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3nm finfet 文章 進(jìn)入3nm finfet技術(shù)社區
3nm 晶圓量產(chǎn)缺陷導致 1 萬(wàn)億韓元損失？三星回應：毫無(wú)根據
- IT之家 6 月 27 日消息，三星昨日（6 月 26 日）發(fā)布聲明，否認“三星代工業(yè)務(wù) 3nm 晶圓缺陷”的報道，認為這則傳聞“毫無(wú)根據”。此前有消息稱(chēng)三星代工廠(chǎng)在量產(chǎn)第二代 3nm 工藝過(guò)程中發(fā)現缺陷，導致 2500 個(gè)批次（lots）被報廢，按照 12 英寸晶圓計算，相當于每月 65000 片晶圓，損失超過(guò) 1 萬(wàn)億韓元（IT之家備注：當前約 52.34 億元人民幣）。三星駁斥了這一傳言，稱(chēng)其“毫無(wú)根據”，仍在評估受影響生產(chǎn)線(xiàn)的產(chǎn)品現狀。業(yè)內人士認為，報道中的數字可能被夸大了，并指出三星的
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英特爾最新的FinFET是其代工計劃的關(guān)鍵
- 在上周的VLSI研討會(huì )上，英特爾詳細介紹了制造工藝，該工藝將成為其高性能數據中心客戶(hù)代工服務(wù)的基礎。在相同的功耗下，英特爾 3 工藝比之前的工藝英特爾 4 性能提升了 18%。在該公司的路線(xiàn)圖上，英特爾 3 是最后一款使用鰭片場(chǎng)效應晶體管 （FinFET） 結構的產(chǎn)品，該公司于 2011 年率先采用這種結構。但它也包括英特爾首次使用一項技術(shù)，該技術(shù)在FinFET不再是尖端技術(shù)之后很長(cháng)一段時(shí)間內對其計劃至關(guān)重要。更重要的是，該技術(shù)對于該公司成為代工廠(chǎng)并為其他公司制造高性能芯片的計劃至關(guān)重要。它被稱(chēng)為偶極子功
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Intel 3 “3nm 級”工藝技術(shù)正在大批量生產(chǎn)
- 英特爾周三表示，其名為Intel 3的3nm級工藝技術(shù)已在兩個(gè)工廠(chǎng)進(jìn)入大批量生產(chǎn)，并提供了有關(guān)新生產(chǎn)節點(diǎn)的一些額外細節。新工藝帶來(lái)了更高的性能和更高的晶體管密度，并支持1.2V的電壓，適用于超高性能應用。該節點(diǎn)針對的是英特爾自己的產(chǎn)品以及代工客戶(hù)。它還將在未來(lái)幾年內發(fā)展。英特爾代工技術(shù)開(kāi)發(fā)副總裁Walid Hafez表示：“我們的英特爾3正在俄勒岡州和愛(ài)爾蘭的工廠(chǎng)進(jìn)行大批量生產(chǎn)，包括最近推出的Xeon 6'Sierra Forest'和'Granite Rapids'處理器
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谷歌已經(jīng)與臺積電達成合作：首款芯片為T(mén)ensor G5，選擇3nm工藝制造
- 此前有報道稱(chēng)，明年谷歌可能會(huì )改變策略，在用于Pixel 10系列的Tensor G5上更換代工廠(chǎng)，改用臺積電代工，至少在制造工藝上能與高通和聯(lián)發(fā)科的SoC處于同一水平線(xiàn)。為了更好地進(jìn)行過(guò)渡，谷歌將擴大在中國臺灣地區的研發(fā)中心。隨后泄露的數據庫信息表明，谷歌已經(jīng)開(kāi)始與臺積電展開(kāi)合作，將Tensor G5的樣品發(fā)送出去做驗證。據Wccftech報道，谷歌與臺積電已達成了一項協(xié)議，后者將為Pixel系列產(chǎn)品線(xiàn)生產(chǎn)完全定制的Tensor G系列芯片。谷歌希望新款SoC不再受到良品率的困擾，而Tenso
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曝三星3nm良率僅20%！但仍不放棄Exynos 2500
