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3nm finfet 文章 進(jìn)入3nm finfet技術(shù)社區
蘋(píng)果A17處理器或將有兩種3nm工藝批次 芯片效能有差異
- 蘋(píng)果將繼續在今年9月舉辦一年一度的秋季新品發(fā)布會(huì )，屆時(shí)全新的iPhone 15系列將正式與大家見(jiàn)面，不出意外的話(huà)該系列將繼續推出包含iPhone 15、iPhone 15 Plus、iPhone 15 Pro和iPhone15 Pro Max四款機型，將在不同程度上帶來(lái)升級，尤其新一代的A17芯片早就成為大家關(guān)注的焦點(diǎn)。根據此前曝光的消息，全新的iPhone 15系列將繼續提供與iPhone 14系列相同的四款機型，并且仍然有著(zhù)明顯的兩極分化。其中兩個(gè)Pro版將會(huì )配備ProMotion顯示屏，屏幕亮度進(jìn)一
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高通驍龍8 Gen 2芯片售價(jià)高達160美元 下一代無(wú)緣3nm工藝
- 高通宣布將在10月24日-26日召開(kāi)2023驍龍技術(shù)峰會(huì )，如無(wú)意外，這次的峰會(huì )主角就是新款旗艦芯片驍龍8 Gen 3。根據目前的消息，驍龍8 Gen 3無(wú)緣3nm，將繼續采用臺積電4nm工藝，只因三個(gè)字：用不起。此前就有業(yè)內人士表示，驍龍8 Gen 2的造價(jià)非常高，一顆驍龍8 Gen 2就得千元出頭。近期分析師進(jìn)一步指出了驍龍8 Gen 2的詳細造價(jià)。分析師Derrick在推特上表示，驍龍8 Gen 2的單價(jià)高達160美元，而iPhone14 Pro系列搭載的A16芯片，單顆造價(jià)為110美元左右。如果和i
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IMEC發(fā)布1nm以下制程藍圖：FinFET將于3nm到達盡頭
- 近日，比利時(shí)微電子研究中心(IMEC)發(fā)表1納米以下制程藍圖，分享對應晶體管架構研究和開(kāi)發(fā)計劃。外媒報導，IMEC制程藍圖顯示，FinFET晶體管將于3納米到達盡頭，然后過(guò)渡到Gate All Around(GAA)技術(shù)，預計2024年進(jìn)入量產(chǎn)，之后還有FSFET和CFET等技術(shù)?！鱏ource：IMEC隨著(zhù)時(shí)間發(fā)展，轉移到更小的制程節點(diǎn)會(huì )越來(lái)越貴，原有的單芯片設計方案讓位給小芯片(Chiplet)設計。IMEC的制程發(fā)展愿景，包括芯片分解至更小，將緩存和存儲器分成不同的晶體管單元，然后以3D排列堆疊至其
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恩智浦攜手臺積電推出首創(chuàng )汽車(chē)級16納米FinFET嵌入式MRAM
- ● 恩智浦和臺積電聯(lián)合開(kāi)發(fā)采用臺積電16納米FinFET技術(shù)的嵌入式MRAM IP● 借助MRAM，汽車(chē)廠(chǎng)商可以更高效地推出新功能，加速OTA升級，消除量產(chǎn)瓶頸● 恩智浦計劃于2025年初推出采用該技術(shù)的新一代S32區域處理器和通用汽車(chē)MCU首批樣品 荷蘭埃因霍溫——2023年5月22日——恩智浦半導體（NXP Semiconductors N.V.，納斯達克股票代碼：NXPI）近日宣布與臺積電合作交付行業(yè)首創(chuàng )的采用16納米
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3nm貴出天際 多家客戶(hù)推遲訂單 臺積電喊話(huà)：別怕漲價(jià) 在想辦法了
