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臺積電公布N2 2nm缺陷率：比3/5/7nm都要好
- 4月26日消息，在近日舉辦的北美技術(shù)論壇上，臺積電首次公開(kāi)了N2 2nm工藝的缺陷率(D0)情況，比此前的7nm、5nm、3nm等歷代工藝都好的多。臺積電沒(méi)有給出具體數據，只是比較了幾個(gè)工藝缺陷率隨時(shí)間變化的趨勢。臺積電N2首次引入了GAAFET全環(huán)繞晶體管，目前距離大規模量產(chǎn)還有2個(gè)季度，也就是要等到年底。N2試產(chǎn)近2個(gè)月來(lái)，缺陷率和同期的N5/N4差不多，還稍微低一點(diǎn)，同時(shí)顯著(zhù)優(yōu)于N7/N6、N3/N3P。從試產(chǎn)到量產(chǎn)半年的時(shí)間周期內，N7/N6的綜合缺陷率是最高的，N3/N3P從量產(chǎn)開(kāi)始就低得多了，
- 關(guān)鍵字： 臺積電 N2 2nm 缺陷率 3nm 5nm 7nm
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