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2022半導體儲存器市場(chǎng)調研 半導體儲存器行業(yè)前景及現狀分析
- 國內半導體儲存器行業(yè)市場(chǎng)前景及現狀如何?半導體存儲器行業(yè)是全球集成電路產(chǎn)業(yè)規模最大的分支：半導體行業(yè)分為集成電路、光電器件、分立器件、傳感器等子行業(yè)，根據功能的不同，集成電路又可以分為存儲器、邏輯電路、模擬電路、微處理器等細分領(lǐng)域。2022半導體儲存器市場(chǎng)調研半導體儲存器行業(yè)前景及現狀分析 國內開(kāi)始布局存儲產(chǎn)業(yè)規?；?，中國大陸的存儲器公司陸續成立，存儲產(chǎn)業(yè)也取得明顯的進(jìn)展。在半導體國產(chǎn)化的大趨勢下，國內存儲器行業(yè)有望迎來(lái)新的發(fā)展和機遇?！ “雽w儲存器行業(yè)產(chǎn)業(yè)鏈下游涵蓋智能手機、平板電腦、計算機、網(wǎng)
- 關(guān)鍵字： 存儲 DRAM 市場(chǎng)
TrendForce：DRAM原廠(chǎng)降價(jià)意愿提高 第三季跌至近10%
- 根據TrendForce最新研究顯示，盡管今年上半年的整體消費性需求快速轉弱，但先前DRAM原廠(chǎng)議價(jià)強勢，并未出現降價(jià)求售跡象，使得庫存壓力逐漸由買(mǎi)方堆棧至賣(mài)方端。在下半年旺季需求展望不明的狀態(tài)下，部分DRAM供貨商已開(kāi)始有較明確的降價(jià)意圖，尤其發(fā)生在需求相對穩健的服務(wù)器領(lǐng)域以求去化庫存壓力，此情況將使第三季DRAM價(jià)格由原先的季跌3至8%，擴大至近10%，若后續引發(fā)原廠(chǎng)競相降價(jià)求售的狀況，跌幅恐超越一成。PC OEM仍處于連續性下修出貨展望，且綜觀(guān)各家DRAM庫存水位平均超過(guò)兩個(gè)月以上，除非有極大的價(jià)格
- 關(guān)鍵字： TrendForce DRAM
TrendForce：第三季DRAM價(jià)格預估下跌3～8％
- 據TrendForce研究，盡管有旺季效應和DDR5滲透率提升的支撐，第三季DRAM市場(chǎng)仍不敵俄烏戰事、高通膨導致消費性電子需求疲弱的負面影響，進(jìn)而使得整體DRAM庫存上升，成為第三季DRAM價(jià)格下跌3～8％的主因，且不排除部分產(chǎn)品別如PC與智能型手機領(lǐng)域恐出現超過(guò)8％的跌幅。PC DRAM方面，在需求持續走弱情況下，引發(fā)PC OEMs下修整年出貨目標，同時(shí)也造成DRAM庫存快速飆升，第三季PC OEMs仍將著(zhù)重在調整與去化DRAM庫存，采購力道尚難回溫。同時(shí)，由于整體DRAM產(chǎn)業(yè)仍處于供過(guò)于求，因此即便
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SK海力士將向英偉達供應業(yè)界首款HBM3 DRAM
- SK海力士宣布公司開(kāi)始量產(chǎn) HBM3 -- 擁有當前業(yè)界最佳性能的 DRAM。擁有當前業(yè)界最佳性能的 HBM3 DRAM 內存芯片，從開(kāi)發(fā)成功到量產(chǎn)僅用七 個(gè)月HBM3將與NVIDIA H100 Tensor Core GPU搭配，以實(shí)現加速計算（accelerated computing）SK海力士旨在進(jìn)一步鞏固公司在高端 DRAM 市場(chǎng)的領(lǐng)導地位* HBM (High Bandwidth Memory，高帶寬存儲器)：是由垂直堆疊在一起的 DRAM 芯片組合而成的高價(jià)值、高性能內存
- 關(guān)鍵字： SK海力士 英偉達 HBM3 DRAM
3D DRAM技術(shù)是DRAM的的未來(lái)嗎？
- 5月25日，有消息傳出，華為將在VLSI Symposium 2022期間發(fā)表其與中科院微電子研究所合作開(kāi)發(fā)的 3D DRAM 技術(shù)。隨著(zhù)“摩爾定律”走向極限，DRAM芯片工藝提升將愈發(fā)困難。3D DRAM就成了各大存儲廠(chǎng)商突破DRAM工藝極限的新方案。DRAM工藝的極限目前，DRAM芯片最先進(jìn)的工藝是10nm。據公開(kāi)資料顯示，三星早已在2020年完成了10nm制程DRAM的出貨；美光和SK海力士也在2021年完成了10nm DRAM產(chǎn)品的量產(chǎn)。那么，10nm是DRAM工藝的極限嗎？在回答這個(gè)問(wèn)題之前，我
- 關(guān)鍵字： DRAM 3D DRAM 華為 三星 美光 制程 納米
利基型DRAM持續擴產(chǎn) 華邦電 搶攻AIoT、元宇宙