- 5月12日消息，臺積電去年底已經(jīng)量產(chǎn)了3nm工藝，今年會(huì )大規模放量，蘋(píng)果依然會(huì )首發(fā)3nm，但是臺積電的3nm工藝代工成本不菲，很多廠(chǎng)商也吃不消。此前數據顯示，從10nm開(kāi)始，臺積電的每片晶圓價(jià)格開(kāi)始瘋狂增長(cháng)，2018年的7nm晶圓每片價(jià)格飆升至10000美元，2020年的5nm工藝晶圓每片價(jià)格突破16000美元。而到了3nm工藝，這個(gè)數字就達到了20000美元，約合14萬(wàn)人民幣，而且這還是基準報價(jià)，訂單量不夠的話(huà)價(jià)格會(huì )更高。這也導致除了蘋(píng)果之外，其他客戶(hù)，如AMD、NVIDIA、高通、聯(lián)發(fā)科等，要么推遲3
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臺積電預計 3nm 工藝 Q3 開(kāi)始帶來(lái)可觀(guān)營(yíng)收，目前產(chǎn)能無(wú)法滿(mǎn)足需求
- 4 月 24 日消息，據外媒報道，臺積電仍采用鰭式場(chǎng)效應晶體管架構的 3nm 制程工藝，在去年的 12 月 29 日正式開(kāi)始商業(yè)化生產(chǎn)，雖然較三星電子晚了近半年，但仍被業(yè)界看好。對于 3nm 制程工藝，臺積電管理層在一季度的財報分析師電話(huà)會(huì )議上，也有重點(diǎn)談及。在財報分析師電話(huà)會(huì )議上，臺積電 CEO 魏哲家表示，他們的 3nm 制程工藝以可觀(guān)的良品率量產(chǎn)，在高性能計算和智能手機應用需求的推動(dòng)下，客戶(hù)對 3nm 制程工藝的需求超過(guò)了他們的產(chǎn)能，他們預計今年的產(chǎn)能將得到充分利用。魏哲家在會(huì )上還透露，他們的 3n
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臺積電 3nm 制程工藝月產(chǎn)能逐步提升，下月有望達到 4.5 萬(wàn)片晶圓
- 2 月 24 日消息，據外媒報道，在三星電子采用全環(huán)繞柵極晶體管架構的 3nm 制程工藝量產(chǎn)之后，臺積電仍采用鰭式場(chǎng)效應晶體管的 3nm 制程工藝，也在去年的 12 月 29 日正式開(kāi)始商業(yè)化生產(chǎn)。從外媒最新的報道來(lái)看，同臺積電此前的工藝一樣，去年 12 月份量產(chǎn)的 3nm 制程工藝，產(chǎn)能也在逐步提升，月產(chǎn)能在下月將達到 4.5 萬(wàn)片晶圓。報道稱(chēng)，蘋(píng)果預訂臺積電 3nm 制程工藝量產(chǎn)初期的全部產(chǎn)能，提及臺積電這一工藝的月產(chǎn)能量時(shí)表示，將在下月達到 4.5 萬(wàn)片晶圓。不過(guò)，即便臺積電 3nm 制程工藝的產(chǎn)能
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英特爾推遲向臺積電訂購3nm芯片訂單
- 據DigiTimes報道，英特爾與臺積電在3nm制造方面的合作將推遲到2024年第四季度。近年來(lái)，英特爾的制造工藝和PC平臺藍圖頻繁修改，產(chǎn)品上市延遲嚴重打亂了供應鏈的產(chǎn)銷(xiāo)計劃。如果上述報道準確，首款Arrow Lake處理器將在2024年第四季度末和2025年第一季度逐漸出貨。此前消息稱(chēng)英特爾Arrow Lake處理器采用混合小芯片構架，在GPU的芯片塊部分據稱(chēng)是采用臺積電的3nm工藝。按計劃在A(yíng)rrow Lake之前，英特爾將在今年晚些時(shí)候推出Raptor Lake-S桌面處理器，為發(fā)燒友和工作站市場(chǎng)
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蘋(píng)果可能將是臺積電3nm工藝唯一主要客戶(hù)，高通聯(lián)發(fā)科尚未決定
