界認為兩大韓廠(chǎng)打算調降售價(jià)格，防止中國DRAM競爭對手竄起的流言。 手機中國聯(lián)盟秘書(shū)長(cháng)王艷輝認為，有人說(shuō)三星瘋狂擴產(chǎn)存儲器是為了將中國存儲器產(chǎn)業(yè)扼殺在萌芽，有點(diǎn)太看得起自己，雖然明年大陸存儲器產(chǎn)業(yè)開(kāi)始進(jìn)入試產(chǎn)階段，要與三星、海力士抗衡，至少還需要
- 關(guān)鍵字： DRAM
馮丹：憶阻器RRAM最有希望取代DRAM
- 日前，一年一度的中國存儲峰會(huì )在北京如期舉行，“數據中流擊水，浪遏飛舟”是今年大會(huì )主題，論道存儲未來(lái)，讓數據釋放價(jià)值，業(yè)界嘉賓圍繞中國及全球存儲市場(chǎng)的現狀與發(fā)展趨勢進(jìn)行了深入解讀，干貨滿(mǎn)滿(mǎn)。下午第三分論壇，中國計算機協(xié)會(huì )信息存儲專(zhuān)委會(huì )主任馮丹作為開(kāi)場(chǎng)嘉賓，就算存融合的憶阻器發(fā)展趨勢及RRAM(阻變存儲器)性能優(yōu)化方法展開(kāi)主題演講。馮丹表示，當前憶阻器呈現出大容量、計算與存儲深度融合的發(fā)展趨勢，而RRAM容量很大，速度快、能耗低，RRAM也認為是下一代代替DRAM(動(dòng)態(tài)隨機存儲器)
- 關(guān)鍵字： RRAM DRAM
DRAM下季度再漲5%,已連漲七季歷史最長(cháng)
- DRAM嚴重供不應求，三星明年首季再漲價(jià)3%至5%之后，SK海力士 下季也將漲價(jià)約5%，全球DRAM價(jià)格連續七季上揚，是歷來(lái)漲勢最久的一次。 業(yè)界解讀，三星、海力士下季漲價(jià)態(tài)度堅決，等于向全球宣告，韓系大廠(chǎng)決定維持DRAM價(jià)格持穩不墜的決心，消除外界認為兩大韓廠(chǎng)打算調降售價(jià)格，防止中國DRAM競爭對手竄起的流言。 手機中國聯(lián)盟秘書(shū)長(cháng)王艷輝認為，有人說(shuō)三星瘋狂擴產(chǎn)存儲器是為了將中國存儲器產(chǎn)業(yè)扼殺在萌芽，有點(diǎn)太看得起自己，雖然明年大陸存儲器產(chǎn)業(yè)開(kāi)始進(jìn)入試產(chǎn)階段，要與三星、海力士抗衡，至少還需要
- 關(guān)鍵字： DRAM NAND
三星增產(chǎn)重心為DRAM、NAND明年續旺？
- 明年NAND flash究竟是漲是跌，多空激烈爭辯。摩根士丹利(大摩)唱衰NAND flash的報告，開(kāi)了第一槍 。 如今IHS Markit也跟進(jìn)，預測明年NAND將供過(guò)于求。 但是美系外資力排眾議，高喊各方錯看，明年NAND供應將持續吃緊。 韓媒BusinessKorea 5日報導(見(jiàn)此)，IHS Markit報告預估，明年全球NAND flash供給將提高39.6%、至2,441億GB。 其中三星電子將帶頭增產(chǎn)，預料供給將增39%至879億GB。 與此同時(shí)，明年全球NAND需求提高36.7
- 關(guān)鍵字： 三星 DRAM
三星增產(chǎn)重心為DRAM、NAND明年續旺？
- 明年NAND flash究竟是漲是跌，多空激烈爭辯。摩根士丹利(大摩)唱衰NAND flash的報告，開(kāi)了第一槍 。 如今IHS Markit也跟進(jìn)，預測明年NAND將供過(guò)于求。 但是美系外資力排眾議，高喊各方錯看，明年NAND供應將持續吃緊。 韓媒BusinessKorea 5日報導(見(jiàn)此)，IHS Markit報告預估，明年全球NAND flash供給將提高39.6%、至2,441億GB。 其中三星電子將帶頭增產(chǎn)，預料供給將增39%至879億GB。 與此同時(shí)，明年全球NAND需求提高36.7
- 關(guān)鍵字： 三星 DRAM
Yole：供需失衡推動(dòng)存儲芯片價(jià)格上漲，市場(chǎng)年均增長(cháng)9%
- 存儲器行業(yè)正處于強勁增長(cháng)的階段。Yole在其《2017年存儲器封裝市場(chǎng)與技術(shù)》報告中預計，2016~2022年整個(gè)存儲器市場(chǎng)的復合年增長(cháng)率約為9%，到2022將達到1350億美元，DRAM和NAND市場(chǎng)份額合計約占95%。此外，供需失衡正推動(dòng)存儲器半導體芯片價(jià)格上漲，導致存儲器IDM廠(chǎng)商獲得創(chuàng )紀錄的利潤! 存儲器的需求來(lái)自各行各業(yè)，特別是移動(dòng)和計算(主要是服務(wù)器)市場(chǎng)。平均而言，每部智能手機的DRAM內存容量將增長(cháng)三倍以上，預計到2022年將到6GB左右，而每部智能手機的NAND存儲器容量將增加
- 關(guān)鍵字： 存儲器 DRAM
紫光國芯:DRAM未來(lái)會(huì )考慮與長(cháng)江存儲合作
- 紫光國芯日前在互動(dòng)平臺表示，公司西安子公司從事DRAM存儲器晶元的設計，目前產(chǎn)品委托專(zhuān)業(yè)代工廠(chǎng)生產(chǎn)。 未來(lái)紫光集團下屬長(cháng)江存儲如果具備DRAM存儲器晶元的制造能力，公司會(huì )考慮與其合作。前不久，針對“存儲芯片行業(yè)增長(cháng)很快，為什么西安紫光國芯的毛利率如此低?”的提問(wèn)，紫光國芯副總裁杜林虎及董秘阮麗穎在與投資機構進(jìn)行互動(dòng)問(wèn)答時(shí)表示，西安紫光國芯從事DRAM存儲芯片的設計業(yè)務(wù)，公司自身沒(méi)有制造環(huán)節，但市場(chǎng)上DRAM的代工廠(chǎng)很少，特別是在市場(chǎng)需求旺盛的時(shí)期，公司由于規模較小，產(chǎn)能不好保證
- 關(guān)鍵字： 紫光國芯 DRAM
dram介紹
DRAM（Dynamic Random-Access Memory），即動(dòng)態(tài)隨機存儲器最為常見(jiàn)的系統內存。DRAM 只能將數據保持很短的時(shí)間。為了保持數據，DRAM使用電容存儲，所以 必須隔一段時(shí)間刷新（refresh）一次，如果存儲單元沒(méi)有被刷新，存儲的數據就會(huì )丟失。 它的存取速度不快，在386、486時(shí)期被普遍應用。
動(dòng)態(tài)RAM的工作原理 動(dòng)態(tài)RAM也是由許多基本存儲元按照行和列來(lái)組 [ 查看詳細 ]
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