存儲器行業(yè)的冰與火之歌：凜冬是否已經(jīng)結束 ？

據IDC預測，2025年全球數據將有175 ZettaBytes的總量，如此驚人而又龐大的數據量，半導體存儲器將具有極大的市場(chǎng)。半導體存儲器分為易失存儲器和非易失存儲器兩種，具體類(lèi)型如下：

“凜冬將至”：這兩年的存儲器市場(chǎng)

2017年的存儲器市場(chǎng)可以用火熱來(lái)形容，三大存儲器公司（三星、海力士、美光）的財報都非常喜人，SK海力士、美光的營(yíng)收規模均成長(cháng)近8成，而三星電子更是奪取了英特爾把持多年的全球半導體營(yíng)收頭把交椅。整體來(lái)說(shuō)，2017年全球半導體市場(chǎng)規模比2016年成長(cháng)22.2%，達4197.2億美元，存儲器的短缺是市場(chǎng)蓬勃發(fā)展的最主要原因。整整2017年全年，DRAM價(jià)格成長(cháng)高達44%，NAND Flash價(jià)格也上漲了17%。

2018開(kāi)年以后更是延續了這種良好的態(tài)勢，數據中心、人工智能和汽車(chē)電子等應用的成長(cháng)，使得整個(gè)市場(chǎng)持續增溫。以NAND為代表的閃存市場(chǎng)更是快步前進(jìn)。各大存儲器廠(chǎng)商亦紛紛開(kāi)足馬力，據福布斯報道，廠(chǎng)商們都在2017年擴大了64層3D NAND存儲器的出貨量。世界半導體貿易統計協(xié)會(huì )(WSTS)在2018年初的預測報告中，將2018年全球半導體市場(chǎng)規模(銷(xiāo)售額)自2017年11月預估的4372.65億美元(年增7.0%)修訂至4634.12億美元(年增12.4%)。其中，存儲器的銷(xiāo)售額預估將暴增26.5%至1567.86億美元。

就在一片看好的聲音中，一些令人不安的預兆也出現了。部分存儲器價(jià)格在2018年初出現下滑，導致三星電子當期的財報預測低于預期。不過(guò)，當時(shí)業(yè)界仍認為“這種價(jià)格變化在預期之內，并且對整體市場(chǎng)發(fā)展有益”。

轉折卻在無(wú)聲中到來(lái)了。DRAMeXchange發(fā)布了閃存市場(chǎng)分析報告，稱(chēng)2018下半年，NAND閃存市場(chǎng)的增長(cháng)潛力疲軟。報告指出，由于處于傳統的淡季和產(chǎn)能拉升期，所以在2018年上半年，閃存市場(chǎng)已經(jīng)有連續兩個(gè)季度的價(jià)格走弱。在這樣的態(tài)勢下，一些供應商甚至暫緩了面向更高密度存儲芯片的產(chǎn)能擴張，以避免價(jià)格走到崩盤(pán)的局面。

但到了2018年下半年，市場(chǎng)并沒(méi)有好轉。摩根斯坦利分析師Shawn Kim就指出，內存市況有惡化跡象，DRAM需求逐漸趨疲，庫存、定價(jià)壓力與日俱增，而NAND型閃存的供給則確實(shí)太多。后來(lái)的市場(chǎng)表現果然應驗了這種預測。

來(lái)自Gartner的最新研究報告顯示，2019年全球半導體行業(yè)收入總計為4183億美元，較2018年同比下降11.9%。而內存市場(chǎng)在2019年占據半導體銷(xiāo)售額的26.7%，該市場(chǎng)在2019年的收入下降了31.5%。

· 其中在內存市場(chǎng)，DRAM收入下滑了37.5%，這是由于從2018年底開(kāi)始市場(chǎng)供大于求，這種情況在2019年持續了全年。供過(guò)于求是由于超大規模市場(chǎng)的需求突然下降造成的，這表明OEM庫存水平過(guò)高，導致上半年需要進(jìn)行修正。2019年下半年DRAM供應商的庫存過(guò)剩，推動(dòng)了價(jià)格下降，并導致2019年平均銷(xiāo)售價(jià)格（ASP）下降47.4%。

