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美國商務(wù)部禁售福建晉華公司:DRAM生產(chǎn)能力威脅美國國家安全

- 10月29日,美國商務(wù)部在官網(wǎng)發(fā)布公告稱(chēng),將對福建省晉華集成電路有限公司實(shí)施禁售,自10月30日起正式實(shí)施?! 【唧w來(lái)說(shuō),自30日起,美國商務(wù)部限制了美國公司對福建晉華的出口,并將其加入到了禁售清單?! ∶绹虅?wù)部稱(chēng)晉華公司構成了參與違反美國國家安全利益的活動(dòng),有重大風(fēng)險?! ∩虅?wù)部認為晉華公司即將獲得大規模生產(chǎn)DRAM的能力,而這可能源于美國技術(shù),而且量產(chǎn)也會(huì )威脅到美國軍用系統的供應商的長(cháng)期經(jīng)營(yíng)能力?! ∩虅?wù)部長(cháng)羅斯表示:“當外國公司從事違反國家安全利益的活動(dòng)時(shí),我們將采取有力措施保護我們的國家安全
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聚焦安全芯片,紫光國微將DRAM業(yè)務(wù)2.2億轉讓給紫光存儲
- 10月11日晚間,紫光國芯微電子股份有限公司發(fā)布公告,將轉讓公司旗下專(zhuān)注于DRAM存儲器芯片設計研發(fā)的西安紫光國芯半導體有限公司(以下簡(jiǎn)稱(chēng)“西安紫光國芯”)給紫光集團下屬全資子公司北京紫光存儲科技有限公司(以下簡(jiǎn)稱(chēng)“紫光存儲”)?! “凑展娴恼f(shuō)法,過(guò)去幾年里,西安紫光國芯為保持和跟進(jìn) DRAM 存儲器芯片設計領(lǐng)域的先進(jìn)技術(shù),持續加大產(chǎn)品開(kāi)發(fā)投入,但受下游制造代工產(chǎn)能等方面的限制,短期內無(wú)法達到規模經(jīng)濟,經(jīng)營(yíng)壓力加大,資產(chǎn)負債率不斷提高,已影響到其正常持續經(jīng)營(yíng),給上市公司帶來(lái)了一定的資金和業(yè)績(jì)壓力,其
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DRAM內存市場(chǎng)已經(jīng)為寡頭壟斷,時(shí)代變了,別再等漲跌循環(huán)了
- 內存漲價(jià)今年底也要到頭了,投行機構也看衰內存行業(yè)前景,認為明年內存價(jià)格會(huì )跌,不過(guò)在內存業(yè)內廠(chǎng)商來(lái)看,內存市場(chǎng)已經(jīng)變天了,已經(jīng)變成寡頭壟斷,不能再用以前的漲跌周期來(lái)看待了。
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紫光國微:公司DRAM芯片與三星有很大差距,DDR4仍是主流產(chǎn)品
- 今年7月,三星宣布了8Gb LPDDR5內存顆粒的正式量產(chǎn)。對此,有投資者在互動(dòng)平臺上提問(wèn),這是否會(huì )對紫光國微的DDR4前景造成影響?
- 關(guān)鍵字: 紫光國微,DRAM
晶圓廠(chǎng)、DRAM和3D NAND投資驅動(dòng),中國晶圓代工產(chǎn)能將于2020年達到全球20%份額
- 近日國際半導體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì )SEMI公布了最新的中國集成電路產(chǎn)業(yè)生態(tài)系統報告,報告顯示,中國前端晶圓廠(chǎng)產(chǎn)能今年將增長(cháng)至全球半導體晶圓廠(chǎng)產(chǎn)能的16%,到2020年,這一份額將增加到20%。受跨國公司和國內公司存儲和代工項目的推動(dòng),中國將在2020年的晶圓廠(chǎng)投資將以超過(guò)200億美元的支出,超越世界其他地區,占據首位?! ?014年中國成立大基金以來(lái),促進(jìn)了中國集成電路供應鏈的迅速增長(cháng),目前已成為全球半導體進(jìn)口最大的國家市場(chǎng)。SEMI指出,目前中國正在進(jìn)行或計劃開(kāi)展25個(gè)新的晶圓廠(chǎng)建設項目,代工廠(chǎng)、DRAM和3D
- 關(guān)鍵字: 晶圓 DRAM 3D NAND
今年全球半導體支出將首次突破1000億美元,內存投資繼續瘋狂
- IC Insights預測,今年半導體資本支出總額將增至1020億美元,這是該行業(yè)年均支出總額首次超過(guò)1000億美元。今年1020億美元的支出水平比2017年的933億美元增長(cháng)了9%,比2016年增長(cháng)了38%。預計存儲器IC占2018年半導體支出的53%,其中,閃存占資本支出的份額最大,而DRAM資本支出今年將以最高的速度繼續增長(cháng)?! ∪鐖D所示,超過(guò)一半的行業(yè)資本支出預計用于內存尤其是DRAM和閃存生產(chǎn),包括對現有晶圓廠(chǎng)產(chǎn)線(xiàn)和全新制作設施的升級??偟膩?lái)說(shuō),預計今年內存將占到半導體資本支出的53%,達到
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全球前15大半導體廠(chǎng)商排名:7家年增20%以上,中國大陸無(wú)一上榜

