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HBM2E 和GDDR6： AI內存解決方案
- 前言人工智能/機器學(xué)習（AI/ML）改變了一切，影響著(zhù)每個(gè)行業(yè)并觸動(dòng)著(zhù)每個(gè)人的生 活。人工智能正在推動(dòng)從5G到物聯(lián)網(wǎng)等一系列技術(shù)市場(chǎng)的驚人發(fā)展。從2012年到 2019年，人工智能訓練集增長(cháng)了30萬(wàn)倍，每3.43個(gè)月翻一番，這就是最有力的證 明。支持這一發(fā)展速度需要的遠不止摩爾定律所能實(shí)現的改進(jìn)，摩爾定律在任何情況下都在放緩，這就要求人工智能計算機硬件和軟件的各個(gè)方面都需要不斷的快速改進(jìn)。從2012年至今，訓練能力增長(cháng)了30萬(wàn)倍內存帶寬將成為人工智能持續增長(cháng)的關(guān)鍵焦點(diǎn)領(lǐng)域之一。以先進(jìn)的駕駛員輔助系
- 關(guān)鍵字： ADAS ML DRAM 內存
三星電子平澤工廠(chǎng)第二生產(chǎn)線(xiàn)開(kāi)始量產(chǎn)
- 實(shí)現DRAM量產(chǎn)后，預計生產(chǎn)新一代VNAND與超精細制程的晶圓代工產(chǎn)品 憑借更快更薄的產(chǎn)品搶占移動(dòng)設備市場(chǎng)，下一步進(jìn)軍汽車(chē)電裝市場(chǎng) 韓國首爾2020年8月30日 /美通社/ -- 三星電子平澤工廠(chǎng)第二生產(chǎn)線(xiàn)正式開(kāi)工，首發(fā)量產(chǎn)產(chǎn)品是采用了EUV（Extreme Ultraviolet，極紫外光刻）制程的16Gb（吉字節）LPDDR5移動(dòng)DRAM，開(kāi)創(chuàng )業(yè)界先河。 ? ? 三星電子 16GB LPDDR5 ? ?三星電子平澤工廠(chǎng)第二生產(chǎn)線(xiàn)的建筑面積達12.89萬(wàn)平方米（
- 關(guān)鍵字： EUV10 納米級 LPDDR5 DRAM
三星宣布其全球最大半導體生產(chǎn)線(xiàn)開(kāi)始量產(chǎn)16Gb LPDDR5 DRAM
- 三星今日宣布，其位于韓國平澤的第二條生產(chǎn)線(xiàn)已開(kāi)始量產(chǎn)業(yè)界首款采用極紫外光（EUV）技術(shù)的16Gb LPDDR5移動(dòng)DRAM。新的16Gb LPDDR5基于三星第三代10nm級(1z)工藝打造，擁有當下最高的移動(dòng)產(chǎn)品內置內存性能和最大的容量。"基于1z的16Gb LPDDR5將行業(yè)提升到了一個(gè)新的門(mén)檻，克服了先進(jìn)節點(diǎn)下DRAM擴展的主要發(fā)展障礙。"三星電子DRAM產(chǎn)品與技術(shù)執行副總裁Jung-bae Lee表示。三星平澤2號線(xiàn)占地超過(guò)128900平方米，相當于約16個(gè)足球場(chǎng)，是迄今為止全
- 關(guān)鍵字： 三星 LPDDR5 DRAM
第四代低功耗動(dòng)態(tài) DRAM 與其延展版的車(chē)輛應用解決方案
- 日本計劃在東京奧運會(huì )上展示無(wú)人駕駛技術(shù)，展現了近年來(lái)汽車(chē)智能化的成果。隨著(zhù)5G技術(shù)與人工智能（ AI）的發(fā)展，車(chē)載通訊技術(shù)已慢慢從早期的娛樂(lè )影音播放以及導航系統，發(fā)展到現在的深度學(xué)習與車(chē)聯(lián)網(wǎng)（ V2X），并朝著(zhù)無(wú)人駕駛的目標前進(jìn)。而實(shí)現此目標的關(guān)鍵因素正是半導體。目前，先進(jìn)駕駛輔助系統（ADAS）是車(chē)載通訊中最普遍的應用之一，它包含不同的子功能主動(dòng)式巡航控制、自動(dòng)緊急煞車(chē)、盲點(diǎn)偵測以及駕駛人監控系統等。車(chē)輛制造商一直試著(zhù)添加更多主動(dòng)式安全保護，以達到無(wú)人駕駛的最終目標。因此，越來(lái)越多的半導體產(chǎn)商與車(chē)輛制造
