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臺積電3nm工藝計劃明年風(fēng)險試產(chǎn) 有望提前大規模量產(chǎn)

  • 7月30日消息,據國外媒體報道,在5nm芯片制程工藝二季度量產(chǎn)之后,臺積電下一步的工藝重點(diǎn)就將是更先進(jìn)的3nm工藝,這一工藝有望先于他們的預期大規模量產(chǎn)。在二季度的財報分析師電話(huà)會(huì )議上,臺積電CEO魏哲家再一次談到了3nm工藝,重申進(jìn)展順利,計劃在2021年風(fēng)險試產(chǎn),2022年下半年大規模量產(chǎn)。但參考臺積電5nm工藝的風(fēng)險量產(chǎn)時(shí)間與大規模量產(chǎn)時(shí)間,他們3nm工藝的大規模量產(chǎn)時(shí)間,有望提前,先于他們的預期。從此前魏哲家在財報分析師電話(huà)會(huì )議上透露的情況來(lái)看,臺積電5nm工藝的研發(fā)設計,是在2018年的三季度完
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外媒:臺積電英特爾5nm及3nm CPU合作計劃正在推進(jìn)

  • 【TechWeb】7月28日消息,據國外媒體報道,在周一的報道中,外媒報道稱(chēng)考慮將芯片交由第三方代工的芯片巨頭英特爾,已經(jīng)將2021年6nm芯片代工訂單交由芯片代工商臺積電,而從最新的報道來(lái)看,臺積電還有望獲得英特爾5nm及3nm CPU的代工訂單。從外媒的報道來(lái)看,英特爾交由臺積電的是即將推出的Ponte Vecchio GPU,采用臺積電成本稍低的6nm工藝,交付給臺積電的是18萬(wàn)晶圓的代工訂單。外媒在報道中表示,英特爾交給臺積電的18萬(wàn)片晶圓GPU代工訂單,并不算高,但在報道中卻提到了CPU代工的消
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3nm工藝太燒錢(qián) 沒(méi)有46億元別來(lái)流片

  • 最近幾天,半導體行業(yè)出了一件大事,Intel宣布7nm工藝延期,導致公司股價(jià)大跌,而AMD及臺積電兩家公司股價(jià)創(chuàng )造了歷史新高,他們在先進(jìn)工藝上暫時(shí)是領(lǐng)先的。Intel現在遇到的工藝延期問(wèn)題有多方面原因,技術(shù)、人才、管理上都可以找到一堆理由,但是還有一個(gè)因素不容忽視,那就是先進(jìn)工藝越來(lái)越燒錢(qián)了。之前的數據顯示,28nm工藝開(kāi)發(fā)一款芯片的費用不過(guò)5130萬(wàn)美元,16nm工藝就超過(guò)1億美元,10nm工藝要1.74億美元,7nm工藝要3億美元?,F在Intel、臺積電、三星等公司的競爭已經(jīng)進(jìn)入5nm以下節點(diǎn),設計芯
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臺積電3nm明年風(fēng)險生產(chǎn) 用于iPhone 13 A16芯片

  • 外媒PhoneArena報道,全球最大的代工合同制造商是臺積電(TSMC),為那些具有自主設計但沒(méi)有生產(chǎn)設備的公司生產(chǎn)芯片。用于制造芯片的設備非常復雜且非常昂貴。例如,臺積電計劃今年在資本支出上會(huì )付出150億美元,臺積電的主要客戶(hù)包括蘋(píng)果、高通和華為。今年,臺積電將為蘋(píng)果和華為交付其最先進(jìn)的芯片組,分別為A14 Bionic和海思麒麟1020。兩者都將使用臺積電的5nm工藝制造,這意味著(zhù)芯片內部的晶體管數量將增加約77%。這使得這些芯片比7nm芯片更強大、更節能。由于美國新的出口規定,臺積電將從9
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Intel 5年內量產(chǎn)納米線(xiàn)/納米帶晶體管!搭檔3nm?

