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3nm 文章 進(jìn)入3nm技術(shù)社區
臺積電公開(kāi)回復：東芝競標案和3nm廠(chǎng)選址
- 臺積電13日的法說(shuō)會(huì )中，針對近期兩大熱門(mén)議題：日本半導體大廠(chǎng)東芝NAND Flash部門(mén)競標案、先進(jìn)制程3奈米晶圓廠(chǎng)的選址，一一對外界做最新的回覆。 自從臺積電董事長(cháng)張忠謀公開(kāi)表示，考慮參與日本半導體大廠(chǎng)東芝(Toshiba)競標案后，臺積電對該案的態(tài)度備受市場(chǎng)關(guān)注，尤其參與競標者又是鴻海、SK海力士(SK Hynix)、威騰(WD)等全球大廠(chǎng)。 臺積電13日指出，內部確實(shí)評估過(guò)該案，但最后決定不去參與競標，主要是兩大原因，第一，內部認為這種標準型記憶體的商業(yè)模式和邏輯產(chǎn)業(yè)很不一樣，第二是
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英特爾7億美金建廠(chǎng)美國 臺積電5000億投資3nm技術(shù)
- 晶圓代工龍頭臺積電正式將赴美國設立晶圓廠(chǎng)列入選項，且目標直指最先進(jìn)且投資金額高達5000億元的3納米制程。臺灣地區媒體報道稱(chēng)，臺積電3納米出走將撼動(dòng)全球半導體江山。 擔憂(yōu)臺灣代工基地空氣不佳、電力不穩 臺媒引述指出，臺積電政策轉向，主因是南科高雄園區路竹基地，環(huán)評作業(yè)完成時(shí)間可能無(wú)法配合臺積電需求，加上空氣品質(zhì)及臺灣電力后續穩定不佳，也是干擾設廠(chǎng)的變數。 臺積電表示，南科高雄園區路竹基地也未排除在外，持續觀(guān)察，選地尚未決定。至于電力問(wèn)題，臺積電重申，考慮設廠(chǎng)地點(diǎn)，水、電、土地、人才，
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臺積電斥資157億美元打造5nm/3nm芯片生產(chǎn)線(xiàn)
- 臺科技部長(cháng)陳良基15日接受經(jīng)濟日報專(zhuān)訪(fǎng)時(shí)表示,他上任后主動(dòng)拜會(huì )臺積電董事長(cháng)張忠謀等科技大老,對臺積電3納米計劃需求,政府將全力協(xié)助,也會(huì )特別關(guān)注半導體產(chǎn)業(yè),并從近程及長(cháng)期著(zhù)手協(xié)助產(chǎn)業(yè)升級。 對于空污總量管制等環(huán)保要求,會(huì )否影響臺積電3納米進(jìn)程,陳良基說(shuō):「我比較審慎樂(lè )觀(guān)。我有看到臺積電對3納米需求,水電、土地、空污等因應措施,并沒(méi)有不能解決的悲觀(guān)?！顾㈩A言,以人工智能(AI)技術(shù)為主的沛星互動(dòng)科技(Appier),十年后有可能成為另一個(gè)「臺積電」。 陳良基說(shuō),他跟張忠謀常碰面,上任后
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半導體走到3nm制程節點(diǎn)不成問(wèn)題
- 在剛剛閉幕的2016年ITF(IMEC全球科技論壇)上，世界領(lǐng)先的獨立納米技術(shù)研究機構——IMEC的首席執行官Luc van den Hove指出，“scaling(尺寸縮小)還會(huì )繼續，我不僅相信它將會(huì )繼續，而且我認為它不得不繼續。” 他認為，目前從技術(shù)層面來(lái)說(shuō)，FINFET、Lateral Nanowire(橫向納米線(xiàn)) 和Vertical Nanowire(縱向納米線(xiàn))已經(jīng)可以幫我們持續推進(jìn)到3nm的制程節點(diǎn)。EUV光刻技術(shù)將是未來(lái)的唯一選擇。
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