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18a 制程
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臺積電 2 納米制程工廠(chǎng)已規劃增至三個(gè)，有望 2025 年量產(chǎn)
- IT之家 8 月 9 日消息，據臺灣地區《經(jīng)濟日報》報道，臺積電昨日宣布，因應先進(jìn)制程強勁市場(chǎng)需求，高雄廠(chǎng)確定以 2 納米的先進(jìn)制程技術(shù)生產(chǎn)規劃。臺積電在 4 月法說(shuō)會(huì )上證實(shí)高雄廠(chǎng)將 28 納米產(chǎn)線(xiàn)調整為更先進(jìn)制程技術(shù)，但當時(shí)未提到改為何種制程。臺積電目前 2 納米生產(chǎn)基地已規劃竹科、中科，后續若高雄納入，該公司將擁有三個(gè) 2 納米生產(chǎn)基地。另外，據臺灣地區“中央社”消息，臺積電規劃 2 納米制程將于 2025 年量產(chǎn)，采用納米片晶體管結構。同時(shí)，臺積電在 2 納米發(fā)展出背面電軌解決方案，適用于
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2nm制程之爭將全面打響，三家公司進(jìn)展如何？
- 消費電子市場(chǎng)持續疲軟、人工智能火熱的大環(huán)境下，晶圓制造廠(chǎng)商積極瞄準高性能芯片，2nm先進(jìn)制程之爭愈演愈烈。2nm芯片能帶來(lái)什么？對傳統晶圓代工龍頭而言，2nm能帶來(lái)更高性能，滿(mǎn)足AI時(shí)代下業(yè)界對高性能半導體的需求。而對新興企業(yè)而言，2nm則可以提升半導體產(chǎn)品價(jià)值，并助力其積極追趕龍頭企業(yè)。目前傳統龍頭企業(yè)臺積電、三星電子以及新興企業(yè)Rapidus正積極布局2nm芯片，2nm制程之爭將全面打響，這三家企業(yè)進(jìn)展如何？臺積電：3nm、2nm路線(xiàn)規劃曝光臺積電認為，在相同功率下，2nm（N2）速度相比N3E提高1
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IMEC發(fā)布1nm以下制程藍圖：FinFET將于3nm到達盡頭
- 近日，比利時(shí)微電子研究中心(IMEC)發(fā)表1納米以下制程藍圖，分享對應晶體管架構研究和開(kāi)發(fā)計劃。外媒報導，IMEC制程藍圖顯示，FinFET晶體管將于3納米到達盡頭，然后過(guò)渡到Gate All Around(GAA)技術(shù)，預計2024年進(jìn)入量產(chǎn)，之后還有FSFET和CFET等技術(shù)?！鱏ource：IMEC隨著(zhù)時(shí)間發(fā)展，轉移到更小的制程節點(diǎn)會(huì )越來(lái)越貴，原有的單芯片設計方案讓位給小芯片(Chiplet)設計。IMEC的制程發(fā)展愿景，包括芯片分解至更小，將緩存和存儲器分成不同的晶體管單元，然后以3D排列堆疊至其
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客戶(hù)對2nm期望更高！消息稱(chēng)臺積電多家客戶(hù)修正制程計劃
- 據媒體引述半導體設備業(yè)者表示，2023全年，臺積電3nm產(chǎn)能仍以N3（N3B）為主，整體良率接近75%。根據報道，由于臺積電3nm在PPA表現下與4nm差異不大，且3nm報價(jià)漲至2萬(wàn)美元，只有蘋(píng)果有8折優(yōu)惠，目前有多家客戶(hù)已修正制程規劃，調整投片與訂單，包括拉長(cháng)4/5nm世代周期，放緩N3E、N3P采用進(jìn)度，等待2nmGAA制程世代再重押。報道稱(chēng)，雖然臺積電產(chǎn)能布局可能被打亂，但客戶(hù)黏著(zhù)度更高，對于2nm GAA世代相當有信心，已采用4/3nm的客戶(hù)，幾乎皆有2nm投片規劃。從3nm工藝上看，臺積電曾表示
