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三星
三星 文章 進(jìn)入三星技術(shù)社區
良率提高 三星接近從NVIDIA、Qualcomm獲得2nm訂單
- 隨著(zhù) 2nm 成為芯片制造商的下一個(gè)戰場(chǎng)，三星正在像英特爾一樣競相通過(guò)獲得重大外部訂單來(lái)縮小與臺積電的差距?，F在，它可能只差一步：根據 Chosun Biz 的說(shuō)法，Samsung Foundry 已經(jīng)進(jìn)入了使用 NVIDIA GPU 和高通 AP 進(jìn)行 2nm 性能測試的最后階段。Chosun Biz 表示，三星在其第一個(gè)基于 GAA 的節點(diǎn) 3nm 上來(lái)之不易的經(jīng)驗現在正在得到回報——據報道，3nm 良率已超過(guò) 60%，2nm 良率已攀升至 40% 以上。據 Sedail
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NVIDIA可能會(huì )考慮將中國特供H20的HBM換成GDDR
- 據稱(chēng)，繼 NVIDIA H20 的最新出口限制之后，這家美國芯片巨頭正在開(kāi)發(fā)該芯片的降級版本，以在中國銷(xiāo)售。由于改進(jìn)后的芯片預計將大幅削減，尤其是在內存容量方面，New Daily 的一份報告暗示 NVIDIA 可能會(huì )用 GDDR 取代 HBM，這可能會(huì )破壞內存供應鏈。正如路透社所指出的，Team Green 已經(jīng)向中國主要的云提供商提供了有關(guān)即將推出的公告。據路透社報道，H20 的低調版本由新設定的技術(shù)限制塑造，最早可能在 7 月發(fā)布。目前，韓國《數字時(shí)報》報道稱(chēng)，NVIDIA 堅持從三星和
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韓媒狠揭三星落后臺積電最新差距驚人
- 臺積電穩居全球晶圓代工龍頭寶座，市占率高達67.1%，而排名第2的三星電子半導體部門(mén)，市占僅8.1%。 雙方在晶圓代工領(lǐng)域的差距越來(lái)越大，韓媒最新報導更指出，兩家公司已存在超過(guò)10兆韓元（約新臺幣2268億元）的落差，三星遠遠落后。據韓國《朝鮮日報》報導，業(yè)界人士于11日透露，三星電子旗下掌管半導體業(yè)務(wù)的裝置解決方案部門(mén)（DS），在今年第1季的營(yíng)收為25.1兆韓元（約新臺幣5694億元），與去年同期相比成長(cháng)了9%，然而與上一季相比，卻呈現了17%的下滑。 三星電子方面解釋?zhuān)浯I(yè)務(wù)部門(mén)的業(yè)績(jì)表現由于移動(dòng)
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三星因關(guān)稅前囤積而提高DRAM價(jià)格，DDR4上漲20%
- 在特朗普加征關(guān)稅之前囤積數據推動(dòng)的 DRAM 需求激增似乎是真實(shí)的。據韓國 Etnews 報道，三星一年多來(lái)首次提高了 DRAM 價(jià)格，其中 DDR4 的漲幅最大。該報告表明，三星在 5 月初與主要客戶(hù)敲定了新的定價(jià)條款，已將 DDR4 價(jià)格提高了約 20%。與此同時(shí)，該報告補充說(shuō)，DDR5 價(jià)格的漲幅較小，約為 5%。三星第二季度利潤或將得到提振值得注意的是，Etnews 表示，由于 DRAM 價(jià)格是以數月為基礎進(jìn)行談判的，因此最近的上漲預計將在一段時(shí)間內支持盈利能力，從而為三星第二
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獨家供應 三星為可折疊 iPhone 開(kāi)發(fā)最薄的 OLED 面板
- 據報道，隨著(zhù) Apple 的第一款可折疊 iPhone 將于 2026 年上市，有關(guān)該旗艦產(chǎn)品的更多細節已經(jīng)浮出水面。據 SamMobile 稱(chēng)，三星顯示已經(jīng)創(chuàng )造了其有史以來(lái)最薄的可折疊 OLED 面板——甚至超越了自己的 Galaxy Z Fold 系列中的面板——為該型號提供動(dòng)力。值得注意的是，韓國經(jīng)濟日報表示，三星顯示已被選為蘋(píng)果首款可折疊 iPhone 的 OLED 顯示器獨家供應商。據報道，此舉預計將鞏固三星在全球可折疊 OLED 顯示器市場(chǎng)的主導地位，將其份額從 40% 提
