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電源DDR硬件設計技巧
- 1、電源DDR的分類(lèi)A、主電源VDD和VDDQ主電源的要求是VDDQ=VDD，VDDQ是給IO buffer供電的電源，VDD是給內核供電。但是一般的使用中都是把VDDQ和VDD合成一個(gè)電源使用。有的芯片還有專(zhuān)門(mén)的VDDL，是給DLL供電的，也和VDD使用同一電源即可。電源設計時(shí)，需要考慮電壓、電流是否滿(mǎn)足要求。電源的上電順序和電源的上電時(shí)間，單調性等。電源電壓的要求一般在±5%以?xún)?。電流需要根據使用的不同芯片，及芯片個(gè)數等進(jìn)行計算。由于DDR的電流一般都比較大，所以PCB設計時(shí)，如果有一個(gè)完整的電源平面
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雙倍數據速率（DDR）內存簡(jiǎn)介
- 了解雙數據速率（DDR）存儲器的關(guān)鍵概念和圍繞這一數字通信技術(shù)的應用，其中兩個(gè)數據字在一個(gè)時(shí)鐘周期內傳輸。串行數據傳輸比并行數據傳輸具有重要優(yōu)勢，并且在許多系統中，這些優(yōu)勢足夠顯著(zhù)，足以證明添加串行化和反串行化并行數據的電路是合理的，從而可以將其作為串行數據傳輸。然而，計算機存儲器是并行數據傳輸仍然普遍存在的一個(gè)應用領(lǐng)域。由于它們可以同時(shí)讀取和寫(xiě)入許多數字信號，并行接口速度很快，設計師們一直在尋找使其更快的方法。一種用于實(shí)現數據傳輸速率的大幅提高的古老但仍然相關(guān)的技術(shù)被稱(chēng)為雙泵浦，而這一特性正是將存儲器系
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存儲大廠(chǎng)現場(chǎng)展示HBM3E產(chǎn)品
- 近日，存儲大廠(chǎng)美光科技在GTC 2024活動(dòng)，展示一系列存儲解決方案。該公司此前剛宣布8層堆疊HBM3E已量產(chǎn)，并預計2024年第二季搭配N(xiāo)VIDIA H200 GPU出貨。美光展示的解決方案，分別包括8層堆疊24GB HBM3E解決方案與后續12層36GB HBM3E解決方案；使用單片晶粒具低延遲與低功耗優(yōu)勢的DDR5 RDIMM；支持NVIDIA Grace CPU的LPDDR5X存儲解決方案與LPCAMM2模組；可提供AI與存儲器工作負載所需的容量、頻寬、彈性的CXL存儲器模組，并攜手MemVerg
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集邦咨詢(xún)：存儲新技術(shù)DDR、HBM等大放異彩
- 邁過(guò)2023年的經(jīng)濟逆風(fēng)行業(yè)下行周期，2024年存儲市場(chǎng)起勢，存儲芯片價(jià)格上漲。為了適配近兩年人工智能熱浪需求，存儲新技術(shù)革新步伐加速，DDR、LPDDR、GDDR新技術(shù)在2024年迎來(lái)放量周期；HBM加速邁進(jìn)，HBM3/HBM3e持續突破，有望帶動(dòng)存儲市場(chǎng)迸發(fā)新的活力。一2024是DRAM技術(shù)迸發(fā)活力的一年從1998年三星生產(chǎn)出最早的商用DDR SDRAM芯片，到DDR1、DDR2、DDR3、DDR4的延續，再到今年躍升主流的DDR5，和即將到來(lái)的DDR6、DDR7，DRAM技術(shù)還在持續突破。按照不
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2024年，存儲新技術(shù)DDR、HBM等大放異彩！
- 邁過(guò)2023年的經(jīng)濟逆風(fēng)行業(yè)下行周期，2024年存儲市場(chǎng)起勢，存儲芯片價(jià)格上漲。為了適配近兩年人工智能熱浪需求，存儲新技術(shù)革新步伐加速，DDR、LPDDR、GDDR新技術(shù)在2024年迎來(lái)放量周期；HBM加速邁進(jìn)，HBM3/HBM3e持續突破，有望帶動(dòng)存儲市場(chǎng)迸發(fā)新的活力。一2024是DRAM技術(shù)迸發(fā)活力的一年從1998年三星生產(chǎn)出最早的商用DDR SDRAM芯片，到DDR1、DDR2、DDR3、DDR4的延續，再到今年躍升主流的DDR5，和即將到來(lái)的DDR6、DDR7，DRAM技術(shù)還在持續突破。按照不同的
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DDR硬件設計要點(diǎn)
- 1. 電源 DDR的電源可以分為三類(lèi)：a主電源VDD和VDDQ，主電源的要求是VDDQ=VDD，VDDQ是給IO buffer供電的電源，VDD是給但是一般的使用中都是把VDDQ和VDD合成一個(gè)電源使用。有的芯片還有VDDL，是給DLL供電的，也和VDD使用同一電源即可。電源設計時(shí)，需要考慮電壓，電流是否滿(mǎn)足要求，電源的上電順序和電源的上電時(shí)間，單調性等。電源電壓的要求一般在±5%以?xún)?。電流需要根據使用的不同芯片，及芯片個(gè)數等進(jìn)行計算。由于DDR的電流一般都比較大，所以PCB設計時(shí)，如果有一個(gè)完整的電源平
- 關(guān)鍵字： DDR 內存
你所需要知道的HBM技術(shù)
- 在2024年即將到來(lái)之際，多家機構給出預測，認定生成式AI將成為2024年的增長(cháng)重點(diǎn)之一?；仡?023年，年初的ChatGPT引爆了今年的生成式AI熱潮，不僅僅是下游市場(chǎng)的AI應用，這股大火一直燒到了上游芯片領(lǐng)域，根據權威機構預測，2023年和2024年，AI服務(wù)器將有38%左右的增長(cháng)空間。隨著(zhù)GPU等AI芯片走向高峰的同時(shí)，也極大帶動(dòng)了市場(chǎng)對新一代內存芯片HBM（高帶寬內存）的需求。 HBM是何方神圣？ 首先，我們先來(lái)了解一下什么是HBM。HBM全稱(chēng)為High Bandwich Me
