臺積電最新進(jìn)展:2nm正在開(kāi)發(fā) 3nm和4nm將在明年面世

全球最大的晶圓代工廠(chǎng)，擁有近500個(gè)客戶(hù)，這就是他們的獨特之處。一方面，公司幾乎可以為提出任何需求的所有客戶(hù)提供服務(wù)；另一方面，就容量和技術(shù)而言，他們必須領(lǐng)先于其他任何人；就產(chǎn)能而言，臺積電（TSMC）是不接受任何挑戰，而且未來(lái)幾年也不會(huì )

臺積電今年300億美元的資本預算中，約有80％將用于擴展先進(jìn)技術(shù)的產(chǎn)能，例如3nm，4nm / 5nm和6nm / 7nm。分析師認為，到今年年底，先進(jìn)節點(diǎn)上的大部分資金將用于將臺積電的N5產(chǎn)能擴大，擴大后的產(chǎn)能將提到至每月110,000?120,000個(gè)晶圓啟動(dòng)（WSPM）分析師估計，臺積電的N5晶體管密度約為每平方毫米1.7億個(gè)晶體管（MTr / mm 2），如果準確的話(huà)，它是當今可用的最密集的技術(shù)。相比之下，三星Foundry的5LPE的晶體管密度介乎125 MTR /平方毫米?130 MTR /平方毫米之間，而Intel的10納米設有一個(gè)約100 MTR /平方毫米的密度。

魏哲家說(shuō)：“ N4將利用N5的強大基礎來(lái)進(jìn)一步擴展我們的5 nm系列?！?nbsp;“ N4是具有兼容設計規則的N5的直接移植，同時(shí)為下一波5納米產(chǎn)品提供了進(jìn)一步的性能，功率和密度增強。N4風(fēng)險生產(chǎn)的目標是今年下半年，到2022年實(shí)現批量生產(chǎn)。

2022年，全球最大的芯片合同制造商將推出其全新的N3制造工藝，該工藝將繼續使用FinFET晶體管，但預計PPA將大幅提升。

N3將進(jìn)一步增加EUV層的數量，但將繼續使用DUV光刻技術(shù)。而且，由于該技術(shù)一直在使用FinFET，因此不需要從頭開(kāi)始重新設計和開(kāi)發(fā)全新IP的新一代電子設計自動(dòng)化（EDA）工具，這可能會(huì )成為基于Samsung Foundry基于GAAFET / MBCFET的3GAE的競爭優(yōu)勢。。

臺積電首席執行官說(shuō)：“ [N3]風(fēng)險生產(chǎn)計劃在2021年進(jìn)行?！?nbsp;“目標是在2022年下半年實(shí)現量產(chǎn)。引入N3技術(shù)將成為PPA和晶體管技術(shù)中最先進(jìn)的鑄造技術(shù)。[…]我們對我們的[N5]和[N3]充滿(mǎn)信心，他們將是臺積電的大型持久節點(diǎn)?！?/p>

Gate-all-around FETs（GAAFET）仍是臺積電發(fā)展路線(xiàn)圖的一部分。預計該公司在其“后N3”技術(shù)（可能是N2）中使用新型晶體管。實(shí)際上，該公司處于下一代材料和晶體管結構的探路模式，這些材料和晶體管結構將在未來(lái)的許多年中使用。

該公司在最近的年度報告中說(shuō)：“對于先進(jìn)的CMOS邏輯，臺積電的3nm和2nm CMOS節點(diǎn)正在順利進(jìn)行中?！?nbsp;“此外，臺積電加強了探索性的研發(fā)工作，重點(diǎn)放在2nm以外的節點(diǎn)以及3D晶體管，新存儲器和low-R interconnect等領(lǐng)域，這些領(lǐng)域有望為許多技術(shù)平臺奠定堅實(shí)的基礎。

至少按臺積電董事長(cháng)劉德音、德國智庫Stiftung Neue 4月初，臺積電董事長(cháng)劉德音公開(kāi)提到，美國和歐洲擴大其半導體晶圓廠(chǎng)產(chǎn)能的計劃是“經(jīng)濟上不現實(shí)的”，因為這些計劃是為了滿(mǎn)足其自身需求而進(jìn)行的，如果整個(gè)半導體供應鏈轉移到美國和歐洲，或者如果這些地區計劃擴大產(chǎn)能，則將導致大量“非盈利性”企業(yè)的產(chǎn)生。