三星3nm工藝正式發(fā)流片：采用GAA架構

　　據外媒報道，三星宣布3nm工藝技術(shù)已正式發(fā)流片。據報道，三星的3mm工藝采用GAA架構，性能優(yōu)于臺積電的3nm FinFET架構。

　　報告稱(chēng)，三星在3納米工藝中的流片進(jìn)展是與新思科技合作完成的，旨在加快為GAA架構的生產(chǎn)工藝提供高度優(yōu)化的參考方法。三星的3nm工藝采用GAA結構，而不是臺積電或英特爾采用的FinFET結構。因此，三星采用新思科技的Fusion Design Platform。

　　在技術(shù)性能方面，基于GAA架構的晶體管可以提供比FinFET更好的靜電特性，可以滿(mǎn)足一定柵極寬度的要求。這主要表現在相同尺寸的結構下，GAA的溝道控制能力增強，為尺寸的進(jìn)一步微縮提供了可能。