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3nm
3nm 文章 進(jìn)入3nm技術(shù)社區
中國廠(chǎng)商成3nm“小白鼠”:三星自家芯片兩年后才用

- 6月30日,三星代工廠(chǎng)和半導體研發(fā)中心的職員齊聚一堂,慶祝公司成為世界首家大規模投產(chǎn)3nm芯片的半導體企業(yè)。雖然三星上馬的是取代FinFET的革命性GAA晶體管,雖然三星把3nm看得無(wú)比重要,可BK的報道稱(chēng),三星3nm的首家客戶(hù)居然是來(lái)自中國的一家名為PanSemi(上海磐矽半導體技術(shù)有限公司)的礦機芯片企業(yè)??紤]到當前虛擬貨幣慘淡的行情,這筆訂單的量級肯定不會(huì )大到哪兒去,對于檢驗3nm GAA的成色也不具備充分說(shuō)服力。另一個(gè)有趣的細節是,報道稱(chēng),三星自家芯片準備在2024年才用3nm,而且是第二代,這就
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英特爾或將修改3nm制程生產(chǎn)計劃 重回巔峰路途漫漫

- 消息稱(chēng)英特爾CEO Pat Gelsinger可能會(huì )在8月份前往臺積電,與臺積電的高層會(huì )晤,主要是對明年的3nm產(chǎn)能計劃進(jìn)行“緊急修正”。英特爾原計劃2022年底量產(chǎn)第14代Meteor Lake,并于2023年上半年推出,如今有消息稱(chēng)將延后到2023年底。作為英特爾GPU繪圖芯片代工企業(yè),臺積電的3nm制程的計劃將受到影響。據報道,英特爾內部已開(kāi)始緊急修正未來(lái)一年的平臺藍圖以及自家制程產(chǎn)能計劃。一直有消息稱(chēng),英特爾將使用臺積電的N3工藝生產(chǎn)GPU,比如獨立顯卡使用的GPU以及Meteor Lake的GP
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難道是新款麒麟?三星透露3nm芯片新消息,信息量頗大

