臺積電公布N2 2nm缺陷率：比3/5/7nm都要好

4月26日消息，在近日舉辦的北美技術(shù)論壇上，臺積電首次公開(kāi)了N2 2nm工藝的缺陷率(D0)情況，比此前的7nm、5nm、3nm等歷代工藝都好的多。

臺積電沒(méi)有給出具體數據，只是比較了幾個(gè)工藝缺陷率隨時(shí)間變化的趨勢。

臺積電N2首次引入了GAAFET全環(huán)繞晶體管，目前距離大規模量產(chǎn)還有2個(gè)季度，也就是要等到年底。

N2試產(chǎn)近2個(gè)月來(lái)，缺陷率和同期的N5/N4差不多，還稍微低一點(diǎn)，同時(shí)顯著(zhù)優(yōu)于N7/N6、N3/N3P。

從試產(chǎn)到量產(chǎn)半年的時(shí)間周期內，N7/N6的綜合缺陷率是最高的，N3/N3P從量產(chǎn)開(kāi)始就低得多了，N5/N4情況更好，從試產(chǎn)開(kāi)始就明顯更低。

N2如果能延續N5/N4的趨勢，前景無(wú)疑是非常光明的。

臺積電還指出，一種工藝的缺陷率能否快速降低，除了取決于本身的設計和技術(shù)，也要看制造芯片數量、產(chǎn)能規模，越多越大就越容易發(fā)現缺陷并改進(jìn)。

臺積電N2已流片的芯片數量就明顯更多，也是其能夠快速降低缺陷率的關(guān)鍵原因。