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3nm
3nm 文章 進(jìn)入3nm技術(shù)社區
三星的3nm良率停留在50%，遠低于臺積電的90%
- 雖然三星在 7nm 和 8nm 等成熟節點(diǎn)上獲得了牽引力（據報道來(lái)自任天堂的訂單），但它繼續在先進(jìn)的 3nm 水平上苦苦掙扎。據韓國媒體 Chosun Biz 報道，即使經(jīng)過(guò)三年的量產(chǎn)，其 3nm 良率仍保持在 50%。這使得三星更難贏(yíng)得大型科技公司的信任，Chosun Biz 報道稱(chēng)，谷歌的 Tensor G5 正在轉向臺積電的 3nm，遠離三星。正如 9to5Google 所強調的那樣，據報道，這家搜索引擎巨頭已在未來(lái) 3 到 5 年內與臺積電鎖定了 Tenso
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小米雷軍：芯片團隊已具備相當強的研發(fā)設計實(shí)力
- 5 月 27 日消息，小米創(chuàng )辦人、董事長(cháng)兼 CEO 雷軍今日早發(fā)文：“玄戒 O1 最高主頻 3.9GHz，這足以說(shuō)明我們芯片團隊已經(jīng)具備相當強的研發(fā)設計實(shí)力?！惫俜綌祿@示，小米玄戒 O1 處理器安兔兔跑分超過(guò)了 300 萬(wàn)分，擁有 190 億個(gè)晶體管，采用了全球最先進(jìn)的 3nm 工藝，芯片面積僅 109mm2。架構方面，小米玄戒 O1 采用了十核四叢集 CPU，擁有雙超大核、4 顆性能大核、2 顆能效大核、2 顆超級能效核，超大核最高主頻 3.9Hz，單核跑分超 3000 分，多核跑分超 9
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小米自研3nm“大芯片”已開(kāi)始大規模量產(chǎn)
- 今天，小米集團董事長(cháng)雷軍微博宣布小米自主研發(fā)設計的3nm制程手機處理器芯片玄戒O1已開(kāi)始大規模量產(chǎn)，搭載小米玄戒O1兩款旗艦，小米手機15s pro和小米OLED平板Pad 7 ultra。小米將成為繼蘋(píng)果、高通、聯(lián)發(fā)科后，全球第四家發(fā)布自主研發(fā)設計3nm制程手機處理器芯片的企業(yè)。今年2月，聯(lián)發(fā)科技CEO蔡力行第四季度財報會(huì )議上表示，小米自研手機SoC芯片或將外掛聯(lián)發(fā)科基帶芯片。根據他的透露，ARM和小米正在促成一項AP芯片的研發(fā)項目，聯(lián)發(fā)科也有參與，并提供調制解調器芯片。此前據外媒WCCFtech報道，
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小米確認推3nm SoC，承諾10 年內投69億美元開(kāi)發(fā)芯片
- 小米最近在宣布其自主開(kāi)發(fā)的智能手機 SoC 芯片 XRING 01 后引起了廣泛關(guān)注。據中國媒體《明報》報道，小米首席執行官雷軍 5 月 19 日在微博上透露，該芯片采用 3nm 工藝制造，這標志著(zhù)中國公司首次成功實(shí)現 3nm 芯片設計的突破。這家中國科技巨頭正在加大其芯片開(kāi)發(fā)力度。據《華爾街日報》報道，小米計劃在至少 10 年內投資近 70 億美元用于芯片設計。創(chuàng )始人兼首席執行官雷軍周一在微博上發(fā)文透露了這一投資數字。報告指出，小米發(fā)言人補充說(shuō)，這項 500 億元人民幣（相當于 69.4 億美元）的投資
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或有多個(gè)版本！又有小米自研芯跑分曝光：10核3nm設計、超驍龍8 Gen 3
- 5月20日消息，雷軍之前已經(jīng)宣布了小米自研芯片玄戒O1，而它可能只是一個(gè)代號，最終的成品或許會(huì )有多個(gè)版本。如果熟悉芯片設計的朋友應該都清楚，廠(chǎng)商在規劃一款芯片設計時(shí)，必然會(huì )有多款相關(guān)版本的衍生，所以這更像是一個(gè)大類(lèi)，而非具體到一個(gè)型號。有網(wǎng)友發(fā)現，Geekbench 6.1.0上出現了小米新機的跑分成績(jì)，而主板信息顯示為"O1_asic"，從跑分上看，該機的單核跑分最高 2709、多核跑分8125，比高通驍龍8 Gen 3 的成績(jì)還要高一些，可以說(shuō)表現亮眼。跑分頁(yè)面還顯示，該處理器的C