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Intel大爆發(fā)了：要把這些年從AMD/臺積電手里失去的東西 統統奪回來(lái)！
- 本周，Intel在IEDM大會(huì )期間，公布了新的制程工藝路線(xiàn)圖。內容顯示Intel 4/3/20A均按部就班推進(jìn)，且18A（相當于友商1.8nm）更是提前到了2024下半年準備投產(chǎn)。據悉，Intel 4相當于友商4nm，也就是Intel此前口徑中的7nm，它會(huì )導入先進(jìn)的EUV光刻技術(shù)，并在14代酷睿Meteor Lake上首發(fā)。Meteor Lake（流星湖）也會(huì )是Intel第一款采用多芯片混合封裝技術(shù)的處理器，GPU核顯單元預計將由臺積電3nm/5nm代工?；顒?dòng)上，Inte副總裁、技術(shù)開(kāi)發(fā)總經(jīng)理Ann K
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元宇宙穿戴熱 PCB制程同樂(lè )
- 研調機構預估，全球AR／VR產(chǎn)品出貨量至2026年上看5,050萬(wàn)臺，2022年至2026年年均復合成長(cháng)率為35.1％。法人表示，AR／VR智能穿戴裝置為目前進(jìn)入元宇宙世界的唯一入口，而元宇宙又是上網(wǎng)、通訊、影像傳輸、運算等功能的集大成應用，PCB涵蓋到元宇宙多個(gè)端點(diǎn)，預期如軟板、HDI、軟硬結合板、ABF載板都在受惠行列。盡管元宇宙相關(guān)AR／VR智能穿戴裝置仍未普及，但不少科技巨擘或零組件廠(chǎng)積極搶進(jìn)，如Meta、Sony、hTC、微軟等，一些PCB供貨商也看好明年元宇宙穿戴會(huì )是不錯的成長(cháng)動(dòng)能來(lái)源。工研院
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預計蘋(píng)果新款MacBook Pro與iPad Pro無(wú)緣3nm制程工藝芯片
- 據國外媒體報道，蘋(píng)果在今年下半年將舉行兩場(chǎng)新品發(fā)布會(huì )，第一場(chǎng)在9月份舉行，重點(diǎn)是iPhone 14系列智能手機以及新款Apple Watch；第二場(chǎng)則將在10月份舉行，以Mac和iPad為主。之前預測對于下半年的第二場(chǎng)新品發(fā)布會(huì )，蘋(píng)果將推出的新品預計會(huì )有MacBook Pro和iPad Pro，其中MacBook Pro搭載的，預計是蘋(píng)果自研、由臺積電代工采用3nm制程工藝的芯片。但在蘋(píng)果產(chǎn)品預測方面有很高準確性的分析師郭明錤，近日給出了讓外界失望的預期，蘋(píng)果即將發(fā)布的14/16英寸MacBook Pro
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英特爾或將修改3nm制程生產(chǎn)計劃 重回巔峰路途漫漫
- 消息稱(chēng)英特爾CEO Pat Gelsinger可能會(huì )在8月份前往臺積電，與臺積電的高層會(huì )晤，主要是對明年的3nm產(chǎn)能計劃進(jìn)行“緊急修正”。英特爾原計劃2022年底量產(chǎn)第14代Meteor Lake，并于2023年上半年推出，如今有消息稱(chēng)將延后到2023年底。作為英特爾GPU繪圖芯片代工企業(yè)，臺積電的3nm制程的計劃將受到影響。據報道，英特爾內部已開(kāi)始緊急修正未來(lái)一年的平臺藍圖以及自家制程產(chǎn)能計劃。一直有消息稱(chēng)，英特爾將使用臺積電的N3工藝生產(chǎn)GPU，比如獨立顯卡使用的GPU以及Meteor Lake的GP
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2022年聚焦十二英寸產(chǎn)能擴充，預估成熟制程產(chǎn)能年增20%