- 在芯片企業(yè)中,華為海思還是頂流的存在,可以說(shuō),華為海思自研的麒麟系列芯片能夠與高通驍龍8系列、蘋(píng)果A系列并駕齊驅。甚至可以說(shuō),海思麒麟芯片還領(lǐng)先于蘋(píng)果、高通,因為首款5nm 5G Soc就是華為海思推出的,NPU也是華為率先用在處理器中,蘋(píng)果、高通紛紛效仿。然而,誰(shuí)也沒(méi)有想到的是,美多次修改芯片等規則,導致臺積電等企業(yè)不能自由出貨,原因是臺積電等在芯片生產(chǎn)制造過(guò)程中也使用了相關(guān)美技術(shù)。在這樣的情況,臺積電等積極爭取自由出貨許可,還不斷加速發(fā)展先進(jìn)技術(shù),目的就是盡可能地降低對美技術(shù)的依賴(lài),從而實(shí)現自由出貨。
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三星3nm工藝搶先量產(chǎn) 專(zhuān)家表態(tài):趕鴨子上架、沒(méi)人用的
- 一如之前預告的那樣,三星在今天正式宣布了3nm工藝量產(chǎn),這意味著(zhù)三星在新一代工藝上搶先了臺積電量產(chǎn),并且首次量產(chǎn)GAA晶體管工藝,技術(shù)上也是全面壓制了臺積電,后者要到2nm節點(diǎn)才會(huì )用上GAA工藝。根據三星所說(shuō),在3nm芯片上,其放棄了之前的FinFET架構,采用了新的GAA晶體管架構,大幅改善了芯片的功耗表現。與5nm相比,第一代3nm工藝能夠降低45%的功耗,減少16%的面積,并同時(shí)提升23%的性能,第二代的3nm工藝可以降低50%的功耗,提升30%的性能,同時(shí)面積減少35%,效果更好。對于三星搶先量產(chǎn)
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三星否認“3nm 芯片量產(chǎn)延后”,稱(chēng)仍按進(jìn)度于第二季度開(kāi)始量產(chǎn)
- 三星電子今日否認了韓國當地媒體《東亞日報》有關(guān)延后3nm量產(chǎn)的報道?!稏|亞日報》此前報道稱(chēng),由于良率遠低于目標,三星3nm量產(chǎn)將再延后?! ∪且晃话l(fā)言人通過(guò)電話(huà)表示,三星目前仍按進(jìn)度于第二季度開(kāi)始量產(chǎn)3nm芯片?! 私獾?,昨天韓媒BusinessKorea消息稱(chēng),三星為趕超臺積電,加碼押注3nm GAA技術(shù),并計劃在2025年量產(chǎn)以GAA工藝為基礎的2nm芯片?! ∠⒎Q(chēng),三星在6月初將3nm GAA工藝的晶圓用于試生產(chǎn),成為全球第一家使用GAA技術(shù)的公司。三星希望通過(guò)技術(shù)上的飛躍,快速縮小與臺
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功耗降低50% 三星3nm芯片全球首秀:搶先臺積電量產(chǎn)
- 三星之前制定計劃在2030年成為全球最先進(jìn)的半導體制造公司之一,3nm節點(diǎn)是他們的一個(gè)殺手锏,之前一直被良率不行等負面傳聞困擾,日前三星公司終于亮出首個(gè)3nm晶圓,按計劃將在今年Q2季度量產(chǎn),比臺積電還要早一些?! ∪涨懊绹偨y參觀(guān)了三星位于平澤市附近的芯片工廠(chǎng),這里是目前全球唯一一個(gè)可以量產(chǎn)3nm工藝的晶圓廠(chǎng),三星首次公開(kāi)了3nm工藝制造的12英寸晶圓,不過(guò)具體是哪款芯片還不得而知?! θ莵?lái)說(shuō),3nm節點(diǎn)是他們押注芯片工藝趕超臺積電的關(guān)鍵,因為臺積電的3nm工藝不會(huì )上下一代的GAA晶體管技術(shù),三
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Applied Materials公布適用于3nm與GAA晶體管制造的下一代工具

- 上月,三星代工(Samsung Foundry)部門(mén)悄然宣布,其定于 2022 年 2 季度開(kāi)始使用 3GAE 技術(shù)工藝來(lái)生產(chǎn)芯片。作為業(yè)內首個(gè)采用 GAA 晶體管的 3nm 制程工藝,可知這一術(shù)語(yǔ)特指“3nm”、“環(huán)柵晶體管”、以及“早期”。不過(guò)想要高效地制造 GAA 晶體管,晶圓廠(chǎng)還必須裝備全新的生產(chǎn)工具。 而來(lái)自應用材料(Applied Materials)公司的下一代工具,就將為包括三星在內的晶圓廠(chǎng)提供 GAA 芯片的制造支持。(來(lái)自:Applied Materials 官網(wǎng) ,via
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三星正推進(jìn)3nm工藝二季度量產(chǎn) 若實(shí)現將先于臺積電量產(chǎn)

- 據國外媒體報道,在7nm和5nm制程工藝的量產(chǎn)時(shí)間上基本能跟上臺積電節奏的三星電子,在更先進(jìn)的3nm制程工藝上有望先于臺積電量產(chǎn),有報道稱(chēng)他們正推進(jìn)在二季度量產(chǎn)。三星電子在二季度的展望中提到,他們的技術(shù)領(lǐng)先將通過(guò)首個(gè)大規模量產(chǎn)的全環(huán)繞柵極晶體管3nm工藝進(jìn)一步加強,他們也將擴大供應,確保獲得全球客戶(hù)新的訂單,包括美國和歐洲客戶(hù)的訂單。外媒的報道顯示,三星電子方面已經(jīng)宣布,他們早期3nm級柵極全能(3GAE)工藝將在二季度量產(chǎn)。三星電子宣布的這一消息,也就意味著(zhù)業(yè)界首個(gè)3nm制程工藝即將量產(chǎn),將是首個(gè)采用全
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外媒稱(chēng)三星3nm工藝良品率可能仍遠不及預期 僅10%-20%