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長(cháng)江存儲主導混合鍵合專(zhuān)利，韓存儲巨頭三星和SK海力士壓力山大
- 隨著(zhù)存儲器巨頭加速布局HBM4和多層NAND產(chǎn)品，混合鍵合技術(shù)越來(lái)越受到關(guān)注。根據 ZDNet 的一份報告，韓國三星電子和SK海力士在關(guān)鍵專(zhuān)利方面仍然落后。該報告強調，三星和SK海力士披露的混合鍵合相關(guān)專(zhuān)利相對較少，大幅低于競爭對手長(cháng)江存儲。 據報道，三星電子已與長(cháng)江存儲簽署了一項許可協(xié)議，在其下一代NAND中采用混合鍵合技術(shù)。此舉反映了三星希望規避長(cháng)江存儲的專(zhuān)利的挑戰，這些專(zhuān)利被認為難以避免。報告指出，長(cháng)江存儲在其“Xtacking”品牌下大規模生產(chǎn)基于混合鍵合的NAND已有大約四年
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AMD4納米棄三星選臺積電 原因曝光
- 三星電子因良率不佳面臨大挫敗，根據科技媒體wccftech報導，傳出超微已取消三星4納米制程訂單，超威已改為委托臺積電，以4納米制程生產(chǎn)EPYC服務(wù)器中央處理器。三星晶圓代工事業(yè)面臨大挑戰，根據報導，超威已將原本交給三星代工的EPYC服務(wù)器，轉給臺積電美國亞利桑那州新廠(chǎng)以4納米生產(chǎn)，臺積電美國廠(chǎng)接單頻傳喜訊，包括蘋(píng)果、輝達等都宣布要在該廠(chǎng)區投片。知名爆料人士@Jukanlosreve指出，超微將把EPYC服務(wù)器處理器轉交給臺積電美國亞利桑那州廠(chǎng)生產(chǎn)。 目前還不知超微轉單理由，但推測是三星晶圓代工事業(yè)表現差
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芯片巨頭們保持沉默 Marvell和三星因關(guān)稅動(dòng)蕩暫停預測未來(lái)
- 隨著(zhù)美國 232 條款半導體調查的公眾意見(jiàn)截止日期的臨近，整個(gè)芯片行業(yè)的焦慮情緒越來(lái)越大。迫在眉睫的關(guān)稅決定給財報旺季蒙上了一層陰影，在地緣政治和貿易緊張局勢加劇的情況下，科技巨頭不愿發(fā)布明確的預測。這是非常不尋常的，因為財務(wù)預測通常是公司方向和戰略的最重要指標之一。由于有傳言稱(chēng)關(guān)稅稅率在 25% 到 100% 之間，芯片制造商發(fā)現很難預測他們的前景，尤其是 2025 年下半年。Marvell 在一份新聞稿中表示，在全球貿易緊張局勢和“動(dòng)態(tài)宏觀(guān)經(jīng)濟環(huán)境”的情況下，該公司將其 2025 年 6 月的投資者日
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搶英偉達訂單？三星提前量產(chǎn)12層堆疊HBM3E
- 據韓國媒體ZDNet Korea報道，三星電子在2025年2月左右已提前開(kāi)始量產(chǎn)12層堆疊的HBM3E高帶寬內存，但尚未通過(guò)GPU巨頭英偉達的認證，因此目前無(wú)法向其供貨。這一決定讓三星面臨積累大量庫存的風(fēng)險。市場(chǎng)消息人士透露，三星對其12層堆疊HBM3E的性能和穩定性充滿(mǎn)信心，認為能夠順利通過(guò)英偉達的認證流程。提前量產(chǎn)的策略旨在通過(guò)認證后快速供貨，助力實(shí)現2025年HBM出貨量達到2024年兩倍的目標。目前，英偉達最新的AI芯片主要采用SK海力士供應的12層堆疊HBM3E。SK海力士憑借其在HBM市場(chǎng)的主
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三星高層緊急訪(fǎng)美，鞏固半導體訂單
- 據韓媒《首爾經(jīng)濟》援引業(yè)界消息，三星電子半導體暨裝置解決方案（DS）部門(mén)負責人全永鉉近日率領(lǐng)高層團隊緊急訪(fǎng)問(wèn)美國硅谷，與蘋(píng)果、NVIDIA、博通等美國科技巨頭展開(kāi)會(huì )晤。此次行程為期至少一周，重點(diǎn)在于鞏固DRAM、次世代高帶寬存儲器（HBM）以及晶圓代工領(lǐng)域的訂單，并探討應對美國潛在關(guān)稅政策的策略。三星高層團隊此次放棄韓國“家庭月”連假，顯示了其在恢復半導體競爭力方面的緊迫感。2025年第1季，三星在全球DRAM市場(chǎng)失去龍頭地位，被SK海力士超越，因此確保移動(dòng)DRAM（LPDDR）和次世代DRAM的供應顯得