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雷軍發(fā)文確認：小米玄戒O1采用第二代3nm工藝制程
- 5月19日，雷軍微博宣布小米自主研發(fā)設計的3nm制程手機處理器芯片玄戒O1即將亮相。小米將成為繼蘋(píng)果、高通、聯(lián)發(fā)科后，全球第四家發(fā)布自主研發(fā)設計3nm制程手機處理器芯片的企業(yè)?；仡櫫诵∶椎谝淮匝惺謾CSoC“澎湃S1”的失敗經(jīng)歷，從2014年9月立項，到2017年正式發(fā)布，“因為種種原因，遭遇挫折”，暫停了SoC大芯片的研發(fā)，轉向了“小芯片”路線(xiàn)。包含了快充芯片、電池管理芯片、影像芯片、天線(xiàn)增強芯片等“小芯片”，在不同技術(shù)賽道中慢慢積累經(jīng)驗和能力。直到2021年初，小米宣布造車(chē)的同時(shí)，還在內部重啟“大芯片
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臺積電公布N2 2nm缺陷率：比3/5/7nm都要好
- 4月26日消息，在近日舉辦的北美技術(shù)論壇上，臺積電首次公開(kāi)了N2 2nm工藝的缺陷率(D0)情況，比此前的7nm、5nm、3nm等歷代工藝都好的多。臺積電沒(méi)有給出具體數據，只是比較了幾個(gè)工藝缺陷率隨時(shí)間變化的趨勢。臺積電N2首次引入了GAAFET全環(huán)繞晶體管，目前距離大規模量產(chǎn)還有2個(gè)季度，也就是要等到年底。N2試產(chǎn)近2個(gè)月來(lái)，缺陷率和同期的N5/N4差不多，還稍微低一點(diǎn)，同時(shí)顯著(zhù)優(yōu)于N7/N6、N3/N3P。從試產(chǎn)到量產(chǎn)半年的時(shí)間周期內，N7/N6的綜合缺陷率是最高的，N3/N3P從量產(chǎn)開(kāi)始就低得多了，
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小米新款SoC或采用臺積電N4P工藝，圖形性能優(yōu)于第二代驍龍8
- 去年末有報道稱(chēng)，小米即將迎來(lái)了自己的SoC，已完成了其首款3nm自研芯片的流片工作，剩下唯一的步驟就是與代工合作伙伴確定訂單，批量生產(chǎn)自己設計的芯片。小米曾在2017年推出了澎湃S1，搭載于小米5c，對SoC并不陌生。據Wccftech報道，雖然中國大陸的芯片設計公司或許不能采用臺積電（TSMC）最新的制造工藝，但最新消息指出，相關(guān)的管制措施暫時(shí)沒(méi)有影響到小米，該款SoC有望在今年晚些時(shí)候推出。不過(guò)與之前的消息有些不同，小米的自研芯片采用的并非3nm工藝，而是4nm工藝，具體來(lái)說(shuō)是N4P。小米的SoC在C
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臺積電2nm馬上量產(chǎn)：工廠(chǎng)火力全開(kāi) 蘋(píng)果首發(fā)
- 3月31日消息，據媒體報道，位于新竹和高雄的兩大臺積電工廠(chǎng)將是2nm工藝制程的主要生產(chǎn)基地，預計今年下半年正式進(jìn)入全面量產(chǎn)階段。在前期試產(chǎn)中，臺積電已經(jīng)做到了高達60%的良率表現，待兩大工廠(chǎng)同步投產(chǎn)之后，月產(chǎn)能將攀升至5萬(wàn)片晶圓，最大設計產(chǎn)能更可達8萬(wàn)片。與此同時(shí)，市場(chǎng)對2nm芯片的需求持續高漲，最新報告顯示，僅2025年第三、四季度，臺積電2納米工藝即可創(chuàng )造301億美元的營(yíng)收，這一數字凸顯先進(jìn)制程在A(yíng)I、高性能計算等領(lǐng)域的強勁需求。作為臺積電的核心客戶(hù)，蘋(píng)果將是臺積電2nm工藝制程的首批嘗鮮者，預計iP
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英特爾將在愛(ài)爾蘭工廠(chǎng)大批量生產(chǎn)3nm芯片