· NAND閃存在2019年的萎靡狀況比整體內存市場(chǎng)溫和一些，這部分收入下降了23.1%，主要歸因于2018年底的庫存水平上升，而2019年上半年的需求疲軟加劇了這種情況。NAND市場(chǎng)在2019年7月開(kāi)始趨于穩定。

據2019年全球十大半導體公司排名顯示，全球前四大半導體公司均與存儲器有關(guān)，十大半導體公司中有五家與存儲器有關(guān)。以下為Gartner統計的按收入計算2019年全球半導體供應商Top 10名單：

圖：2019年全球半導體供應商Top 10名單（以收入計算，單位：百萬(wàn)美元）

按收入計算，三星在2018年和2017年均位于市場(chǎng)首位。但是，內存市場(chǎng)低迷對三星電子造成了負面影響，DRAM和NAND閃存的供過(guò)于求和需求下降導致三星的存儲器收入在2019年下降了34%，而這部分收入占據其銷(xiāo)售額的82%，英特爾重新奪回了市場(chǎng)的頭把交椅。

從蓬勃發(fā)展到寒冬，造成市場(chǎng)反轉的元兇是什么？從目前的分析來(lái)看，智能手機銷(xiāo)量的增長(cháng)乏力、中美貿易戰的陰影，還有產(chǎn)能的盲目擴張都是重要因素。在新的驅動(dòng)力沒(méi)有充分發(fā)展起來(lái)之前，市場(chǎng)恐還會(huì )在低位繼續運行。

今年存儲器市場(chǎng)或許撥云見(jiàn)日

現在，NOR、mask ROM大廠(chǎng)已將庫存月數急降到歷史低點(diǎn)的4個(gè)月以下，而DRAM、NAND大廠(chǎng)也將庫存月數逐步降低到3.7個(gè)月，并估計去年四季度的絕對DRAM、NAND庫存應會(huì )降到20％的同比增長(cháng)，這讓最近存儲器的現貨及合約價(jià)格逐步持穩小幅反彈，預計2020年下半年及2021年存儲器的現貨及合約價(jià)格可能會(huì )全面反彈。

目前存儲器合約價(jià)格不一定會(huì )出現急漲，但整體存儲器供應鏈庫存水位降低至尾聲，隨著(zhù)需求穩健上揚，5G及服務(wù)器應用第二季度成長(cháng)力增強，預計2020年下半DRAM與NAND可能會(huì )出現產(chǎn)能吃緊。

雖然目前短期有新型冠狀病毒疫情籠罩，影響手機存儲器的需求，但總體上估計全球存儲器市場(chǎng)會(huì )從去年的供過(guò)于求演變到今年下半年及明年年數個(gè)點(diǎn)的供不應求。

在2019年存儲器市場(chǎng)價(jià)格下跌中，有一半的跌幅都發(fā)生在19年的第二季度，而第三季度起市場(chǎng)開(kāi)始需求回升，根據近期系統廠(chǎng)商的訂單展望，預期價(jià)格回升將可達到3成，NAND的回漲速度或將比DRAM價(jià)格更快反應。IC Insights預估，在2020年將分別迎來(lái)19%與12%的年成長(cháng)表現，NAND預期將成為2020年33款I(lǐng)C產(chǎn)品類(lèi)別中，增幅度最高的產(chǎn)品。

原因是固態(tài)硬盤(pán)(SSD)應用帶來(lái)的強勁需求以及5G智能手機的崛起，抵消了低位供應增長(cháng)的影響。由于工業(yè)和汽車(chē)市場(chǎng)疲軟，模擬產(chǎn)品市場(chǎng)同比下降了5.4%；但由于智能手機攝像頭的銷(xiāo)售強勁，光電產(chǎn)品市場(chǎng)保持強勁增長(cháng)。預計今年整體市場(chǎng)狀況將有所改善，在高水平庫存清除后，將推動(dòng)芯片平均售價(jià)上升，尤其是在內存領(lǐng)域，由此將推動(dòng)半導體市場(chǎng)收入的增加。