- 關(guān)鍵字： ADAS NOR DRAM AI V2X EM
KLA推出全新突破性的電子束缺陷檢測系統
- 近日?KLA公司?宣布推出革命性的eSL10?電子束圖案化晶圓缺陷檢查系統。該系統具有獨特的檢測能力，能夠檢測出常規光學(xué)或其他電子束檢測平臺無(wú)法捕獲的缺陷，從而加速了高性能邏輯和存儲芯片的上市時(shí)間（包括那些依賴(lài)于極端紫外線(xiàn)（EUV）光刻技術(shù)的芯片）。eSL10的研發(fā)是始于最基本的構架，針對研發(fā)生產(chǎn)存在多年的問(wèn)題而開(kāi)發(fā)出了多項突破性技術(shù)，可提供高分辨率，高速檢測功能，這是市場(chǎng)上任何其他電子束系統都難以比擬的。KLA電子束部門(mén)總經(jīng)理Amir Azordegan 表示：“利用單一的高能量電子
- 關(guān)鍵字： DRAM NAND
SK海力士開(kāi)始量產(chǎn)超高速DRAM‘HBM2E’
- 7月2日，SK海力士宣布開(kāi)始量產(chǎn)超高速DRAM“HBM2E”。SK海力士的HBM2E以每個(gè)pin 3.6Gbps的處理速度，通過(guò)1,024個(gè)I/Os（Inputs/Outputs, 輸入/輸出）能夠每秒處理460GB的數據。這速度相當于能夠在一秒內傳輸124部全高清（FHD）電影（每部3.7GB），是目前業(yè)界速度最快的DRAM解決方案。不僅如此，公司的HBM2E借助TSV（Through Silicon Via）技術(shù)將8個(gè)16Gb DRAM垂直連接，其容量達到了16GB，是前一代HBM2容量的兩倍以上。H
- 關(guān)鍵字： SK海力士 DRAM
國產(chǎn)DRAM內存抱團發(fā)展 合肥長(cháng)鑫與3家公司合作
- 6月6日，長(cháng)三角一體化發(fā)展重大合作事項簽約儀式在湖州舉行，合肥長(cháng)鑫與蘇州瑞紅電子化學(xué)品有限公司、寧波江豐電子材料股份有限公司、上海新昇半導體科技有限公司共同簽約，一致同意支持長(cháng)鑫12英寸存儲器晶圓制造基地項目建設。2019年國內存儲芯片取得了兩個(gè)突破——長(cháng)江存儲的3D閃存、合肥長(cháng)鑫的DRAM內存雙雙量產(chǎn)，其中內存國產(chǎn)化的意義更重要一些，畢竟這個(gè)市場(chǎng)主要就是美日兩大陣營(yíng)主導，門(mén)檻太高。合肥長(cháng)鑫的12英寸內存項目總計投資高達1500億，去年底量產(chǎn)了1Xnm級別（具體大概是19nm）的內存芯片，可以供應DDR4
- 關(guān)鍵字： 國產(chǎn) DRAM 內存 合肥長(cháng)鑫
南亞科：視歐美疫情定市場(chǎng) 10納米級產(chǎn)品試產(chǎn)
- 存儲器大廠(chǎng)南亞科28日召開(kāi)年度股東常會(huì )，會(huì )中董事長(cháng)吳嘉昭對于近期的產(chǎn)業(yè)狀況發(fā)表看法，指出2020年上半年DRAM市場(chǎng)的需求較2019年同期有小幅度的成長(cháng)，其主要原因是受惠于異地工作、遠端教育、視頻會(huì )議等各項需求所致。至于，2020年下半年市況，吳嘉昭則是表示，因為各項不確定因素仍多，因此目前仍必須要持續的觀(guān)察。吳嘉昭表示，2019年因中美貿易戰導致的關(guān)稅問(wèn)題，使得供應鏈面臨調整，加上全球經(jīng)濟放緩、英特爾處理器缺貨等因素，導致DRAM需求減少，使得平均銷(xiāo)貨較2018年減少超過(guò)45%，也使得南亞科在2019年
- 關(guān)鍵字： 存儲器 10nm 南亞科 DRAM
三星一季度全球DRAM市場(chǎng)份額超過(guò)40% 但銷(xiāo)售額有下滑