- 8月20日,研究機構ICInsights發(fā)布了2018年上半年全球半導體供應商Top15榜單,三星位居第一位,英特爾位居第二位。不過(guò)遺憾的是,中國大陸暫時(shí)沒(méi)有公司進(jìn)入這個(gè)榜單的前15名?! 「鶕l(fā)布的數據顯示,三星、英特爾、SK海力士、臺積電、鎂光排名榜單的前五位,相較于去年同期,這幾家公司都有比較明顯的增長(cháng),特別是三星、SK海力士以及鎂光,分列六至十五位的分別是博通、高通、東芝\東芝內存、德州儀器、英偉達、西數\閃迪、英飛凌、恩智浦、意法半導體和聯(lián)發(fā)科。這里,英偉達數據最為搶眼,相較于去年同期,英偉
- 關(guān)鍵字: DRAM NAND
集邦咨詢(xún):DRAM價(jià)格已近高點(diǎn)
- 根據集邦咨詢(xún)半導體研究中心(DRAMeXchange)調查顯示,2018年第二季由于供給吃緊情況延續,帶動(dòng)整體DRAM報價(jià)走揚,DRAM總營(yíng)收較上季成長(cháng)11.3%,再創(chuàng )新高。除了圖像處理內存(graphicDRAM)仍受惠于虛擬挖礦(cryptocurrency)需求的增溫,帶動(dòng)價(jià)格有15%顯著(zhù)上漲外,其余各應用類(lèi)別的內存季漲幅約在3%左右?! ≌雇谌緝r(jià)格走勢,DRAMeXchange指出,PC-OEM廠(chǎng)已陸續在七月份議定合約價(jià)格。就一線(xiàn)大廠(chǎng)定價(jià)來(lái)看,均價(jià)已來(lái)到34.5美元,較前一季上漲約1.5%
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第三季利基型DRAM價(jià)格持平,DDR3具成本優(yōu)勢短期仍為主流

- 根據集邦咨詢(xún)半導體研究中心最新調查,DRAM原廠(chǎng)已陸續與客戶(hù)談定7月份利基型內存合約價(jià),價(jià)格大致和6月相同。展望第三季,預期DDR4利基型內存報價(jià)水平將較接近主流標準型與服務(wù)器內存,因原廠(chǎng)可透過(guò)封裝打線(xiàn)形式的改變(bonding option)做產(chǎn)品類(lèi)別更換。DDR3則呈現相對穩健的供需結構,報價(jià)預期沒(méi)有明顯變動(dòng)。整體而言,第三季利基型內存價(jià)格走勢預估將持平?! DR3具成本優(yōu)勢,短期仍為利基型記內存主流 就產(chǎn)品應用種類(lèi)觀(guān)察,首先在利基型內存需求大宗的電視,今年出貨量持穩,約為2.157億臺。不過(guò)
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閃存降價(jià)利好可持續至2019下半年,大容量高性能SSD普及進(jìn)行時(shí)
- 幾年前突然“大火”的存儲行情,給業(yè)界帶來(lái)的極大的沖擊。在 PC 市場(chǎng)衰退后本就不多的 DIY 用戶(hù),要么咬牙買(mǎi)高價(jià)內存(DRAM)和固態(tài)硬盤(pán)(SSD)、要么咬牙推遲或干脆直接放棄了裝機升級的計劃。當然,市場(chǎng)也不是沒(méi)有好消息。據集邦咨詢(xún)(DRAMeXchange)所述,近期閃存降價(jià)的趨勢,有望持續到 2019 上半年?! RAMeXchange 報告稱(chēng),2018 年 3~4 季度,NAND 閃存的平均銷(xiāo)售價(jià)格,預計將下降 10% 。集邦認為,市場(chǎng)需求較低的情況下所增長(cháng)的產(chǎn)能,是推動(dòng)這一趨勢的主要原因。
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IC Insights預測:全球IC增長(cháng)和全球GDP增長(cháng)關(guān)聯(lián)日益密切

- 在最近發(fā)布的《麥克萊恩2018年中期報告》(McClean Report 2018)中,IC Insights預測,2018-2022年全球GDP和IC市場(chǎng)相關(guān)系數將達到0.95,高于2010-2017年期間的0.88。 IC Insights描述了從2010年到2017年全球GDP增長(cháng)與IC市場(chǎng)增長(cháng)之間日益密切的關(guān)聯(lián),以及到2022年的最新預測?! ∪鐖D所示,在2010-2017年的時(shí)間段內,全球GDP增長(cháng)與IC市場(chǎng)增長(cháng)的相關(guān)系數為0.88,這是一個(gè)強勁的數字,因為完全相關(guān)為1.0。在此期間之前的3
- 關(guān)鍵字: DRAM NAND
dram介紹
DRAM(Dynamic Random-Access Memory),即動(dòng)態(tài)隨機存儲器最為常見(jiàn)的系統內存。DRAM 只能將數據保持很短的時(shí)間。為了保持數據,DRAM使用電容存儲,所以 必須隔一段時(shí)間刷新(refresh)一次,如果存儲單元沒(méi)有被刷新,存儲的數據就會(huì )丟失。 它的存取速度不快,在386、486時(shí)期被普遍應用。
動(dòng)態(tài)RAM的工作原理 動(dòng)態(tài)RAM也是由許多基本存儲元按照行和列來(lái)組 [ 查看詳細 ]
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