英特爾最新的FinFET是其代工計劃的關(guān)鍵

在上周的VLSI研討會(huì )上，英特爾詳細介紹了制造工藝，該工藝將成為其高性能數據中心客戶(hù)代工服務(wù)的基礎。在相同的功耗下，英特爾 3 工藝比之前的工藝英特爾 4 性能提升了 18%。在該公司的路線(xiàn)圖上，英特爾 3 是最后一款使用鰭片場(chǎng)效應晶體管 （FinFET） 結構的產(chǎn)品，該公司于 2011 年率先采用這種結構。但它也包括英特爾首次使用一項技術(shù)，該技術(shù)在FinFET不再是尖端技術(shù)之后很長(cháng)一段時(shí)間內對其計劃至關(guān)重要。更重要的是，該技術(shù)對于該公司成為代工廠(chǎng)并為其他公司制造高性能芯片的計劃至關(guān)重要。
它被稱(chēng)為偶極子功函數金屬，允許芯片設計人員選擇幾種不同閾值電壓的晶體管。閾值電壓是設備打開(kāi)或關(guān)閉的電平。使用英特爾 3 工藝，單個(gè)芯片可以包含具有四個(gè)嚴格控制的閾值電壓中的任何一個(gè)的設備。這很重要，因為不同的功能在不同的閾值電壓下運行效果最好。例如，高速緩存通常要求設備具有高閾值電壓，以防止浪費功率的電流泄漏。而其他電路可能需要速度最快的開(kāi)關(guān)器件，具有最低的閾值電壓。
閾值電壓由晶體管的柵極堆棧設置，柵極堆棧是控制流過(guò)晶體管的電流的金屬和絕緣層。從歷史上看，“金屬的厚度決定了閾值電壓，”英特爾代工技術(shù)開(kāi)發(fā)副總裁Walid Hafez解釋道?！肮ぷ鞴δ芙饘僭胶?，閾值電壓就越低?！钡?，這種對晶體管幾何形狀的依賴(lài)會(huì )帶來(lái)一些缺點(diǎn)，因為設備和電路會(huì )縮小規模。
制造過(guò)程中的微小偏差會(huì )改變柵極中金屬的體積，從而導致閾值電壓范圍較寬。這就是英特爾 3 流程從英特爾只為自己制造芯片到作為代工廠(chǎng)運行的轉變的例證。
Hafez說(shuō)，“外部代工廠(chǎng)的運作方式與英特爾等集成設備制造商非常不同”。晶圓代工客戶(hù)“需要不同的東西......他們需要的一件事是閾值電壓的非常緊密變化。
英特爾則不同;即使沒(méi)有嚴格的閾值電壓容差，它也可以通過(guò)將性能最好的部件引導到其數據中心業(yè)務(wù)和其他細分市場(chǎng)中性能較差的部件來(lái)銷(xiāo)售其所有部件。
“很多外部客戶(hù)不這樣做，”他說(shuō)。如果芯片不符合他們的限制，他們可能不得不將其夾住?！耙虼?，英特爾3要想在代工領(lǐng)域取得成功，就必須有非常嚴格的變化。
從此偶極子
偶極子功函數材料保證了對閾值電壓的必要控制，而不必擔心柵極中有多少空間。它是金屬和其他材料的專(zhuān)有混合物，盡管只有埃厚，但對晶體管的硅通道具有強大的影響。

 英特爾使用偶極子工作函數材料，這意味著(zhù) FinFET 中每個(gè)鰭片周?chē)臇艠O更薄。

與舊的厚金屬柵極一樣，新的材料組合會(huì )靜電改變硅的能帶結構，從而改變閾值電壓。但它是通過(guò)在它和硅之間的薄絕緣層中誘導偶極子（電荷分離）來(lái)實(shí)現的。
由于代工客戶(hù)要求嚴格控制英特爾，競爭對手臺積電和三星很可能已經(jīng)在其最新的FinFET工藝中使用了偶極子。這種結構究竟是由什么構成的是一個(gè)商業(yè)秘密，但鑭是早期研究的一個(gè)組成部分，它是比利時(shí)微電子研究中心Imec提出的其他研究的關(guān)鍵成分。該研究關(guān)注的是如何最好地圍繞水平硅帶堆疊而不是一個(gè)或兩個(gè)垂直鰭片構建材料。
在這些稱(chēng)為納米片或柵極全能晶體管的器件中，每條硅帶之間只有納米，因此偶極子是必需的。三星已經(jīng)推出了納米片工藝，而英特爾的20A工藝計劃于今年晚些時(shí)候推出。Hafez說(shuō)，在英特爾3中引入偶極子工作函數有助于使20A及其后繼的18A進(jìn)入更成熟的狀態(tài)。
英特爾 3 的風(fēng)格
偶極子工作功能并不是英特爾 3 比其前身提升 18% 的唯一技術(shù)。其中包括更完美的鰭片，與晶體管的更清晰的觸點(diǎn)，以及更低的互連電阻和電容。（哈菲茲在這里詳細介紹了這一切。
英特爾正在使用該過(guò)程來(lái)構建其至強 6 CPU。該公司計劃為客戶(hù)提供該技術(shù)的三種變體，包括一種 3-PT，帶有 9 微米的硅通孔，用于 3D 堆疊?！拔覀冾A計英特爾 3-PT 將在未來(lái)一段時(shí)間內成為我們代工流程的支柱，”Hafez 說(shuō)。