- 據外媒報道，英特爾確認將于今年晚些時(shí)候在其位于愛(ài)爾蘭萊克斯利普的Fab 34量產(chǎn)3nm芯片。據了解，Intel 3是該公司的第二個(gè)EUV光刻節點(diǎn)，每瓦性能比Intel 4工藝提高了18%。Intel公司在年度報告中表示，該工藝于2024年在美國俄勒岡州完成首批量產(chǎn)，2025年產(chǎn)能將全面轉至愛(ài)爾蘭萊克斯利普工廠(chǎng)。據介紹，英特爾同步向代工客戶(hù)開(kāi)放Intel 4/3/18A及成熟制程7nm / 16nm工藝。此外，該公司還與聯(lián)電合作開(kāi)發(fā)12nm代工工藝。英特爾還表示：基于Intel 18A工藝的客戶(hù)端處理器Pa
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能生產(chǎn)3nm！中科院成功研發(fā)全固態(tài)DUV光源技術(shù)：完全不同于A(yíng)SML
- 快科技3月25日消息，據悉，中國科學(xué)院成功研發(fā)除了突破性的固態(tài)DUV(深紫外)激光，可發(fā)射193nm的相干光，與目前主流的DUV曝光波長(cháng)一致，能將半導體工藝推進(jìn)至3nm。據悉，ASML、佳能、尼康的DUV光刻機都采用了氟化氙(ArF)準分子激光技術(shù)，通過(guò)氬、氟氣體混合物在高壓電場(chǎng)下生成不穩定分子，釋放出193nm波長(cháng)的光子，然后以高能量的短脈沖形式發(fā)射，輸出功率100-120W，頻率8k-9kHz，再通過(guò)光學(xué)系統調整，用于光刻設備。中科院的固態(tài)DUV激光技術(shù)完全基于固態(tài)設計，由自制的Yb:YAG晶體放大器
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不再是3nm！曝iPhone 18首發(fā)臺積電2nm工藝制程
- 3月21日消息，投資公司GF Securities在報告中稱(chēng)，iPhone 18系列搭載的A20芯片將會(huì )采用臺積電第三代3nm工藝N3P制造，對此，分析師Jeff Pu予以反駁，稱(chēng)A20芯片基于臺積電2nm制程打造，蘋(píng)果使用3nm的消息可以被忽略了。據悉，臺積電已經(jīng)開(kāi)始了2nm工藝的試產(chǎn)工作，該項目在新竹寶山工廠(chǎng)進(jìn)行，初期良率是60%，預計在2025年下半年開(kāi)始進(jìn)行批量生產(chǎn)階段。之前摩根士丹利發(fā)布報告稱(chēng)，2025年臺積電2nm月產(chǎn)能將從今年的1萬(wàn)片試產(chǎn)規模，增加至5萬(wàn)片左右的量產(chǎn)規模。由于產(chǎn)能爬坡以及良率
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iPhone 17全系無(wú)緣臺積電2nm工藝制程
- 對于iPhone 17系列將搭載的芯片將是由臺積電第三代3nm制程工藝，也就是由N3P制程工藝代工的A19和A19 Pro，iPhone 17和iPhone 17 Air搭載A19芯片，iPhone 17 Pro和iPhone 17 Pro Max搭載A19 Pro芯片。這也意味著(zhù)iPhone 17系列無(wú)緣臺積電最新的2nm工藝制程，蘋(píng)果最快會(huì )在iPhone 18系列上引入臺積電2nm制程。資料顯示，臺積電2nm（N2）工藝最快會(huì )在2025年推出，臺積電CEO魏哲家在近幾個(gè)季度的財報分析師電話(huà)會(huì )議上表示2
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3nm介紹
您好，目前還沒(méi)有人創(chuàng )建詞條3nm!
歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對3nm的理解，并與今后在此搜索3nm的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
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