- 內存大廠(chǎng)華邦電日前宣布擴大利基型DDR3產(chǎn)出，爭取韓系DRAM廠(chǎng)退出后的市占率，推升營(yíng)收及獲利續創(chuàng )新高。華邦電自行開(kāi)發(fā)的20奈米DRAM制程，將于明年導入至高雄廠(chǎng)量產(chǎn)，為長(cháng)遠發(fā)展奠定良好的基礎與成長(cháng)動(dòng)能，同時(shí)滿(mǎn)足5G基地臺、人工智能物聯(lián)網(wǎng)（AIoT）、電動(dòng)車(chē)及車(chē)用電子、元宇宙等產(chǎn)業(yè)大趨勢強勁需求。華邦電第一季迎來(lái)利基型DRAM價(jià)格回升，SLC NAND及NOR Flash價(jià)格回穩，季度營(yíng)收265.14億元為歷史次高，歸屬母公司稅后凈利年增近1.9倍達45.59億元并創(chuàng )下歷史新高，每股凈利1.15元優(yōu)于預期
- 關(guān)鍵字： DRAM 華邦電 AIoT 元宇宙
三星推出512GB 內存擴展器CXL DRAM
- 2022年5月10日 ，作為先進(jìn)內存技術(shù)的廠(chǎng)商，三星宣布開(kāi)發(fā)出三星首款512 GB 內存擴展器 （CXL，Compute Express Link） DRAM，朝CXL的商業(yè)化邁出了重要一步，CXL將在IT系統中實(shí)現更高的內存容量且更低的延遲。三星半導體512GB 內存擴展器 CXL DRAM與以往版本相比，新開(kāi)發(fā)的CXL內存容量為其4倍，從而讓服務(wù)器擴展至數十TB，而系統延遲僅為其五分之一三星還將推出其開(kāi)源軟件工具包的升級版本，以推動(dòng)CXL內存在現有和新興IT系統中的部署自2021年5月推出三星首款配備
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第二季度DRAM跌幅估縮小
- 根據市調預估，第二季整體DRAM平均價(jià)格跌幅約0～5％，跌幅相較上季已明顯縮小。由于買(mǎi)賣(mài)雙方庫存略偏高，再加上需求面如筆電、智能型手機等受近期俄烏戰事和高通膨影響，進(jìn)而削弱消費者購買(mǎi)力道，目前僅服務(wù)器為主要支撐內存需求來(lái)源，故整體第二季DRAM仍有供過(guò)于求情形。在標準型PC DRAM方面，受俄烏戰爭影響，引發(fā)PC OEM對第二季的訂單采保守備貨策略，且可能持續影響下半年旺季訂單情形，進(jìn)而下修今年的出貨目標，然而整體供給位卻仍在增長(cháng)，故第二季PC DRAM價(jià)格跌幅達3～8％，且可能會(huì )進(jìn)一步惡化。在服務(wù)器DR
- 關(guān)鍵字： DRAM 集幫咨詢(xún)
三星LPDDR5X DRAM已在高通驍龍移動(dòng)平臺上驗證使用
- 今日三星宣布，高通技術(shù)公司(Qualcomm Technologies, Inc.)已經(jīng)驗證了三星14納米(nm) 16Gb低功耗雙倍數據速率5X (LPDDR5X) DRAM，并應用于高通技術(shù)公司的驍龍(Snapdragon?)移動(dòng)平臺。自去年11月開(kāi)發(fā)出三星首款基于14nm的LPDDR5X DRAM以來(lái)，三星與高通技術(shù)公司密切合作，優(yōu)化7.5千兆比特每秒(Gbps)的LPDDR5X，用于驍龍移動(dòng)平臺。LPDDR5X的速度比目前高端智能手機上的LPDDR5 (6.4Gbps)快約1.2倍，有
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微結構不均勻性（負載效應）及其對器件性能的影響：對先進(jìn)DRAM工藝中有源區形狀扭曲的研究
- 隨著(zhù)晶體管尺寸縮小接近物理極限，制造變量和微負載效應正逐漸成為限制DRAM性能（和良率）的主要因素。而對于先進(jìn)的DRAM，晶體管的有源區 (AA) 尺寸和形狀則是影響良率和性能的重要因素。在DRAM結構中，電容存儲單元的充放電過(guò)程直接受晶體管所控制。隨著(zhù)晶體管尺寸縮小接近物理極限，制造變量和微負載效應正逐漸成為限制DRAM性能（和良率）的主要因素。而對于先進(jìn)的DRAM，晶體管的有源區 (AA) 尺寸和形狀則是影響良率和性能的重要因素。在本研究中，我們將為大家呈現，如何利用SEMulator3D研究先進(jìn)DR
- 關(guān)鍵字： DRAM 微結構
美光確認EUV工藝DRAM 2024年量產(chǎn)：1γ節點(diǎn)導入
- 三星、SK海力士及美光確定未來(lái)會(huì )用EUV工藝，其中美光的EUV工藝內存在2024年量產(chǎn)。芯研所8月21日消息，CPU、GPU為代表的邏輯工藝制程進(jìn)入7nm之后，EUV光刻工藝不可或缺。目前內存停留在10nm工藝級別。三星、SK海力士及美光也確定未來(lái)會(huì )用EUV工藝，其中美光的EUV工藝內存在2024年量產(chǎn)。美光CEO Sanjay Mehrotra日前在采訪(fǎng)中確認，美光已將EUV技術(shù)納入DRAM技術(shù)藍圖，將由10nm世代中的1γ（gamma）工藝節點(diǎn)開(kāi)始導入。美光EUV工藝DRAM將會(huì )先在臺中A3廠(chǎng)生產(chǎn)，預