  • Intel這幾年雖然在制造工藝上步伐慢了很多,但是說(shuō)起半導體前沿技術(shù)研究和儲備,Intel的實(shí)力仍是行業(yè)數一數二的。在近日的國際超大規模集成電路會(huì )議上,Intel首席技術(shù)官、Intel實(shí)驗室總監Mike Mayberry就暢談了未來(lái)的晶體管結構研究,包括GAA環(huán)繞柵極、2D MBCFET多橋-通道場(chǎng)效應管納米片結構,乃至最終擺脫CMOS。FinFET立體晶體管是Intel 22nm、臺積電16nm、三星14nm工藝節點(diǎn)上引入的,仍在持續推進(jìn),而接下來(lái)最有希望的變革就是GAA環(huán)繞柵極結構,重新設計晶體管底層
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外媒稱(chēng)臺積電已開(kāi)始安裝3nm生產(chǎn)線(xiàn) 早于此前預期

  • 據國外媒體報道,在5nm工藝順利量產(chǎn)之后,芯片代工商臺積電在工藝量產(chǎn)及研發(fā)方面的重點(diǎn),已經(jīng)放在了更先進(jìn)的3nm和2nm上。5nm之后就將投入量產(chǎn)的3nm工藝方面,臺積電是計劃在2021年風(fēng)險試產(chǎn),2022年上半年開(kāi)始大規模量產(chǎn)。在3nm生產(chǎn)線(xiàn)方面,外媒在今年3月底的報道中,是表示臺積電在今年10月份就會(huì )開(kāi)始安裝相關(guān)的生產(chǎn)設備。而在最新的報道中,出現了臺積電已提前開(kāi)始安裝3nm生產(chǎn)線(xiàn)的消息。外媒在報道中表示,臺積電已經(jīng)開(kāi)始安裝3nm生產(chǎn)線(xiàn)及相關(guān)的設施,正在按進(jìn)度推進(jìn)。包括創(chuàng )始人張忠謀、現任CEO魏哲家在內的
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臺積電3nm細節公布:2.5億晶體管/mm2 能耗性能大提升

  • 近日,臺積電正式披露了其最新3nm工藝的細節詳情,其晶體管密度達到了破天荒的2.5億/mm2!
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臺積電首次公布3nm工藝詳情:FinFET技術(shù) 2021年試產(chǎn)

  • 盡管2020年全球半導體行業(yè)會(huì )因為疫情導致下滑,但臺積電的業(yè)績(jì)不降反升,掌握著(zhù)7nm、5nm先進(jìn)工藝的他們更受客戶(hù)青睞。今天的財報會(huì )上,臺積電也首次正式宣布3nm工藝詳情,預定在2022年下半年量產(chǎn)。臺積電原本計劃4月29日在美國舉行技術(shù)論壇,正式公布3nm工藝詳情,不過(guò)這個(gè)技術(shù)會(huì )議已經(jīng)延期到8月份,今天的Q1財報會(huì )議上才首次對外公布3nm工藝的技術(shù)信息及進(jìn)度。臺積電表示,3nm工藝研發(fā)符合預期,并沒(méi)有受到疫情影響,預計在2021年進(jìn)入風(fēng)險試產(chǎn)階段,2022年下半年量產(chǎn)。在技術(shù)路線(xiàn)上,臺積電評估多種選擇后
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外媒:臺積電今年10月份開(kāi)始安裝3nm芯片生產(chǎn)設備

  • 據國外媒體報道,在芯片制造工藝方面走在行業(yè)前列的芯片代工商臺積電,在2018年率先量產(chǎn)7nm芯片之后,今年將大規模量產(chǎn)5nm芯片,外媒此前的報道顯示,臺積電今年4月份就將開(kāi)始為相關(guān)客戶(hù)大規模生產(chǎn)5nm芯片。在7nm投產(chǎn)已兩年、5nm工藝即將大規模量產(chǎn)的情況下,臺積電也將注意力放在了更先進(jìn)的3nm工藝上。在最新的報道中,外媒就提到了臺積電3nm工藝方面的消息,其表示今年10月份,臺積電就將開(kāi)始安裝生產(chǎn)3nm芯片的設備。3nm工藝是5nm之后,芯片制造工藝的一個(gè)重要節點(diǎn)。在2019年第四季度的財報分析師電話(huà)會(huì )
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面向3nm及以下工藝,ASML新一代EUV光刻機曝光

  • 很快,臺積電和三星的5nm工藝即將量產(chǎn),與此同時(shí),臺積電和三星的3nm工藝也在持續的研發(fā)當中。而對于5nm及以下工藝來(lái)說(shuō),都必須依靠EUV(極紫外)光刻機才能實(shí)現。而目前全球只有一家廠(chǎng)商能夠供應EUV光刻機,那就是荷蘭的ASML。很快,臺積電和三星的5nm工藝即將量產(chǎn),與此同時(shí),臺積電和三星的3nm工藝也在持續的研發(fā)當中。而對于5nm及以下工藝來(lái)說(shuō),都必須依靠EUV(極紫外)光刻機才能實(shí)現。而目前全球只有一家廠(chǎng)商能夠供應EUV光刻機,那就是荷蘭的ASML。目前ASML出貨的EUV光刻機主要是NXE:340
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Intel最新制程路線(xiàn)圖曝光:10nm+++得到證實(shí)、2029年上馬1.4nm

