沖刺新品市占 三星擬停產(chǎn)舊規HBM

三星對此消息表示，無(wú)法確認。 但法人認為，HBM市場(chǎng)年復合成長(cháng)率超過(guò)45%，三星傳停產(chǎn)舊規格的HBM，應有助于三星加快技術(shù)迭代，并鞏固其與SK海力士、美光的「三強爭霸」地位。

與此同時(shí)，陸廠(chǎng)加快進(jìn)攻高階存儲器市場(chǎng)。 長(cháng)鑫存儲宣布16nm DDR5 DRAM已量產(chǎn)，性能超越SK海力士12nm產(chǎn)品，并計劃2025年將產(chǎn)能擴至每月18萬(wàn)片晶圓，目標2026年切入LPDDR5與車(chē)用DRAM，為未來(lái)進(jìn)軍HBM鋪路。

長(cháng)江存儲則靠Xtacking混合鍵合技術(shù)快速追趕，量產(chǎn)全球首款270層3D NAND Flash，與三星、美光的層數差距逐漸縮小。

其232層QLC NAND亦已打入企業(yè)級儲存市場(chǎng)，并與中國AI芯片廠(chǎng)密切合作，強化數據中心與邊緣運算布局。

長(cháng)鑫與長(cháng)江分屬DRAM與NAND兩大領(lǐng)域，但雙方技術(shù)協(xié)作潛力備受關(guān)注。 例如，長(cháng)鑫若掌握DRAM堆疊與混合鍵合（Hybrid Bonding）技術(shù)，長(cháng)江擁有Xtacking（透過(guò)硅通孔/TSV技術(shù)）經(jīng)驗，雙方可望結合實(shí)現中國版本的HBM堆疊技術(shù)。

法人指出，三大內存原廠(chǎng)掌控市場(chǎng)主導權，但陸廠(chǎng)急起直追，影響不可小覷。 近年陸廠(chǎng)以?xún)r(jià)格戰沖擊市占，導致2023~2024年存儲器均價(jià)下跌逾6成。

價(jià)格戰促使三星與SK海力士選擇減產(chǎn)，而長(cháng)鑫與長(cháng)江則逆勢擴產(chǎn)，以產(chǎn)能換市占策略突破封鎖。

法人預期，三星未來(lái)將擴大HBM3E產(chǎn)能，并計劃2025年推出12層堆疊的HBM4。 同時(shí)，也將加速汰除舊世代DRAM與NAND產(chǎn)線(xiàn)。業(yè)界分析，地緣政治風(fēng)險升高，全球記憶體供應鏈加速區域化。 美韓陣營(yíng)強化與歐盟、印度合作，而中國大陸則憑借龐大內需推動(dòng)國產(chǎn)替代。 未來(lái)五年，兩大陣營(yíng)在技術(shù)與市場(chǎng)的競爭態(tài)勢，將成為半導體產(chǎn)業(yè)的關(guān)鍵觀(guān)察指標。