存儲器未來(lái)的幾個(gè)需求驅動(dòng)力：

1. 預測2020年1.7-2.0億臺、2021年3.5-4.0億臺的5G手機將比4G配備約2倍的DRAM及NAND。同時(shí)，2020、2021年服務(wù)器市場(chǎng)預計同比增長(cháng)10％、22％。

2. 云端客戶(hù)增長(cháng)大幅超越企業(yè)、政府端服務(wù)器客戶(hù)。

3. CPU跟DRAM的數據將從6改成8通道。

4. 智慧工場(chǎng)，自駕車(chē)，智能物聯(lián)網(wǎng)對AI大數據及存儲器需求的爆增。

計算機存儲市場(chǎng)已進(jìn)入衰退期，加上美國與中國之間的貿易戰山雨欲來(lái)，全球經(jīng)濟的不確定性也持續升高?？萍籍a(chǎn)品主管必須為有限的成長(cháng)預做準備，才能在半導體產(chǎn)業(yè)中脫穎而出。舉例來(lái)說(shuō)，計算機存儲器廠(chǎng)商未來(lái)必須針對供過(guò)于求和強大的毛利壓力等現象規劃對策，針對節點(diǎn)過(guò)渡、新興計算機存儲器技術(shù)和最新制造技術(shù)的研發(fā)投入資金。

非計算機存儲器廠(chǎng)商則必須加強與負擔高價(jià)計算機存儲器主要客戶(hù)間初期的共同設計?？剂康街悄苁謾C和平板市場(chǎng)持續飽和，應用程序處理器廠(chǎng)商必須轉向相關(guān)的可穿戴設備、物聯(lián)網(wǎng)端點(diǎn)和汽車(chē)市場(chǎng)尋找商機。

自從1月初的三星供電停電、東芝工廠(chǎng)起火之后，這兩家公司紛紛表態(tài)對生產(chǎn)基本沒(méi)影響，但是全球存儲芯片的市場(chǎng)依然像是打了雞血，內存及SSD硬盤(pán)的現貨價(jià)應聲而起，1月份就漲價(jià)高達30%。

那這一波內存漲價(jià)要持續多久呢？UBS瑞銀分析師Timothy Acuri日前發(fā)表報告評估了內存市場(chǎng)的發(fā)展趨勢，他認為內存漲價(jià)將持續至少7個(gè)季度，也就是到明年Q4季度。

如果是這樣，那今年開(kāi)始的內存牛市就會(huì )比2016年開(kāi)始的大漲價(jià)還要強烈，當時(shí)是從2016年Q3季度大漲價(jià)，一直持續到2018年Q4季度價(jià)格才持平，2019年降了4個(gè)季度后又恢復漲價(jià)了。對于NAND閃存，Timothy Acuri倒是沒(méi)這么樂(lè )觀(guān)，他認為漲價(jià)也就持續到今年底，2021年又會(huì )重返溫和過(guò)剩的情況。

中國存儲器市場(chǎng)的新機遇

存儲芯片是電子系統的糧倉，數據的載體，關(guān)乎數據的安全，其市場(chǎng)規模足夠大，約占半導體總體市場(chǎng)的三分之一。

數據顯示，中國存儲器市場(chǎng)巨大，幾乎完全依賴(lài)進(jìn)口，具體數據如下：2016年中國集成電路進(jìn)口額2271億美元，存儲器進(jìn)口額681億美元，占比30%；2017年中國集成電路進(jìn)口額2601億美元，存儲器進(jìn)口額近800億美元，占比30.7%；2018年中國集成電路進(jìn)口額3120億美元，存儲器進(jìn)口額1092億美元，占比35%；2018年中國半導體市場(chǎng)需求額占全球市場(chǎng)4766億美元的大約65%。