  • 原文流傳年的幻燈片并非出自Intel官方,而是荷蘭光刻機巨頭ASML在Intel原有幻燈片基礎上自行修改的,5nm、3nm、2nm、1.4nm規劃均不是出自Intel官方,不代表Intel官方路線(xiàn)圖。Intel官方原始幻燈片如下:在IEDM(IEEE國際電子設備會(huì )議上),有合作伙伴披露了一張號稱(chēng)是Intel 9月份展示的制造工藝路線(xiàn)圖,14nm之后的節點(diǎn)一覽無(wú)余,甚至推進(jìn)到了1.4nm。讓我們依照時(shí)間順序來(lái)看——目前,10nm已經(jīng)投產(chǎn),7nm處于開(kāi)發(fā)階段,5nm處于技術(shù)指標定義階段,3nm處于探索、先導階
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三星明年完成3nm GAA工藝開(kāi)發(fā) 性能大漲35%

  • 盡管日本嚴格管制半導體材料多少都會(huì )影響三星的芯片、面板研發(fā)、生產(chǎn),但是上周三星依然在日本舉行了“三星晶圓代工論壇”SFF會(huì )議,公布了旗下新一代工藝的進(jìn)展,其中3nm工藝明年就完成開(kāi)發(fā)了。三星在10nm、7nm及5nm節點(diǎn)的進(jìn)度都會(huì )比臺積電要晚一些,導致臺積電幾乎包攬了目前的7nm芯片訂單,三星只搶到IBM、NVIDIA及高通部分訂單。不過(guò)三星已經(jīng)把目標放在了未來(lái)的3nm工藝上,預計2021年量產(chǎn)。在3nm節點(diǎn),三星將從FinFET晶體管轉向GAA環(huán)繞柵極晶體管工藝,其中3nm工藝使用的是第一代GAA晶體管
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臺積電:3nm工藝進(jìn)展順利 已有客戶(hù)參與

  • 如今在半導體工藝上,臺積電一直十分激進(jìn),7nm EUV工藝已經(jīng)量產(chǎn),5nm馬上就來(lái),3nm也不遠了。臺積電CEO兼聯(lián)席主席蔡力行(C.C. Wei)在投資者與分析師會(huì )議上透露,臺積電的N3 3nm工藝技術(shù)研發(fā)非常順利,已經(jīng)有早期客戶(hù)參與進(jìn)來(lái),與臺積電一起進(jìn)行技術(shù)定義,3nm將在未來(lái)進(jìn)一步深化臺積電的領(lǐng)導地位。目前,3nm工藝仍在早期研發(fā)階段,臺積電也沒(méi)有給出任何技術(shù)細節,以及性能、功耗指標,比如相比5nm工藝能提升多少,只是說(shuō)3nm將是一個(gè)全新的工藝節點(diǎn),而不是5nm的改進(jìn)版。臺積電只是說(shuō),已經(jīng)評估了3n
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國產(chǎn)3nm半導體來(lái)了?只是學(xué)術(shù)進(jìn)展

  • 今天有多家媒體報道了中國科研人員實(shí)現了3nm半導體工藝的突破性進(jìn)展,香港《南華早報》稱(chēng)中科院微電子所團隊的殷華湘等人研究出了3nm晶體管,相當于人類(lèi)DNA鏈條寬度,這種晶體管解決了玻爾茲曼熱力學(xué)的限制。
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臺積電Q1凈利潤暴跌32% 今年砸80億美元研發(fā)7/5/3nm工藝

  • 作為全球晶圓代工市場(chǎng)的一哥,臺積電一家就占了全球50-60%的份額,幾乎吃下所有7nm先進(jìn)訂單。不過(guò)今年遇到了半導體市場(chǎng)熊市,臺積電Q1季度營(yíng)收、盈利也不免受影響下滑,凈利潤暴跌了32%。不過(guò)臺積電今年依然要砸錢(qián)研發(fā)新工藝,預計會(huì )在7nm、5nm及3nm工藝研發(fā)上投資80億美元之多。
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