- 6月23日消息，據媒體報道，Exynos 2500的良品率目前僅為20%，遠低于量產(chǎn)標準，但三星仍在積極尋求解決方案，以期在今年10月前將良品率提升至60%。Exynos 2500是三星首款采用SF3工藝的智能手機SoC，該工藝相較于前代4nm FinFET工藝，在能效和密度上預計有20%至30%的提升。然而，低良品率的問(wèn)題可能導致三星在Galaxy S25系列上不得不全面采用高通平臺，這將增加成本并可能影響產(chǎn)品定價(jià)。三星對Exynos 2500寄予厚望，該芯片在性能測試中顯示出超越高通第三代驍龍8的潛力
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“Intel 3”3nm制程技術(shù)已開(kāi)始量產(chǎn)
- 據外媒報道，英特爾周三表示，其名為“Intel 3”的3nm制程技術(shù)已在俄勒岡州和愛(ài)爾蘭工廠(chǎng)開(kāi)始大批量生產(chǎn)，并提供了有關(guān)新生產(chǎn)節點(diǎn)的一些額外細節。據介紹，新工藝帶來(lái)了更高的性能和更高的晶體管密度，并支持1.2V的超高性能應用電壓。該節點(diǎn)既針對英特爾自己的產(chǎn)品，也針對代工客戶(hù)，將在未來(lái)幾年不斷發(fā)展。英特爾一直將Intel 3制造工藝定位于數據中心應用，這些應用需要通過(guò)改進(jìn)的晶體管（與Intel 4相比）、降低晶體管通孔電阻的電源傳輸電路以及設計協(xié)同優(yōu)化來(lái)實(shí)現尖端性能。生產(chǎn)節點(diǎn)支持<0.6V低壓以及&g
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臺積電3nm供不應求引漲價(jià)潮！NVIDIA、AMD、蘋(píng)果等都要漲價(jià)
- 6月16日消息，據媒體報道，隨著(zhù)臺積電3納米供不應求，預期臺積電3納米訂單滿(mǎn)至2026年，NVIDIA、蘋(píng)果、AMD和高通等都在考慮提高AI硬件價(jià)格。在A(yíng)I服務(wù)器、HPC應用與高階智能手機AI化驅動(dòng)下，蘋(píng)果、高通、英偉達、AMD等四大廠(chǎng)傳大舉包下臺積電3納米家族制程產(chǎn)能，并涌現客戶(hù)排隊潮，一路排到2026年。業(yè)界認為，在客戶(hù)搶著(zhù)預訂產(chǎn)能下，臺積3納米家族產(chǎn)能持續吃緊，將成為近二年常態(tài)。由于供不應求的局面，臺積電正在考慮將部分5納米設備轉換為支持3納米產(chǎn)能，預計月產(chǎn)能有望提升至12萬(wàn)片至18萬(wàn)片。盡管臺積電
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Arm發(fā)布基于3nm芯片工藝的新CPU、GPU IP
- 芯片設計公司Arm今日發(fā)布了針對旗艦智能手機的新一代CPU和GPU IP（設計方案）：Cortex-X925 CPU、Immortalis G925 GPU。新產(chǎn)品均使用了其最新的Armv9架構，基于臺積電3nm制程工藝方案，針對終端設備在A(yíng)I應用上的性能進(jìn)行設計優(yōu)化。此外還將提供軟件工具，讓開(kāi)發(fā)人員更容易在采用Arm架構的芯片上運行生成式AI聊天機器人和其他AI代碼。預計搭載最新內核設計的手機將于2024年底上市。據官方介紹，新的CPU與GPU IP是目前旗下同類(lèi)產(chǎn)品中性能最強的一代，新CPU性能提升3
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臺積電 2024 年新建七座工廠(chǎng)，3nm 產(chǎn)能同比增三倍仍不足
- IT之家 5 月 24 日消息，臺積電高管黃遠國昨日在 2024 年臺積電技術(shù)論壇新竹場(chǎng)表示，該企業(yè)將在今年新建七座工廠(chǎng)，而今年的 3nm 產(chǎn)能將達到去年的四倍。具體而言，臺積電 2024 年將在全球建設 5 座晶圓廠(chǎng)和 2 座先進(jìn)封裝廠(chǎng)。臺積電位于新竹的 Fab 20 和位于高雄的 F22 晶圓廠(chǎng)均面向 2nm 制程，目前都處于設備進(jìn)駐階段，預計 2025 年陸續進(jìn)入量產(chǎn)。IT之家早前報道中也提到，臺積電已確認其歐洲子公司 ESMC 位于德國德累斯頓的首座晶圓廠(chǎng)將于今年四季度動(dòng)工，預估 202