反觀(guān)全球數據，2018年全球存儲器市場(chǎng)1653億美元，占全球市場(chǎng)4766億美元的約35%，較2017年1287億美元增長(cháng)26%；2018年全球NAND Flash存儲器市場(chǎng)632億美元，較2017年570億美元增長(cháng)11%；2018年全球DRAM存儲器市場(chǎng)996億美元，較2017年717億美元增長(cháng)39%；DRAM和NAND占到存儲器市場(chǎng)整體的98%。據統計，中國市場(chǎng)消耗了全球DRAM產(chǎn)值的48%，消耗了全球NAND Flash產(chǎn)值的35%，年進(jìn)口總額高達880億美元，對外依賴(lài)度超過(guò)90%。

之前紫光試圖花230億美元兼并美光等，但并未達成，無(wú)奈之下中國只能依靠自己的力量進(jìn)行突破。對中國廠(chǎng)商來(lái)說(shuō)，中小容量存儲芯片是其中的一個(gè)市場(chǎng)機會(huì )。據業(yè)內預計，中小容量存儲芯片市場(chǎng)規模將保持在120億至200億美元，其中低容量NAND有60億至100億美元，NOR約30億美元，低容量DRAM約70億美元。

隨著(zhù)物聯(lián)網(wǎng)和智能終端的快速發(fā)展，將不斷擴大對中小容量存儲芯片的需求，因此中國存儲器業(yè)可以從中小容量的存儲芯片開(kāi)始，再向高容量存儲芯片邁進(jìn)。

DRAM及3D NAND閃存是中國市場(chǎng)需求量最大類(lèi)芯片，因此此類(lèi)核心技術(shù)很難買(mǎi)到。存儲器業(yè)的特點(diǎn)是，它的設計并不難，如NAND閃存基本上有兩種結構類(lèi)型，一種是Floating Gate浮柵式結構，美光和英特爾采用這種結構；另一種是Charge Trap電荷捕獲型結構，在3D NAND閃存中成為主流的選擇，包括三星、東芝、SK Hynix在內的閃存廠(chǎng)商普遍選擇了Charge Trap結構。

NAND閃存的市場(chǎng)非?！罢T人”，市場(chǎng)巨大，主要產(chǎn)品由固態(tài)存儲（44%）、嵌入式存儲（43%）和存儲卡（12%）三大部分組成，目前被國際巨頭壟斷。全球前4大陣營(yíng)（廠(chǎng)商）占NAND市場(chǎng)份額99%，2018年全球NAND產(chǎn)150萬(wàn)張晶圓。全球NAND bit需求今年基本保持40%左右的高速增長(cháng)。另外，如今NAND產(chǎn)業(yè)鏈成熟，供應鏈通暢。

同樣DRAM市場(chǎng)依然存在非常大的市場(chǎng)，目前同樣被國際巨頭壟斷，全球前3大廠(chǎng)商占DRAM市場(chǎng)份額94%。2018年全球DRAM月產(chǎn)140萬(wàn)張晶圓。通過(guò)2011年-2019年數據，如今移動(dòng)端和嵌入式設備的飛速發(fā)展，DRAM在PC上的占比越來(lái)越低，DRAM產(chǎn)品逐漸向移動(dòng)設備靠攏。全球DRAM bit需求今年基本保持20%左右的高速增長(cháng)。

DRAM量產(chǎn)關(guān)鍵在于生產(chǎn)線(xiàn)的質(zhì)量控制以及持續的投資、擴大產(chǎn)能，最終以數量與價(jià)格取勝。中國有龐大的市場(chǎng)以及政府的集成電路大基金的扶持，困難在于產(chǎn)能爬坡速度，及在存儲器的下降周期中能否堅持下去。

雖然存儲器每位的價(jià)格波動(dòng)非常激烈，但隨著(zhù)未來(lái)龐大的數據量需求，存儲器需求也隨之保持高速增長(cháng)，如此龐大的市場(chǎng)，可謂是國產(chǎn)存儲器的一次“機遇”。