臺積電今年提前投產(chǎn)3nm：Intel也要用！

在新制程工藝推進(jìn)速度上，臺積電已經(jīng)徹底無(wú)敵，Intel、三星都已經(jīng)望塵莫及。

據最新消息，臺積電將在今年下半年提前投產(chǎn)3nm工藝，雖然只是風(fēng)險性試產(chǎn)和小規模量產(chǎn)，但也具有里程碑式的意義。

很自然的，臺積電會(huì )在明年大規模量產(chǎn)3nm，初期產(chǎn)能每月大約3萬(wàn)塊晶圓，到了2023年可達每月10.5萬(wàn)塊晶圓，趕上目前5nm的產(chǎn)能，而后者在去年第四季度的產(chǎn)能為每月9萬(wàn)塊晶圓。

根據臺積電數據，3nm雖然繼續使用FinFET晶體管，但是相比于5nm晶體管密度增加70％，性能可提升11％，或者功耗可降低27％。

據悉，蘋(píng)果將是臺積電3nm的核心客戶(hù)之一，預計會(huì )用于A(yíng)17系列芯片，而有趣的是，Intel也會(huì )將部分處理器外包給臺積電3nm。

AMD、聯(lián)發(fā)科、賽靈思(已被AMD收購)、Marvell、博通、高通等，自然也都會(huì )跟上臺積電3nm。

相比之下，三星3nm激進(jìn)地采用了GAA環(huán)繞柵極晶體管，如能順利實(shí)現提升更大，但是難度也大得多，預計要明年才能投產(chǎn)。