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DDR4加速退場(chǎng)，DDR5成為主流
- 三星已向其供應鏈傳達消息，多款基于1y nm（第二代10nm級別）工藝制造的DDR4產(chǎn)品本月即將停產(chǎn)，以及1z nm（第三代10nm級別）工藝制造的8Gb LPDDR4也將進(jìn)入EOL階段。與此同時(shí)，美光已通知客戶(hù)將停產(chǎn)服務(wù)器用的舊版DDR4模塊，而SK海力士也被傳將DDR4產(chǎn)能削減至其生產(chǎn)份額的20%。這意味著(zhù)內存制造商正加速產(chǎn)品過(guò)渡，把更多資源投向HBM和DDR5等高端產(chǎn)品。ddr4和ddr5的區別· 帶寬速度：DDR4帶寬為25.6GB/s，DDR5帶寬為32GB/s；· 芯片密度：DDR4芯片密度為
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Google AI芯片通知撤換 三星HBM3E認證再傳卡關(guān)
- 三星電子（Samsung Electronics）近來(lái)重兵部署在HBM先進(jìn)制程，但供應鏈傳出，三星HBM3E認證進(jìn)度再遭卡關(guān)，由于Google投入自行設計AI服務(wù)器芯片，原打算搭配三星HBM3E，并送交臺積電進(jìn)行CoWoS封裝，但日前卻突然通知三星HBM遭撤下。據了解，事發(fā)源頭是來(lái)自三星HBM3E未能通過(guò)NVIDIA認證，Google為求保險起見(jiàn)，可能改換美光（Micron）產(chǎn)品遞補供應，相關(guān)市場(chǎng)消息近日在業(yè)界傳得沸沸揚揚。對此，消息源向三星求證，三星回復無(wú)法評論客戶(hù)相關(guān)事宜，相關(guān)開(kāi)發(fā)計劃仍按照進(jìn)度執行。
- 關(guān)鍵字： Google AI芯片 三星 HBM3E 認證
沖刺新品市占 三星擬停產(chǎn)舊規HBM
- 三星對此消息表示，無(wú)法確認。 但法人認為，HBM市場(chǎng)年復合成長(cháng)率超過(guò)45%，三星傳停產(chǎn)舊規格的HBM，應有助于三星加快技術(shù)迭代，并鞏固其與SK海力士、美光的「三強爭霸」地位。與此同時(shí)，陸廠(chǎng)加快進(jìn)攻高階存儲器市場(chǎng)。 長(cháng)鑫存儲宣布16nm DDR5 DRAM已量產(chǎn)，性能超越SK海力士12nm產(chǎn)品，并計劃2025年將產(chǎn)能擴至每月18萬(wàn)片晶圓，目標2026年切入LPDDR5與車(chē)用DRAM，為未來(lái)進(jìn)軍HBM鋪路。長(cháng)江存儲則靠Xtacking混合鍵合技術(shù)快速追趕，量產(chǎn)全球首款270層3D NAND Flash，與三星
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京東方與三星訴訟爭端再起，蘋(píng)果或將被牽扯其中
- 三星已在美國地方法院對中國顯示巨頭京東方提起新的專(zhuān)利侵權訴訟，指控其未經(jīng)授權使用關(guān)鍵的 OLED 技術(shù)。由于京東方向蘋(píng)果等主要品牌供應面板，這場(chǎng)爭端現在有可能波及全球供應鏈，此案凸顯了顯示器行業(yè)日益緊張的局勢，并凸顯了多元化采購策略的必要性。 這次針對京東方提起的訴訟是在美國德克薩斯州東區地方法院提起的。三星聲稱(chēng)，京東方及其六家公司侵犯了三星的四項美國專(zhuān)利。這些是美國專(zhuān)利號 11,574,990、11,574,991、10,439,015 和 10,013,088。三星早在 2022 年 5 月就已經(jīng)就他
- 關(guān)鍵字： 京東方 三星 OLED
三星介紹
韓國三星電子成立于1969年，正式進(jìn)入中國市場(chǎng)則是1992年中韓建交后。1992年8月，三星電子有logo限公司在中國惠州投資建廠(chǎng)。此后的10年，三星電子不斷加大在中國的投資與合作，已經(jīng)成為對中國投資最大的韓資企業(yè)之一。2003年三星電子在中國的銷(xiāo)售額突破100億美元，躍入中國一流企業(yè)的水平。2003年，三星品牌價(jià)值108.5億美元，世界排名25位，被商務(wù)周刊評選為世界上發(fā)展最快的高科技品牌。
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