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TrendForce：第四季PC DRAM合約價(jià)將轉跌0~5%
- 根據TrendForce調查，第三季PC DRAM合約價(jià)格的議定大致完成，受惠于DRAM供貨商的庫存量偏低以及旺季效應，本季合約價(jià)調漲3~8%，但相較第二季25%的漲幅已大幅收斂。然約自七月初起，DRAM現貨市場(chǎng)已提前出現PC DRAM需求疲弱的態(tài)勢。賣(mài)方積極調節手上庫存，持續降價(jià)求售。合約市場(chǎng)方面，先前PC OEMs因擔憂(yōu)長(cháng)短料問(wèn)題而大量備料，使DRAM庫存已達高水位，庫存迭高問(wèn)題成為漲價(jià)的阻力，再加上歐美逐步解封可能使筆電需求降低，進(jìn)而拉低PC DRAM的總需求量。因此，預估PC DRAM合約價(jià)于第四
- 關(guān)鍵字： TrendForce PC DRAM
三星將在不久后開(kāi)始生產(chǎn)768GB DDR5內存條
- 三星電子昨天公布了其2021年第二季度的收益。該公司整體表現良好，其內存業(yè)務(wù)也不例外。該公司預計該部門(mén)將持續增長(cháng)，尤其是針對高端服務(wù)器和高性能計算（HPC）市場(chǎng)的DRAM產(chǎn)品。這就是為什么三星一直在推動(dòng)其用于此類(lèi)用途的高密度內存模塊，該公司最近發(fā)布了業(yè)界首個(gè)512GB DDR5 DRAM模塊，從任何角度看都是一個(gè)真正的高容量解決方案?！ 〉聦?shí)證明，這家韓國巨頭可能還不滿(mǎn)足，因為它計劃在不久的將來(lái)的某個(gè)時(shí)候更進(jìn)一步，生產(chǎn)768GB DDR5模塊，也就是使用24Gb DRAM芯片。這可以從該公司的財報電
- 關(guān)鍵字： 三星 內存 DRAM DDR5
EUV技術(shù)開(kāi)啟DRAM市場(chǎng)新賽程
- SK海力士公司在7月12日表示，本月已經(jīng)開(kāi)始生產(chǎn)10納米8Gb LPDDR4移動(dòng)DRAM —— 他們將在該內存芯片生產(chǎn)中應用極紫外（EUV）工藝，這是SK海力士首次在其DRAM生產(chǎn)中應用EUV。根據SK海力士的說(shuō)法，比起前一代規格的產(chǎn)品，第四代在一片晶圓上產(chǎn)出的DRAM數量增加了約25%，成本競爭力很高。新的芯片將在今年下半年開(kāi)始供應給智能手機制造商，并且還將在2022年初開(kāi)始生產(chǎn)的DDR5芯片中應用10納米EUV。世界第三大DRAM制造商SK海力士發(fā)布聲明，正式啟用EUV光刻機閃存內存芯片，批量生產(chǎn)采用
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SK海力士開(kāi)始量產(chǎn)采用EUV技術(shù)的第四代10納米級DRAM
- SK海力士宣布已于7月初開(kāi)始量產(chǎn)適用第四代10納米（1a）級工藝的?8Gigabit（Gb）?*LPDDR4 移動(dòng)端DRAM產(chǎn)品。* LPDDR4 (Low Power Double Data Rate 4) – 專(zhuān)為移動(dòng)終端開(kāi)發(fā)的低功耗DRAM規格?！癉DR” 為電子工程設計發(fā)展聯(lián)合協(xié)會(huì )(Joint Electron Device Engineering Council，簡(jiǎn)稱(chēng)JEDEC)規定的DRAM規格標準名稱(chēng)，DDR1-2-3-4為其順序進(jìn)行換代。?圖1.
- 關(guān)鍵字： SK海力士 10納米 DRAM
dram介紹
DRAM（Dynamic Random-Access Memory），即動(dòng)態(tài)隨機存儲器最為常見(jiàn)的系統內存。DRAM 只能將數據保持很短的時(shí)間。為了保持數據，DRAM使用電容存儲，所以 必須隔一段時(shí)間刷新（refresh）一次，如果存儲單元沒(méi)有被刷新，存儲的數據就會(huì )丟失。 它的存取速度不快，在386、486時(shí)期被普遍應用。
動(dòng)態(tài)RAM的工作原理 動(dòng)態(tài)RAM也是由許多基本存儲元按照行和列來(lái)組 [ 查看詳細 ]
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