- 據國外媒體報道,在2月份有報道稱(chēng)臺積電的3nm工藝遇到良品率難題,可能影響到AMD、英偉達等部分客戶(hù)的產(chǎn)品路線(xiàn)圖之后,又出現了三星電子3nm工藝的良品率遠不及預期的消息。韓國媒體的報道顯示,三星電子3nm制程工藝的良品率,才到10%-20%,遠不及公司期望的目標,在提升3nm工藝的良品率方面,也陷入了掙扎。另外,三星4nm工藝制造的良率也不盡如人意,僅為30%-35%。三星電子和臺積電是目前已順利量產(chǎn)5nm工藝,并在推進(jìn)3nm工藝量產(chǎn)事宜的晶圓代工商,與臺積電繼續采用鰭式場(chǎng)效應晶體管(FinFET)架構不
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臺積電3nm工廠(chǎng)支援生產(chǎn):5nm訂單激增
- 日前,由于蘋(píng)果、AMD、聯(lián)發(fā)科等客戶(hù)5nm訂單積累太多,臺積電不得不先把3nm工廠(chǎng)臨時(shí)拉出來(lái)給5nm擴產(chǎn)。今年有大量芯片會(huì )升級5nm工藝或者改進(jìn)版的4nm工藝,蘋(píng)果這邊有M1/M1 Pro/M1 Max,M2系列很快也要量產(chǎn)了,產(chǎn)能需求很高。 除了蘋(píng)果這個(gè)VVVIP客戶(hù)之外,AMD今年也會(huì )有5nm Zen4架構處理器及5nm RDNA3架構GPU芯片,他們也是最重要的5nm工藝客戶(hù)之一。聯(lián)發(fā)科今天發(fā)布了天璣8100/8000處理器,也是臺積電5nm工藝,投片量也不低,NVIDIA
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臺積電:投資6000多億建3nm、2nm晶圓廠(chǎng)
- 由于半導體芯片產(chǎn)能緊缺,臺積電此前宣布三年內投資1000億美元,約合6300多億人民幣,主要用于建設新一代的3nm、2nm芯片廠(chǎng),蓋長(cháng)的需求太高,現在連建筑用的磚塊都要搶購了。據《財訊》報道,這兩年芯片產(chǎn)能緊缺,但是比芯片產(chǎn)能更缺的還有一種建材——白磚,連臺積電都得排隊搶購。這種磚塊是一種特殊的建材,具備隔音、輕量、隔熱、防火、環(huán)保、便利等優(yōu)點(diǎn),重量只有傳統紅磚的一半左右,是很多工廠(chǎng)及房產(chǎn)建設中都需要的材料。對臺積電來(lái)說(shuō),一方面它們自己建設晶圓廠(chǎng)需要大量白磚,另一方面它們在當地某個(gè)城市建設晶圓廠(chǎng),往往還會(huì )
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臺積電3nm良率難提升 多版本3nm工藝在路上

- 近日,關(guān)于臺積電3nm工藝制程有了新消息,據外媒digitimes最新報道,半導體設備廠(chǎng)商透露,臺積電3納米良率拉升難度飆升,臺積電因此多次修正3納米藍圖。實(shí)際上,隨著(zhù)晶體管數量的堆積,內部結構的復雜化,3nm工藝制程的良品率確實(shí)很難快速提升,達成比較好的量產(chǎn)水平。因此,臺積電或將規劃包括N3、N3E與N3B等多個(gè)不同良率和制程工藝的技術(shù),以滿(mǎn)足不同廠(chǎng)商的性能需求,正如同去年蘋(píng)果在A(yíng)15上進(jìn)行不同芯片性能閹割一致,即能滿(mǎn)足量產(chǎn)需求,還能平攤制造成本,保持利潤。此外,還有消息稱(chēng)臺積電將在2023年第一季度開(kāi)
- 關(guān)鍵字: 臺積電 3nm 良率
3nm介紹
您好,目前還沒(méi)有人創(chuàng )建詞條3nm!
歡迎您創(chuàng )建該詞條,闡述對3nm的理解,并與今后在此搜索3nm的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
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