- 三星電子一季度在全球DRAM市場(chǎng)的份額超過(guò)了40%，但銷(xiāo)售額在這一季度有下滑。外媒的數據顯示，一季度三星電子在全球DRAM市場(chǎng)的份額為44.1%，是第一大廠(chǎng)商，較第二大廠(chǎng)商SK海力士高出了近15個(gè)百分點(diǎn)，后者的市場(chǎng)份額為29.3%。雖然三星的市場(chǎng)份額超過(guò)了40%，但一季度三星DRAM的營(yíng)收其實(shí)有下滑，較上一季度下滑3%。DRAM市場(chǎng)份額僅次于三星的SK海力士，一季度的銷(xiāo)售額也下滑了4%，下滑幅度還高于三星。三星電子和SK海力士之后的第三大DRAM廠(chǎng)商是美光科技，其一季度的市場(chǎng)份額為20.8%，銷(xiāo)售額下滑1
- 關(guān)鍵字： 三星 DRAM
漏電流和寄生電容引起的DRAM故障識別
- 從20nm技術(shù)節點(diǎn)開(kāi)始，漏電流一直都是動(dòng)態(tài)隨機存取存儲器(DRAM)設計中引起器件故障的主要原因。即使底層器件未出現明顯的結構異常，DRAM設計中漏電流造成的問(wèn)題也會(huì )導致可靠性下降。漏電流已成為DRAM器件設計中至關(guān)重要的一個(gè)考慮因素。圖1. (a) DRAM存儲單元；(b)單元晶體管中的柵誘導漏極泄漏電流 (GIDL)；(c)位線(xiàn)接觸 (BLC) 與存儲節點(diǎn)接觸 (SNC) 之間的電介質(zhì)泄漏；(d) DRAM電容處的電介質(zhì)泄漏。DRAM存儲單元（圖1 (a)）在電
- 關(guān)鍵字： DRAM GIDL
三星率先為DRAM芯片導入EUV：明年將用于DDR5/LPDDR5大規模量產(chǎn)
- 當前在芯片制造中最先進(jìn)的EUV（極紫外光刻）工藝被三星率先用到了DRAM內存顆粒的生產(chǎn)中。這家韓國巨頭今日宣布，已經(jīng)出貨100萬(wàn)第一代10nm EUV級（D1x）DDR4 DRAM模組，并完成全球客戶(hù)評估，這為今后高端PC、手機、企業(yè)級服務(wù)器等應用領(lǐng)域開(kāi)啟新大門(mén)。得益于EUV技術(shù)，可以在精度更高的光刻中減少多次圖案化的重復步驟，并進(jìn)一步提升產(chǎn)能。三星表示，將從第四代10nm級（D1a）DRAM或高端級14nm級DRAM開(kāi)始全面導入EUV，明年基于D1a大規模量產(chǎn)DDR5和LPDDR5內存芯片，預計會(huì )使12
- 關(guān)鍵字： 三星 DRAM EUV
存儲器行業(yè)的冰與火之歌：凜冬是否已經(jīng)結束 ？
- 據IDC預測，2025年全球數據將有175 ZettaBytes的總量，如此驚人而又龐大的數據量，半導體存儲器將具有極大的市場(chǎng)。半導體存儲器分為易失存儲器和非易失存儲器兩種，具體類(lèi)型如下：“凜冬將至”：這兩年的存儲器市場(chǎng)2017年的存儲器市場(chǎng)可以用火熱來(lái)形容，三大存儲器公司（三星、海力士、美光）的財報都非常喜人，SK海力士、美光的營(yíng)收規模均成長(cháng)近8成，而三星電子更是奪取了英特爾把持多年的全球半導體營(yíng)收頭把交椅。整體來(lái)說(shuō)，2017年全球半導體市場(chǎng)規模比2016年成長(cháng)22.2%，達4197.2億美元，存儲器的
- 關(guān)鍵字： 存儲器、NAND、DRAM
dram介紹
DRAM（Dynamic Random-Access Memory），即動(dòng)態(tài)隨機存儲器最為常見(jiàn)的系統內存。DRAM 只能將數據保持很短的時(shí)間。為了保持數據，DRAM使用電容存儲，所以 必須隔一段時(shí)間刷新（refresh）一次，如果存儲單元沒(méi)有被刷新，存儲的數據就會(huì )丟失。 它的存取速度不快，在386、486時(shí)期被普遍應用。
動(dòng)態(tài)RAM的工作原理 動(dòng)態(tài)RAM也是由許多基本存儲元按照行和列來(lái)組 [ 查看詳細 ]
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