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ROM、RAM、FLASH、DDR、EMMC都是什么？一次性搞清楚！
- 簡(jiǎn)單解釋ROMROM：只讀存儲器，內容寫(xiě)入后就不能更改了，制造成本比較低，常用于電腦中的開(kāi)機啟動(dòng)如啟動(dòng)光盤(pán)bios，在系統裝好的電腦上時(shí)，計算機將C盤(pán)目錄下的操作系統文件讀取至內存，然后通過(guò)cpu調用各種配件進(jìn)行工作這時(shí)系統存放存儲器為RAM。PROM：可編程程序只讀存儲器，但是只可以編寫(xiě)一次。EPROM：可抹除可編程只讀存儲器，可重復使用。EEPROM：電子式可抹除可編程只讀存儲器，類(lèi)似于EPROM但是摸除的方式是使用高電場(chǎng)完成。RAMRAM：隨機存取存儲器，也叫主存，是與CPU直接交換數據的內部存儲器
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燦芯半導體推出兩項創(chuàng )新技術(shù)用于DDR物理層
- 一站式定制芯片及IP供應商——燦芯半導體日前宣布推出用于高速DDR物理層中的Zero-Latency （零延遲）和True-Adaptive（真自適應）兩項技術(shù)。這兩項技術(shù)已經(jīng)開(kāi)始在12/14 FinFET, 22/28nm的DDR4/LPDDR4,4x高性能物理層IP上進(jìn)行部署，將為客戶(hù)帶來(lái)更高效、更穩定的全新體驗。 Zero-Latency （零延遲） 技術(shù)在讀數據通路上，采用了兩種可選的、獨特的采樣方式進(jìn)行數據轉換，而不像其他DDR物理層供貨商采用FIFO進(jìn)行跨時(shí)鐘域轉換，此技術(shù)將延遲降低
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三維封裝DDR2存儲器VD2D4G72XB191XX3U6測試
- DDR2 SDRAM具有速度快、價(jià)格便宜、容量大的特點(diǎn)，應用非常廣泛。通過(guò)采用三維封裝技術(shù)將5片數據位寬為16 bits的DDR2 SDRAM芯片封裝成一個(gè)存儲模塊VD2D4G72XB191XX3U6，在不額外占用PCB面積的情況下，提高了存儲容量，并將位寬擴展到72 bits。
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7200MHz! DDR4內存超頻記錄被刷新
- DDR4內存已經(jīng)誕生了有10年之久，從一開(kāi)始的2133MHz頻率到后期逐漸站上2400MHz、2666MHz，一直到工藝與電路架構升級后，現在民用普遍的3200MHz和性能玩家追捧的4166MHz?？梢哉f(shuō)這十年以來(lái)，DDR4內存的頻率也是有了快翻倍的提升?！ 《涨?，有超頻愛(ài)好者將DDR4內存的頻率超頻至7200MHz，打破了世界紀錄。該記錄由微星MEG Z590 Unify-X主板創(chuàng )造，超頻內存上使用了兩條士頓的HyperX Predator 8GB內存，組成16GB雙通道。為了能讓內存實(shí)現如此高頻
- 關(guān)鍵字： DDR
NVIDIA選用新思科技經(jīng)驗證DesignWare DDR IP核
- 重點(diǎn)：高質(zhì)量DesignWare DDR PHY IP核為NVIDIA提供無(wú)與倫比的性能、延遲和電源效率DDR PHY支持DDR5/4的每個(gè)通道多個(gè)DIMM，滿(mǎn)足NVIDIA的網(wǎng)絡(luò )數據速率和內存容量要求基于固件的現場(chǎng)可升級訓練可提高通道的穩定性和可靠性，并且有助于算法更新，從而降低采用新內存協(xié)議的風(fēng)險新思科技（Synopsys, Inc.）近日宣布，NVIDIA的網(wǎng)絡(luò )業(yè)務(wù)部門(mén)Mellanox將采用經(jīng)驗證的DesignWare? DDR5/4 PHY IP核，以滿(mǎn)足其針對高性能計算和人工智能應用的Infin
- 關(guān)鍵字： 云計算 NVIDIA 新思科技 DesignWare DDR IP核
燦芯半導體為NVDIMM OEM提供完整解決方案
- 國際領(lǐng)先的定制化芯片（ASIC）設計方案提供商及DDR控制器和物理層IP供應商——燦芯半導體（上海）有限公司（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“燦芯半導體”）近日對外宣布為一家著(zhù)名的NVDIMM供應商提供完整的NVDIMM控制器芯片解決方案。非易失性雙列直插式內存模塊（NVDIMM）是計算機的一種隨機存取存儲器,即使在遇到供電不穩、系統崩潰或正常關(guān)機等斷電情況時(shí)仍保留其內容。NVDIMM可快速恢復現場(chǎng)，提高應用程序性能，數據安全性和系統崩潰修復時(shí)間，加強了固態(tài)驅動(dòng)器（SSD）的耐用性和可靠性。當前，大多數NVDIMM控制器采用F
- 關(guān)鍵字： OEM DDR SSD ASIC
ddr-sdram介紹
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歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對ddr-sdram的理解，并與今后在此搜索ddr-sdram的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
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