- 根據TrendForce集邦咨詢(xún)資料顯示，2022年全球晶圓代工產(chǎn)能年增約14%，其中八英寸產(chǎn)能因擴產(chǎn)較不符合成本效益，增幅遠低于整體產(chǎn)業(yè)平均，年增約6%，而十二英寸年增幅則為18%。其中，十二英寸新增產(chǎn)能當中約65%為成熟制程（28nm及以上），該制程產(chǎn)能年增率達20%，顯見(jiàn)2022年各晶圓代工廠(chǎng)多半將擴產(chǎn)重心放置于十二英寸晶圓產(chǎn)能，且以成熟制程為主軸，而主要擴產(chǎn)動(dòng)能來(lái)自于臺積電（TSMC）、聯(lián)電（UMC）、中芯國際（SMIC）、華虹集團（HuaHong Group）旗下HHGrace，以及合肥晶合集成
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臺積電2nm制程工藝取得新進(jìn)展 2nm競爭賽道進(jìn)入預熱模式
- 據國外媒體報道，推進(jìn)3nm制程工藝今年下半年量產(chǎn)的臺積電，在更先進(jìn)的2nm制程工藝的研發(fā)方面已取得重大進(jìn)展，預計在明年年中就將開(kāi)始風(fēng)險試產(chǎn) ——?也就意味著(zhù)臺積電2nm制程工藝距量產(chǎn)又更近了一步。業(yè)界估計，臺積電2nm試產(chǎn)時(shí)間點(diǎn)最快在2024年，并于2025年量產(chǎn)，之后再進(jìn)入1nm以及后續更新世代的“埃米”制程。臺積電去年底正式提出中科擴建廠(chǎng)計劃，設廠(chǎng)面積近95公頃，總投資金額達8000億至10000億元新臺幣，初期可創(chuàng )造4500個(gè)工作機會(huì )。以投資規模及近百公頃設廠(chǎng)土地面積研判，除了規劃2nm廠(chǎng)
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3D DRAM技術(shù)是DRAM的的未來(lái)嗎？
- 5月25日，有消息傳出，華為將在VLSI Symposium 2022期間發(fā)表其與中科院微電子研究所合作開(kāi)發(fā)的 3D DRAM 技術(shù)。隨著(zhù)“摩爾定律”走向極限，DRAM芯片工藝提升將愈發(fā)困難。3D DRAM就成了各大存儲廠(chǎng)商突破DRAM工藝極限的新方案。DRAM工藝的極限目前，DRAM芯片最先進(jìn)的工藝是10nm。據公開(kāi)資料顯示，三星早已在2020年完成了10nm制程DRAM的出貨；美光和SK海力士也在2021年完成了10nm DRAM產(chǎn)品的量產(chǎn)。那么，10nm是DRAM工藝的極限嗎？在回答這個(gè)問(wèn)題之前，我
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臺積電發(fā)布N4P工藝：增強版的5nm制程技術(shù)都有哪些不同？
- 在2021開(kāi)放創(chuàng )新平臺（OIP）生態(tài)系統論壇上，臺積電（TSMC）宣布推出N4P工藝，這是以目前5nm制程節點(diǎn)為基礎，以性能為重點(diǎn)的增強型工藝。采用N4P技術(shù)生產(chǎn)的首批產(chǎn)品預計于2022年下半年完成產(chǎn)品設計定案。N4P制程工藝的推出強化了臺積電的先進(jìn)邏輯半導體技術(shù)組合，其中的每項技術(shù)皆具備獨特的效能、功耗效率以及成本優(yōu)勢。經(jīng)過(guò)優(yōu)化的N4P可提供高性能運算（HPC）與移動(dòng)設備應用一個(gè)更強化且先進(jìn)的技術(shù)平臺。N4N4P是繼N5、N4后，臺積電5nm家族的第三個(gè)主要強化版本。臺積電稱(chēng)，N4P的性能較原先的N5增
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