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良率不及臺積電4成！三星2代3nm制程爭奪英偉達訂單失敗
- 全球半導體大廠(chǎng)韓國三星即將在今年上半年量產(chǎn)的第2代3nm制程，不過(guò)據韓媒指出，三星3nm制程目前良率僅有20%，相較于臺積電N3B制程良率接近55%，還不及臺積電良率的4成，使得三星在爭奪英偉達（NVIDIA）代工訂單受挫。外媒分析稱(chēng)，三星恐怕要在先進(jìn)制程上多加努力，才有可能與臺積電競爭，留住大客戶(hù)的訂單。據《芯智訊》引述韓媒的報導說(shuō)，本月初EDA大廠(chǎng)新思科技曾宣布，三星采用最新3nm GAA制程的旗艦行動(dòng)系統單芯片（SoC），基于新思科技的EDA工具已成功完成設計定案（tape out）。外界認為，該芯
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臺積電 3nm 工藝步入正軌，2024 下半年將如期投產(chǎn) N3P 節點(diǎn)
- IT之家 5 月 17 日消息，臺積電近日舉辦技術(shù)研討會(huì )，表示其 3nm 工藝節點(diǎn)已步入正軌，N3P 節點(diǎn)將于 2024 年下半年投入量產(chǎn)。N3P 基于 N3E 工藝節點(diǎn)，進(jìn)一步提高能效和晶體管密度。臺積電表示 N3E 節點(diǎn)良率進(jìn)一步提高，已經(jīng)媲美成熟的 5nm 工藝。IT之家查詢(xún)相關(guān)報道，臺積電高管表示 N3P 工藝目前已經(jīng)完成質(zhì)量驗證，其良品率可以接近于 N3E。作為一種光學(xué)微縮工藝，N3P 在 IP 模塊、設計規則、EDA 工具和方法方面兼容 N3E，因此臺積電表示整個(gè)過(guò)渡過(guò)程非常順利。N
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瞄準AI需求：臺積電在美第二座晶圓廠(chǎng)制程升級至2nm
- 最新消息，臺積電官網(wǎng)宣布，在亞利桑那州建設的第二座晶圓廠(chǎng)制程工藝將由最初計劃的3nm升級為更先進(jìn)的2nm，量產(chǎn)時(shí)間也由2026年推遲到了2028年。2022年12月6日，在臺積電亞利桑那州第一座晶圓廠(chǎng)建設兩年多之后宣布建設第二座晶圓廠(chǎng)。在今年一季度的財報分析師電話(huà)會(huì )議上，CEO魏哲家提到這一座晶圓廠(chǎng)已經(jīng)封頂，最后的鋼梁已經(jīng)吊裝到位。對于將第二座晶圓廠(chǎng)的制程工藝由最初計劃的3nm提升到2nm，臺積電CEO魏哲家在一季度的財報分析師電話(huà)會(huì )議上也作出了回應，他表示是為了支持AI相關(guān)的強勁需求。在OpenAI訓練
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Dolphin Design宣布首款支持12納米FinFet技術(shù)的硅片成功流片
- 這款測試芯片是業(yè)界首款采用12納米FinFet（FF）技術(shù)為音頻IP提供完整解決方案的產(chǎn)品。該芯片完美結合了高性能、低功耗和優(yōu)化的占板面積，為電池供電應用提供卓越的音質(zhì)與功能。這款專(zhuān)用測試芯片通過(guò)加快產(chǎn)品上市進(jìn)程、提供同類(lèi)最佳性能、及確保穩健的產(chǎn)品設計，堅定客戶(hù)對Dolphin Design產(chǎn)品的信心，再度證實(shí)了Dolphin Design在混合信號IP領(lǐng)域的行業(yè)領(lǐng)先地位。2024年2月22日，法國格勒諾布爾——高性能模擬、混合信號、處理知識產(chǎn)權（IP）以及ASIC設計的行業(yè)領(lǐng)先供應商Dolphin De
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歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對3nm finfet的理解，并與今后在此搜索3nm finfet的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
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