- 據國外媒體報道，在三星電子的3nm制程工藝量產(chǎn)近半年之后，臺積電的3nm制程工藝也已在去年12月29日正式開(kāi)始商業(yè)化量產(chǎn)，為相關(guān)的客戶(hù)代工晶圓。雖然比三星3nm工藝量產(chǎn)晚了半年，但是在良率上一直被認為遠超三星。臺積電CEO劉德音還表示，相比于5nm工藝，3nm工藝的邏輯密度將增加60%，相同速度下功耗降低30-35%，這將是最先進(jìn)的工藝。有消息人士稱(chēng)，臺積電3nm的主要客戶(hù)今年可能只有蘋(píng)果一家，有望在蘋(píng)果M2 Pro芯片上首次應用，后面的A17仿生芯片也會(huì )跟進(jìn)。在報道中，相關(guān)媒體也提到高通和聯(lián)發(fā)科這兩大智
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iPhone 15 Pro首發(fā)！蘋(píng)果A17芯片要用3nm工藝
- 今日消息，據MacRumors爆料， 蘋(píng)果在2023年發(fā)布的iPhone 15 Pro上使用了A17 Bionic，這顆芯片集于臺積電3nm工藝（N3）打造。爆料指出，臺積電3nm工藝已經(jīng)開(kāi)始量產(chǎn)，蘋(píng)果將會(huì )是臺積電3nm工藝最大的客戶(hù)， A17 Bionic以及蘋(píng)果M2 Pro和M2 Max等芯片都是采用臺積電3nm工藝。根據臺積電說(shuō)法， 對比N5工藝，N3功耗可降低約25-30％，性能可提升10-15％，晶體管密度提升約70％。 N3工藝的SRAM單元的面積為0.
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臺積電董事長(cháng)劉德音：3nm 需求非常強勁，是世界上最先進(jìn)的半導體技術(shù)
- IT之家 12 月 29 日消息，臺積電今日上午在臺南科學(xué)園區舉辦 3 納米量產(chǎn)暨擴廠(chǎng)典禮，正式宣布啟動(dòng) 3 納米大規模生產(chǎn)。據臺媒中央社報道，臺積電董事長(cháng)劉德音表示，晶圓 18 廠(chǎng)是臺積電 5 納米及 3 納米生產(chǎn)重鎮，總投資金額將達 1.86 萬(wàn)億新臺幣（約 4222.2 億元人民幣），預計將創(chuàng )造 1.13 萬(wàn)個(gè)直接高科技工作機會(huì )。另?yè)_灣地區經(jīng)濟日報報道，劉德音稱(chēng) 3 納米制程良率與 5 納米量產(chǎn)時(shí)的良率相當，是世界最先進(jìn)的半導體技術(shù)，應用
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無(wú)需3nm工藝 全球首顆商用存內計算SoC問(wèn)世：功耗低至1毫安
- 臺積電明年就要宣布量產(chǎn)3nm工藝，這是當前最先進(jìn)的半導體工藝，然而3nm這樣的工藝不僅成本極高，同時(shí)SRAM內存還有無(wú)法大幅微縮的挑戰，國產(chǎn)半導體芯片公司知存科技今年3月份推出了WTM2101芯片，是全球首顆商用存內計算SoC。存內計算是一種新型架構的芯片，相比當前的計算芯片采用馮諾依曼架構不同， 存內計算是計算與數據存儲一體，可以解決內存墻的問(wèn)題，該技術(shù)60年代就有提出，只是一直沒(méi)有商業(yè)化。知存科技的WTM2101芯片是國際首顆商用存內計算SoC芯片，擁有高算力存內計算核，相對于NPU、DSP
- 關(guān)鍵字： 臺積電 3nm 內存芯片
3nm finfet介紹
您好，目前還沒(méi)有人創(chuàng )建詞條3nm finfet!
歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對3nm finfet的理解，并與今后在此搜索3nm finfet的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
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